MOSFET管驱动电路的设计课件

1、MOS管驱动电路设计，有关MOSFET的基础知识，通常MOSFET以电压驱动，不需要驱动电流，但MOS的GS级别之间存在连接电容器，该电容可能不太简单。如果不考虑MOSFET的基本知识、重排和EMI等要求，则MOS管状开关的速度越短，速度越快。开关损耗越小，开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的质量直接决定了MOS管的效率，将GS之间的电压从0拉动到管的开路电压所需的时间越短，MOS管打开的速度就越快。同样，将MOS管的GS电压从开放电压降低到0V的时间越短，MOS管阻塞的速度就越快。对MOSFET的基本知识表明，要在更短的时间内提高或降低GS电压，必须给MOS管闸施加

2、更大的瞬时驱动电流。常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或晶体管放大后驱动MOS的方法在瞬时驱动电流方面存在很大缺陷。更好的方法是使用专用的MOSFET驱动程序芯片(如TC4420)驱动MOS管。这些芯片通常具有大的瞬时输出电流，并且与TTL级输入兼容。MOSFET驱动芯片的内部结构，MOS驱动电路设计需要注意，因为有寄生电感，寄生电感和MOS管的连接电容器构成了LC振荡电路。将驱动芯片的输出端子直接连接到MOS管闸，如果PWM波上升下降，则会产生巨大冲击，如果MOS管急剧加热或爆炸，通常的解决方法是在闸上连接10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的q值，冲击快速衰减。由于MOS驱动电路设计具有MO

3、S管浇口的高输入阻抗的特性，MOS管可能由于一些静电或干扰而工作不正常，因此建议在MOS管GS之间并行分割10K电阻以降低输入阻抗。如果担心在附近的电力线上进行干扰耦合会产生瞬时高压击穿MOS管，则GS之间可以并行地产生另一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS可以看作是一种反应速度非常快的稳定器管，其瞬间可承受的功率高达数百千瓦，可用于吸收瞬间的干扰脉冲。MOS管驱动电路参考、MOS管驱动电路的布线设计、MOS管驱动线的回路面积必须尽可能小。否则，可能引入外来电磁干扰驱动芯片的旁路电容应尽可能接近驱动芯片的VCC和GND针。否则，线路电感应在芯片的瞬间输出电流，请参阅MOS管驱动电路布线

4、，典型的MOS管驱动波形，如果发生这样不圆的推力，则等待核爆炸。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。大部分时间管在线工作，损失巨大。即可从workspace页面中移除物件。一般来说，这种情况是接线太长的电感，闸电阻不能救你，但不能重画板，一般MOS管驱动波形，高频铃声严重破坏的方波。即可从workspace页面中移除物件。上升的河水冲击很大，在这种情况下，管子一般瞬间死亡。即可从workspace页面中移除物件。根据一种情况，转到线性区域。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。挤！原因主要是布线的问题，常见的

5、MOS管驱动波形，胖胖胖的猪波。即可从workspace页面中移除物件。升降速度很慢，因为阻抗不匹配。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。芯片驱动能力太差或栅极电阻太大。即可从workspace页面中移除物件。如果大胆地改变大电流驱动芯片，将栅极电阻转移到小调谐，OK，典型的MOS管驱动波形，肿胀脸在方波他们家出生的三角波驱动电路的阻抗将超程。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。这管子一定会杀死大葱。即可从workspace页面中移除物件。解决方法同书，一般MOS管驱

6、动波形，公面，人见爱的方波。即可从workspace页面中移除物件。高低分明，水平这次可以称为水平。因为它是平的。即可从workspace页面中移除物件。即可从workspace页面中移除物件。陡侧，开关速度快，损失一点冲击可以接受，管子不能进入线性区域，如果强迫症，可以适当调整栅极电阻，正常MOS管驱动波形，方形井帅男人波 凌武建峰无无线电损失，三个产品推荐一些MOS驱动芯片，TC4420:更常见的驱动芯片，峰值电流6安培IR2110:适用于半桥引导驱动器、2A输出、半桥和全桥驱动，但IR2110不是绝缘芯片，因此需要注意电缆和电路设计。建议使用用于驱动MOS的芯片、用于TLP 250: 2a推拉输出的光电耦合器，以避免返回高压充电并燃烧主机，用于驱动隔离MOS管，但由于光电延迟较大，因此建议不要在高于50K的频率下使用。h桥隔离驱动器仍然适合使用。IXDD430:这种变态30A的瞬时驱动电流，如果完全不考虑效率(例如13年的国家比赛问题)，当然价格也很感人，不情愿地扩展知识，在中小型全校和半桥开关电源中经常使用门驱动变压器驱动MOS管更多