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文档简介

线痕模式检讨可行性报告,硅片品质管理部,描述,AworldsLeadingVertically-integratedPVM,2,线痕样片检讨项目如下：硅片中心点平均厚度硅片平均电阻率硅片粗糙度及线痕外观状态样片总结,目的：为了检验断线线痕，双面边角线痕等对电池片制造工序是否存在影响。,1.硅片中心点平均厚度,从以上统计看,线痕样片抽测的硅片中心占平均厚度为180.2um,满足管控要求.,2.硅片平均电阻率,从以上统计看,线痕样片抽测的硅片平均电阻率为1.78.cm,满足管控要求.,3.硅片粗糙度及线痕外观状态,半条的密集线痕,整条的线痕,3.硅片粗糙度及线痕外观状态,整条的密集线痕,杂质点的线痕,3.硅片粗糙度及线痕外观状态,单条的划痕的线痕,4.样片总结,.线痕样片抽测的硅片中心占平均厚度为180.2um,满足管控要求.,.线痕样片抽测的硅片平均电阻率为1.78.cm,满足管控要求.,.线痕样片抽测的硅片粗糙度都小于15um,满足管控要求.,.从以上数据看，此批硅片中心点厚度及电阻率满足管控要求，硅片粗糙度小于15um，满足目前的A+线痕的要求，可以发往客户实验验证此批线痕样片是否对电池片生产存在影响.,AworldsLeadingVertica

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