ThinFilm 资料(新人版)PPT

1、PVD Introduction CVD Introduction CMP Introduction,PVD(Physical Vapor Deposition),Sputter 種類:,傳統式(DC Plasma),DC Magnetron,準直管式,LTS(Long Throw Sputter),離子化式,Sputter Etching:RF power(high/low frequency),8A Sputter Machine List,Sputter Chamber Configuration,Front,Side,Front,Side,Buffer Chamber 內部構造,Cen

2、tura,Endura,Chamber 內部構造,Tin chamber,AL chamber,Chamber 內部構造,Sputter Etch chamber,AC Box/RF Rack,Compressor,機台附屬配備,機台附屬配備,A07V Pump,A30W Pump,Neslab,機台附屬配備,Chiller,CVD(Chemical Vapor Deposition),化學沉積比較物理沉積,CVD 種類:,介電材料 CVD 導電材料 CVD,CVD 反應室種類:,APCVD(常壓) LPCVD(低壓) PECVD(電漿),介電材料CVD,8A 介電材料CVD Machine

3、List,介電材料-Thermal CVD,Front,Side,機台名稱,:,Producer SA-CVD,機台編碼,:,DT,製程名稱,:,BPTEOS,Front door 內部,Producer robot,Transfer Chamber 內部構造,Chamber 內部構造,介電材料-PECVD,Front,Side,Machine Side,Pump & generator,介電材料-Spin-on Glass CVD,Front,Side,介電材料- High Density Plasma CVD,Front,Side,Chamber wafer 破片,Buffer chamb

4、er wafer破片,導電材料 CVD,8A Metal CVD Machine List,Front,Side,機台名稱,:,TEL,UNITY-EP,PCE/TI/TIN,機台編碼,:,MK701,製程名稱,:,CVD - TI/TIN Depo,Front,Side,Chamber 內部構造,W-CVD chamber,W-CVD Cooldown chamber,機台附屬配備,W-CVD Gas panel,W-CVD AC box,機台附屬配備,W-CVD Pump,W-CVD Scrubber,機台附屬配備,W-CVD Heater exchanger,W-CVD VMB,機台附屬

5、配備,MK701 AC box,MK701 VMB,機台附屬配備,MK701 LDS,MK701 Scrubber,EBARA CMP F-REX 200,CMP 化學機械研磨,8A CMP Machine List,Front,Side,Wafer 處理流程：,Cassette,Dry Robot (Dry In),Wafer station,Turn-Over,Robot 2,Polishing Unit,Turn over,Roller cleaner,Pencil cleaner,Cassette,翻轉wafer，正面朝下，以利後續研磨,翻轉wafer，正面朝上，以利後續清洗,第一階段

6、清洗,Robot 2,Robot 2,第二階段清洗、旋乾,Dry Robot (Dry Out),進行CMP製程,Wafer 暫存區,F-REX 200 Main Configuration,研磨單元基本架構：,基本架構主要由Top-ring(研磨頭)、Turn-Table(研磨盤)、Dresser(研磨墊整理器)、Slurry delivery(研磨漿供應器)四部分所組成。 研磨時透過 Top-ring將wafer壓置於Pad，再施加 Down force、Backside pressure，搭配適當的Top-ring & Turn-table 轉速、Slurry flow rate，來達到

7、CMP製程需求。,Turn-Table,Slurry Delivery,Pad,Dresser,Top-Ring,Wafer,Down Force,調節 N2壓力來提供 Backside Pressure,在CMP研磨製程之後，wafer必須立即徹底清洗，來移除殘留的Slurry(研磨漿粒)，以及研磨過程中所產生的污染物 清洗過程共分為兩階段，第一階段為Roller Cleaner，使用D.I.W(超純水)或NH4OH(氨水)來進行清潔，Roller共有上下兩組，同時進行wafer正反面清潔。 第二階段為Pencil Cleaner，使用 D.I.W 加上 Mega sonic(超音波)來提高清洗效率，最後再進行旋乾動作，來完成 Dry In/Dry Out CMP製程的要求。,1st Roller Cleaner,2nd Pencil Cleaner,1st Roller Cleaner,