技术公司电源MTBF测试规范

1、深圳教育网络技术公司电力MTBF测试规范1.0目的按照MIL-HBDK-217F标准评估电源产品的稳定性。2.0服务范围测试工程师、可靠的测试工程师、技术人员和工程测试人员可在该部门的电源产品类上执行MTBF测试的标准基础。3.0定义mtbf mean time between failure。平均失败间隔时间。MIL-HBDK-217F:美国军用手册电子设备可靠性估计。4.0权限测试组：测试工程师根据本规范对原型阶段验证测试内容进行测试验证，并发布测试报告。5.0规格内容5.1参数说明：:质量系数，许多产品的质量等级分为MIL-SPEC和Lower。下表使用MIL-

2、SPEC确定 q值(如果部件同时满足这两个质量评级标准)。如果这些标准被放弃或属于业务类进程，请使用Lower确定Q的值。parts with multi-level quality specification sPartQuality Designatorsmicro circuits微电子学s、b、b-1、other : quality judged by screening levelDiscrete Semiconductors半导体Jantx，janxv通过Capaconitors、establish reliebility (er)电容构建可靠性d、C、S、R、B、P、M、LRes

3、istors、establish relability (er)电阻、可靠性建立s、R、P、M建立Coils、moled、r.f .reliability (er)线圈、型号、RF、可靠性s、R、P、MRelays、establish relability (er)中继、建立可靠性r、P、M、L e:环境系数环境系数，包含除电离辐射以外的环境应力影响。目前只有几种常用类型，如下所述使用环境E类型说明良好的地面条件GB不移动的温度和湿度管理得很好，包括实验室工具和设备、医疗电子设备、商业和科学计算机附件、导弹及其支持设备和发射井。固定地面条件GF一般环境条件(例如产品安装在固定位置)具有足够的风

4、冷条件，并且尽可能不接近其他发热设备。其中包括控制飞机运行的固定式雷达系统和通信设备。移动的使用环境GM轮状设备或铁路运输设备的产品装置，手动运输。其中包括战术导弹地面支援装置、移动通信装置、战术防火系统、手持通信装置、激光探测器等。P:设备或组件的总损耗效率。5.2选择组件计算公式和参数5.2.1 IC类、数字或线性逻辑或语句、MOS驱动器服务范围：各种IC、线性或数字栅极电路、集成电路模块等计算公式：P=(C1T C2E)QL参数计算公式：C1:mos linear and digital gate/logic array die complex

5、failure rate数字LinearPLA/PALGates . no . GatesC1TransistorsC1Gates . no . GatesC11比1000.0101比1000.010Up to 5000.00085101 to 1，0000.020101 to 3000.020501 to 1，0000.00171，001 to 3，0000.040301 to 1，0000.0401001 to 50000.0034.:temperature factor计算公式：t=0.1 exp(-ea/(8.61410-5)(1/(TJ 273)-1/298)其中：ea:effect

6、ive activation energy(ev)Digital MOS: 0.35Linear MOS: 0.65TJ : worse caste junction temperature or average active device channel temperature。C2: package failure rate计算公式：C2=2.810-4(Np)1.08Np: Number of Functional Pinse:GB : 0.50；GF: 2.0GM: 4.0:other commercial or unknown screening levels : 10L: Lear

7、ning Factor(使用2年以上IC生产经验)，选择：1.05.2.2半导体类使用范围：低频二极管(开关二极管、快速恢复二极管、电源整流器、电压调节器-稳定管、电流调节器-稳流管、瞬态抑制装置、肖特基)计算公式：P=bSCOqo E参数说明： b:基本故障率Diode Type/ApplicationbSwitching0.0010Fast Recovery Power Rectifier0.025Power Rectifier/Schottky0.0030power di ode0.0050voltage regulator and voltag

8、e reference(avalanche and zener)0.0020.:temperature factor对于1:switching、fast recovery、power rectifier、transient suppressorT=exp(-3091 (1/(TJ 273)-1/298)2例：voltage regulator、voltage reference、and current regulatorT=exp(-1925 (1/(TJ 273)-1/298)* * TJ : junction temperature (c) s: electrical stress factor1 voltage regulator、voltage reference、current regulatorS=1.02 All OthersS=0.054