三极管(课件)

1、1，2，3，4，模制功率管，模制功率管，芯片晶体管，模制功率管，5，学习内容：晶体管，1，晶体管的结构，分类和符号2，晶体管的工作电压和基本接触晶体管内电流的分配和放大作用4，晶体管的输入输出特性5，晶体管的主要参数6，晶体管的简单测试，6，2.1晶体管，晶体管：利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特征：管内有两种载流子参与导电。 特征：因为有三个电极，所以被称为晶体管。 2.1.1晶体管的结构，分类和符号，1 .晶体管的基本结构，1 .晶体管的外形，7，2 .晶体管的结构，图2.1.2晶体管的结构图，处理要求：发射极区域的掺杂浓度大的基极区域薄，掺杂最集电极区域体积比发射极区域大，掺

2、杂少。 特征：有三个区域的发射极区域、基极区域、集电极区域，有两个PN结发射极接合(BE接合)、集电极接合(BC接合)、三个电极发射极e(E )、基极b(B )、集电极c(C )、PNP型管和NPN型管两种类型。8、箭头：表示向发射极接合施加正向电压时的电流方向。 文字符号： v，图2.1.3晶体管符号，二，晶体管符号，9，2参见国产晶体管命名法：电子电路P249附录2。 三、晶体管的分类，一个晶体管有很多分类方法。 内部结构类别：有NPN型和PNP型管；工作频率类别：有低频管和高频管的电力类别：有小电力管和大电力管的用途类别：有普通管和开关管的半导体材料类别：有锗管和硅管等。 例如，3DG表

3、示高频小功率NPN型硅晶体管，3CG表示高频小功率PNP型硅晶体管，3AK表示PNP型开关锗晶体管等。 10、晶体管的封装形式和引脚识别，常用晶体管的封装形式有金属封装和塑料封装两种，引脚的排列方式有一定的规则，如图所示，对于小功率金属封装晶体管，三个引脚构成等腰三角形的顶点上， 从左到右依次是ebc，放置在图示仰视图的位置的中小功率的塑料晶体管，平面朝向自己，3根引脚朝下放置，从左依次是ebc。 用于电子制造的常用晶体管有90个系列，例如低频小功率硅管9013(NPN )、9012(PNP )、低噪声管9014(NPN )、高频小功率管9018(NPN )。 这些型号通常安装在塑料外壳上，但

4、外观相同，都是TO-92标准包装。 在旧的电子产品中，还可以看到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管)等，它们的型号也印刷在金属外壳上。 在放大状态下，11，12，13，晶体管工作的外部条件是，在发射极结上施加正向电压，在集电极结上施加反向电压。 2.1.2晶体管的工作电压和基本连接方式、晶体管的工作电压、晶体管的基本作用是放大电信号。 14、图2.1.4晶体管电源的连接方法，15、最常用的是发射极接合法。 二、在晶体管电路中的基本连接方式如图2.1.5所示：16，测量电路，图，2.1.3晶体管内的电流分配和放大作用，一、电流分配关系，视频1，视频2，17，表2.1.1，调

5、节音量，发射器电流，贝由于IB小(2.1.2)、(2.1.1)，从表2.1.1可知，晶体管的电流分配关系为：18、ICEO越小，晶体管的温度稳定性越好。 硅管比锗管的温度稳定性好。 说明：1 .时。 称为集电极基极逆饱和电流，请参照图2.1.7(a )。 一般很小，与温度有关。 2 .时间。 也称为集电极发射极逆电流，也称为贯通电流，请参照图2.1.7(b )。 从表中可以看出，19、二、晶体管的电流放大作用，视频1、视频2、20、结论：晶体管的电流放大作用的基极电流发生了微小变化，集电极电流发生了很大变化。2交流电流放大系数表示晶体管放大交流电流的能力(2.1.3)，3直流电流放大系数表示晶

6、体管放大直流电流的能力(2.1.4)，4通常，因此(2.1.5)，考虑到iceo (2.1.6)，21、2.1.4吨另一方面，公共发射器输入特性曲线、视频1、视频2、22、5VBE与IB处于非线性关系。 从图中： VCE2V时，特性曲线基本一致。 VBE小时，IB为零，晶体管处于截止状态，当VBE大于阈值电压(硅管约0.5V，锗管约0.2V )时，IB逐渐变大，晶体管开始导通。 4晶体管导通后，VBE几乎没有变化。 硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，被称为晶体管的导通电压。 图2.1.9的发射极输入特性曲线，23，2，晶体管的输出特性曲线，基极电流IB一定的情况下，集电极电流IC和集电极间电

7、压VCE的关系曲线。 另外，在视频1、视频2、24、放大状态中，IB为一定的情况下，IC不依赖于VCE，即，放大状态的晶体管具有恒定电流特性。 输出特性曲线分为三个工作区：1，1 .截止区，条件：发射结的反偏压或两端电压为零。 特征。 2、饱和区、条件：发射接合和集电接合为正偏压。 特征。 称为饱和管电压降，小功率硅管约为0.3V，锗管约为0.1V。 3 .放大区，条件：发射结正偏、集电结反偏的特征： IC由IB控制，即。 25、晶体管有放大作用，如果向基极施加小的电信号，集电极就得到放大的电信号，放大电路，如果基极有小的电流变化，集电极就能得到大的电流变化，这就是晶体管的电流放大作用，26、

8、OFF状态晶体管的开关特性晶体管的工作状态、问题：如何改变电路，使晶体管为饱和导通状态，使二极管发光、熄灭，控制晶体管的基极电流，由此，22000000000000000652，2.1.5 太小，扩大能力弱，太大，管子的性能容易变得不稳定。 一般来说最好是3080。 2 .交流放大系数、1 .直流放大系数、1、发射极电流放大系数、28、1 .集电极基极逆饱和电流ICBO。 逆饱和电流随温度的增加而增加，是管道工作状态不稳定的主要原因。 因此，往往成为判断管性能的重要依据。 硅管的逆饱和电流远小于锗管，应该在温度变化范围宽的工作环境中选择硅管。 二、极间逆饱和电流、二.集电极、发射极逆饱和电流I

9、CEO。 (2.1.7)，29，三，极限参数，管道基极开路时，集电极和发射极间的最大容许电压。 电压超过该值时，软管会被电压破坏，触电而热破坏时，软管会破损。 3 .集电极发射极间逆耐压V(BR)CEO，2 .集电极最大允许耗散功率PCM，1 .集电极最大允许电流ICM，晶体管工作时，集电极电流超过ICM时，管性能显着降低，管有可能烧损。 管集电接合的两端电压和通过电流的积超过该值时，管的性能变差或烧损。 30、图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路，2.1.6晶体管的简单测试，1，硅管或锗管的判别，31，图2.1.12的估计电路，2，估计比较的大小，NPN管估计电路，图2.1.1 万用表设置

10、在微波炉中，测量开关s断开和接通时的电阻值并进行比较。 前后两个读取值的差越大，表示管的高度，即电流放大能力越大。 估计PNP管时，改变万用表的两根时钟位置。 32、NPN管估计电路如图2.1.13所示。 测量电阻值越大，表示气管的尺寸越小。 如果电阻值无限大，则晶体管开路；如果电阻值为零，则晶体管短路。 三、估计ICEO，测定PNP型管时，更换红、黑的表笔，方法相同。图2.1.13ICEO估计，设置33，万用表，用其中一支笔与黑色钟表的笔连接(假设为底座b )，红色钟表的笔分别用另外两个笔连接，若测定两个电阻值小，则黑色钟表的笔连接的是底座如图2.1.14(a )所示。 如果用上述方法测量的结果都是高电阻值的话，黑时钟的笔连接在PNP管的基础上。 如图2.1.14(b )所示。 四、NPN管型和PNP管型的判断，图2.1.14基于b的判断，视频、34，方法是，假设一个保留电极是集电极(另一个是发射器)接入电路，记