6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术

1、，6.1模拟集成电路的直流偏置技术，6.1.1BJT电流源电路，6.1.2FET电流源，1。镜像电流源，2 .微电流源，3 .高功率阻抗电流源，4 .组合电流源，1 .MOSFET镜像电流源，2 .MOSFET多通道电流源，3 .JFC电流源，1，硅基片上构成特定功能电子电路的组件。1 .关于整合程度的子项：小型大规模(每个芯片可能有数亿个组件)，2 .导电类型的子项：双极单极兼容，3 .功能性：数字集成电路模拟集成电路、集成电路：分类：2、由于制造过程的原因，模拟集成电路与各个组件电路相比具有以下特征：(1)电阻和电容器的值不应太大，电路结构直接以耦合方式实现，在集成电路中，电阻由利用NPN

2、管的基本区域体电阻组成，因此电阻值的范围一般为几十欧元，电阻值的范围不大，电阻准确度难以控制，误差可能达到10%。因此，如果需要高电阻，可以使用由BJT或FET等组成的恒流源替代，或者使用外部电阻方法。电容由约100PF以下的PN结电容组成，误差也很大，因此电路结构只能使用直接耦合方式。电感的制造更加困难。集成电路的特性3，(2)为了克服直接耦合电路的温度漂移，经常使用差分放大器电路作为输入级别，(3)最大限度地使用BJT(或FET)代替电阻电容和二极管等组件，在集成电路制造过程中制造其他组件，尤其是晶体管(npn管)比NPN管容易且占用因此，通常BJT(或FET)以偏置电阻构成恒流源。将BJ

3、T的基座和集电极短连接配置为二极管稳定管等；为了提高单管电路的性能，使用了复合管工程公用集通用标准和其他组合电阻。4，6.1.1BJT电流源电路，1 .镜像电流源、T1和T2的参数都相同。即，如果12、ICEO1ICEO2、BJT的大小较大，则基准电流IB可以忽略，IoIC2IREF、代表符号、IC2等同于基准电流IREF的镜像，存在问题。如果IC2和IREF之间的差异不大，则为5，6.1.1BJT电流源电路为1 .镜像电流源、动态电阻、常规ro适用于数百、6、IC2IREF、IC2和IREF互镜像；改进：带缓冲的镜像电流源：镜像电流源电路适用于较大的工作电流(mA级)，需要IC2R时在集成电

4、路中不容易实施。使用IREF=，T3的电流增量减少IB对IRFE的分流能力，提高IC3和IRFE之间相互镜像的准确性，r、7、2。基于比例恒流源电路、镜像恒流源电路，增加两个发射极电阻，两个已经电阻的电流形成一定比例关系，可以构成比例恒流源。电路如图6.3所示。地物比例恒流源，8，ie2re2=vbe1vbe2，ie2re2 vbe2=vbe1 (kvl表达式)，ie2=(VBE 1 VBE 2)/re2=VBE/微电流源、9、a1和A3分别是T1和T3的相对结域，动态输出电阻ro远高于微电流源的动态输出电阻，6.1.1BJT电流源电路，4 .高输出阻抗电流源，10，6.1.1 BJT电流源电路，5。组合电流源；T1、R1和T4分支为基准电流IREF、T1和T2、T4和T5为镜像电流源；T1和T3、T4和T6为微电流源；11、6。电流源是主动负载，工程线路电路的电压增益如下。此电路Rc是镜像电流源的交流电阻，通常超过数百，000个，因此增益比使用电阻Rc作为负载时增加。放大管，12，6.1.2FET电流源，1。MOSFET镜像电流源，如果设备具有不同的纵横比(=0)，ro=rds2，MOSFET默认镜像电路流，13，6.1.2FET电流源，1。MOSFET镜像电流源，使用T3代替r，t1T3，在与T1T3相同的特性和放大区域工作，输出电流为零，常