TFT元件结构及原理.ppt

1、1,TFT元件結構及原理,2,TFT-LCD的面板構造,3,Array面板說明,4,5,Array 面板示意圖,6,1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元件的 作用類似一個電容，藉Switch的ON/OFF對電容儲存的 電壓值進行更新/保持。 2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。 3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。,7,1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列 所有TFT閘極電極，而信號線連接同一行所有TFT源極 電極。 2.當ON時信號線的資料寫入液晶電容，此時，

2、TFT元件成 低阻抗(RON)，當OFF時TFT元件成高阻抗(ROFF)，可防 止信號線資料的洩漏。 3.一般RON與ROFF電阻比至少約為105以上。,8,認識 TFT,G,D,S,1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構？,9,TFT元件的運作原理,(1)VgsVth：訊號讀取,TFT元件在閘極(G)給予適當電壓(VGS起始電壓Vth ,註), 使通道(a-Si)感應出載子(電子)而使得源極(S)汲極(D)導 通。 【註】：Vth 為感應出載子所需最小電壓 。,10,TFT元件的運作原理,(2)VgsV

3、th：訊號保持,1.TFT元件在閘極(G)給予適當電壓。當VGS小於起始電壓 時沒有感應出載子則通道成斷路。 2.故TFT元件可看成開關,當VGSVth則ON,當VGSVth則 OFF。,11,TFT元件的運作原理,一 VgsVth：形成感應通道 Ids=1/2unCox(W/L)(Vgs-Vth)Vds-Vds2 三 VgsVth&VgdVth：進入夾止區(在 Drain側通道消失) Ids=1/2unCox(W/L)(Vgs-Vth)2,影響Ids之重要參數 1. Vth 2. un：Mobility 3. Cox：Gate到Channel的電容 4. W/L,12,TFT之Vg V.S.

4、 Log Id圖,註：此圖為一特定之Vds下所量得,13,1.VG為掃描線電壓，VID為信號線電壓，分別加在TFT 的閘極，源極。 2.在T1時域(水平選擇期間)TFT ON，畫素電極電位VP會被 充電至信號電位VID 。在T2 時域(非選擇期間)TFT OFF， 在OFF的瞬間，VP會下降V，此V的大小與TFT元件 的閘極與汲極間的寄生電容CGD有關，因此在設計與製 程元件時盡量避免寄生電容的產生。,14,1.V的大小關係如下: CGD:閘極與汲極間電容 CLC:液晶電容 CST:保持電路 2.此下降電壓V與影像信號的極 性無關，永遠比畫素電位VP 下 降此一電壓值。因此，只要將彩 色濾光片

5、的共用電極電位VCOM設 定成相對於信號線的中心電壓VC 低一偏移值V，便可以使加在 畫素電極上的電壓成為正負對稱 的波形，使直流位準的電壓降誤 差到最小值。,15,儲存電容,Vg,VS,目的：降低TFT關閉時，因Cgs所引 起的 畫素電壓變化(Voltage Offset)。,畫素電壓,16,1. 臨界電壓：Vth 2. 電子遷移率(Mobility)：un Vp=unE 3. Ion/Ioff 4. 開口率(Aperture Ratio) (1)TFT；(2)Gate&Source 線；(3)Cst； (4)上下基板對位誤差；(5)Disclination of LC 5. 因Cgs產生之DC Voltage Offset