16固体中的电子

1、固体的电子，第16章，16-1晶体的特征和说明，固体是晶体，非晶，准晶体，1，晶体的特征，基本特征固定熔点和最小内部能量。，体心立方体，能量越高，相邻能级之间的能量差越小。电子离开原子后，进入离子状态。此时，能量已经没有一级差异，在能量地图上形成能量连续区域，此时电子可以自由移动，成为自由电子。1)电子的共价化，对大量原子有规律地排列成晶体时：原子徐璐影响，形成周期性的电势势壁垒，因为原子很近，每个电子不仅受到自身原子核的作用，还受到相邻原子核的影响，内层电子因原子核的牢牢束缚，所以影响很小。与价电子或外部电子不同，轨道上的大小和相邻原子之间的距离是相同的数量级，因此势壁垒的高度变小了。在牙齿

2、的情况下，由于隧道效应，每个原子的电子可以从一个原子进入另一个原子。也就是说，电子不再属于每个原子，而是属于整个原子。这是电子的共价化，共价化电子能级，内战者能级，电子的共价化是量子效应。2)形成能带，共享化电子能级，电子共享化，原始能级变化，1928年Bloch(f，Bloch)利用薛定谔方程等将能级分裂解释为能级等。例如，一维线性郑秀晶点阵：势场周期性设置，Bloch是解决方案的形式对应薛定谔方程：振幅函数，只有一个重要结论：能级分割带，带之间的禁带，为什么会出现这种能量状态？N个相同的自由原子时，每个原子内的电子都是相同的分立能级，当N个原子接近时，原来绑定在单个原子上的电子不能存在于能

3、级中(违反pauli不相容原则)，因此只能被N个非常接近的能级(10-22ev)整除。现有实验验证：1核磁共振磁变形技术，2晶体软X-张艺兴频谱技术，3高能电子束入晶体，晶体中的电子从晶体中跳出后，电子从高能级向下跳跃产生的辐射能量范围在10多ev，这就是能量带的宽度。3)在导体、半导体、绝缘体、导电中，晶体：导体：绝缘体：半导体：任何晶体中含有大量电子，但导电性有很大区别。牙齿事实在1933年英国物理学家威尔逊基于乐队理论之前很久没有解释，1)万代和工科大学，确切地说：电子充电能级跟随费米-狄拉克分布，但在室温下遵循以下两个茄子原则：即涤纶不相容原则；能量最非原理，常温下电子充电可能伴随以下

4、情况。万带-每个能级两个自旋相反的电子填充的带，工科大学-每个能级都填充了电子的带，半万带-能级电子未填充的带，电场作用下每个带的性质：没有其他方向运动。万代中电子不能形成电流。半万台电子在护套的作用下可以跳跃到高水平的能级形成电流。因此，也称为导带。在另一种情况下，一些碱金属、价电子偶、价电子带已经有2N个电子，但仍能导电。是因为万代、金代、理工大学、万代、万代，当这种金属结合成晶体时，能级分裂大，价电子带与架空台重叠，共同形成不满台。一起组成投诉台，在外场的刺激下，电子从万台向上跳跃，将产生传记电流Ie，空穴电流IP，2)导体，半导体，绝缘体的波段结构。导体：半万台或上空有与万台相连或重叠

5、的乐队。半万台，万台，万台，工科大学，万台，工科大学，嵌套，连接，绝缘体：只有万台和工科大学，金台宽大，金台，半导体：只有万台和工科大学，金台宽小，二，二，二，可以带来的一般规律：2。外层电子的条带越大，E就越大。1 .原子间距越小，能带越宽，e就越大。3 .两个可以重叠。禁止：两个相邻频带之间可能存在不允许的能量间隙。电子在能带中的分布：1，每个能带中可容纳的电子数等于该能带中可容纳的电子数的N倍(N等于构成晶体的原子数)。2，正常情况下，总是优先填充低能量能级。全波段：每个能级都充满电子的波段。万代中的电子不参与传导过程。价带：价电子能级分裂形成的乐队。价带可能是最高的，也可能是充满的，也

6、可能是不满意的。空带：每个原子的激发态能级相应的能量带。正常情况下没有电子填充。3，当导体、绝缘体、温度接近热力学温度零度时，半导体和绝缘体都有分隔万代和空带的禁带。一种好的金属导体，它顶部的带子或电子没有填充，或已填充但已填充的带子与空带子重叠。大卫亚设，美国电视电视剧，绘画)第四，半导体，本征半导体，是指纯粹的半导体。杂质半导体是指混合了杂质的半导体。电子导电半导体的载流子是电子、公共导电半导体的载流子，是空穴(万大电子跃迁后万大出现的空位)，1，N型半导体，4价元素中有少量5价元素混合形成N型半导体。2，P型半导体，4在元素中混合少量的3价元素，形成P型半导体。3，p-n结的形成，N区的电子扩散到P区，P区的空穴扩散到P区，P型半导体和N型半导体的交叉介面附近产生了电场。这称为内部电场。p-n结的单向导电，在p-n结的P型区域连接电源阳极，在N区连接阴极，阻断层势壁垒减弱缩小，空穴向N区移动有利，电子向P区移动，形成正向电流。在p-n接头的p型区域连接电源阴极，在n区域连接正极。壁垒层势壁垒增加，宽度增加，空穴对N区移动不利，电子对P区移动也不利。4，半导体的其他