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文档简介

1、第3章半导体内存及其接口，1，本章的主要内容：1.半导体内存的概要2 .各种RAM/ROM的基本构成和典型的芯片，第3章半导体内存及其接口，2，微机的存储系统是金字塔型的构造。 3章半导体内存及其接口，3，3.1半导体内存的概要1，半导体内存的分类1 .按制造工艺分类(1)双极型：速度快，集成度低，功耗大。 (2)MOS型：速度慢，集成度高，功耗低。 2 .使用属性(1)中ram :可读写入，电源切断丢失。 (2)ROM :正常只读，不丢失停电。第三章半导体存储器及其接口、4、第三章半导体存储器及其接口、5、2、半导体存储芯片的一般结构、第三章半导体存储器及其接口、6、1 .存储体：存储芯片的

2、主要部分，存储信息。 (1)各存储单元具有唯一的地址。 (2)芯片的存储容量2MN M :芯片的地址线条数n :芯片的数据线条数、第3章半导体存储器及其接口、7、2 .地址解码电路：根据输入的地址代码选择芯片内的某特定的存储单元。 (1)单解码结构(2)双解码结构、第3章半导体存储器及其接口、8、第3章半导体存储器及其接口、9、3 .芯片选择和读写控制逻辑：选择存储器芯片，控制读写动作。 (1)如果芯片选择CS或CE有效，则可以对该芯片进行读取-写入操作。 (2)输出OE控制读取操作。 有效时，芯片内数据输出(3)写入WE控制写入动作。 有效时，数据进入芯片、第3章半导体存储器及其接口、10、

3、2、半导体存储器的主要技术指标1 .存储器容量：2.存取速度： (1)存取时间(Access Time)TA :从存取指令(2)存取周期(access cycle ) 3 .制作工艺：第三章半导体存储器及其接口，11、32随机存取存储器(RAM )为静态RAM和动态RAM两种一样，静态RAM(SRAM) 1.静态RAM的特征： SRAM一般为“字第3章半导体存储器及其接口、12、2 .典型的芯片： SRAM 2114 (1)的存储容量为10244。 (2)18管脚：1)10条地址线A9A0 2)4条数据线I/O4I/O1 3 )芯片选择CS 4)读写WE，第3章半导体存储器及其接口，13，2，动态RAM(DRAM) 1) (2)DRAM一般2 )需要用8个存储器芯片构成1字节单位。 3 )每个字节存储单元有一个地址。 第3章半导体存储器及其接口，14，2 .典型的芯片： DRAM芯片4116 (1)的存储电容是16K1 (2)16管脚：1)7条地址线A6A0 2)2条数据线DIN和DOUT 3)的行地址门ras的二第三章半导体存储器及其接口，16、3、EPROM上部有石英窗口，可透过紫外线消除原来的信息。 四、EEPROM是电源接通方法，进行在线(不需要拔出)改写。 第3章半导体存储器

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