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文档简介

1、华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD白皮书文档版本01发布日期2018-10-31华为技术 版权所有 华为技术 2018。 保留一切权利。非经本公司书面许可,任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部,并不得以任何形式传播。 商标声明和其他华为商标均为华为技术的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标,由各自的所有人拥有。 注意您购买的产品、服务或特性等应受华为公司商业合同和条款的约束,本文档中描述的全部或部分产品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定,华为公司对本文档内容不做任何明

2、示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因,本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定,本文档仅作为使用指导,本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。 华为技术 地址:深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼邮编:518129 网址:客户服务邮箱: 客户服务电话: 4008302118文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术i 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书前言前言概述本文档详细介绍华为新一代 NVM

3、e PCIe 固态硬盘ES3000 V5 的系统设计、产品特点和产品规格等,让用户对ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 有一个深入细致的了解。 读者对象本文档(本指南)主要适用于以下工程师: 技术支持工程师 维护工程师 用户 符号约定在本文中可能出现下列标志,它们所代表的含义如下。 符号说明用于警示紧急的危险情形,若不避免,将会导致人员死亡或严重 的人身伤害。 用于警示潜在的危险情形,若不避免,可能会导致人员死亡或严 重的人身伤害。 用于警示潜在的危险情形,若不避免,可能会导致中度或轻微的 人身伤害。 用于传递设备或环境安全警示信息,若不避免,可能会导致设备损坏、数据丢失、设备性能

4、降低或其它不可预知的结果。 “注意”不涉及人身伤害。 用于突出重要/关键信息、最佳实践和小窍门等。 “说明”不是安全警示信息,不涉及人身、设备及环境伤害。 文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术iii 修改记录文档版本发布日期修改说明022018-08-21修改了基本规格章节。 012018-07-06第一次正式发布。 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书目 录目录前言ii1 产品简介11.1 概述11.2 系统设计42 产品特点52.1 性能特点52.2 可靠性特点52.3 可维护性特点6

5、3 外观结构73.1 外观73.1.1 2.5 寸盘带拉手条的前视图73.1.2 SSD 卡前视图83.2 结构93.2.1 2.5 寸盘93.2.2 SSD 卡104 产品规格114.1 基本规格114.1.1 ES3500P V5114.1.2 ES3600P V5134.1.3 ES3600C V5154.2 容量174.3 Quality of Service (QoS)184.4 IOPS 一致性194.5 热插拔204.6 NVMe 特性204.7 环境条件214.8 散热规格224.8.1 限制条件22文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术iv 华为 ES30

6、00 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书目 录文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术 v4.8.2 散热规格234.8.3 温监及过温保护235 信号管脚255.1 2.5 寸盘信号管脚定义255.2 SSD 卡信号管脚定义276 管理306.1 带内管理306.2 带外管理307 安全327.1 安全架构327.2 安全攻击及威胁327.3 安全策略及措施338 维护359 认证3610 DVT 和质量3710.1 信号一致性3710.1.1 PCIe3710.1.2 输入时钟3810.2 协议兼容性381

7、0.2.1 PCIe3810.2.2 NVMe3810.2.3 SNMP3910.3 功能与协同测试3910.4 可靠性40 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书 1 产品简介 1 产品简介1.1 概述 1.2 系统设计 文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术4 1.1 概述华为ES3000 V5 系列 NVMe PCIe SSD 是企业级高性能的存储及加速部件,具有性能高、响应快、可靠性高等特点,极大的提升存储 IO 性能。ES3000 V5 兼容业界主流操作系 统和虚拟化系统,可以提升数

8、据库、虚拟化、HPC、搜索等多种应用的业务性 能,帮助客户降低系统TCO。 ES3000 V5 的数据接口是PCIe 3.0 x4,包含 2 个系列的产品,分别是: ES3500P V5 系列:标准的 2.5 寸盘,接口形态是 SFF-8639; 适合于读密集型的业务场景。 ES3600P V5 系列:标准的 2.5 寸盘,接口形态是 SFF-8639; 适合于读写混合的业务场景。 ES3600C V5 系列:标准的半高半长PCIe 卡; 适合于读写混合的业务场景。 ES3000 V5 提供丰富的单品容量和规格,满足不同应用场景需求。 ES3500P 系列提供单盘容量:1000GB、2000G

9、B、4000GB、8000GB ES3600P 系列提供单盘容量:800GB、1600GB、3200GB、6400GB ES3600C 系列提供单盘容量:800GB、1600GB、3200GB、6400GB ES3000 V5 外观如下所示。 图1-1 ES3500P V5 图1-2 ES3600P V5图1-3 ES3600C V51.2 系统设计ES3000 V5 的系统设计特点如下: 采用华为自研的Hi1812E SSD 控制器,能充分发挥控制器的性能潜力。Hi1812E 是一款基于华为SSD FTL 算 DPC 纠错算法而设计的 ASIC 控制器,支持 1.3 版本NVMe 标准,主要

10、特点是高性能、低功耗。 基于Hi1812E,ES3000 V5 构造了创新的NVMControl 技术集,支撑 SSD 产品的高性能、高可靠特性。 增强的设备管理功能。标准的NVMe 接口特性,可以满足操作系统免驱,可做OS 盘。提供完善的热插拔功能,满足用户简单维护的需求。满足NVMe 盘标准的带外管理功能,与华为服务器配合,让在网设备健康状态监测更智能。 ES3000 V5 的系统架构如图 1-4 所示。 图1-4 ES3000 V5 系统架构 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书2 产品特点 2 产品特点

11、2.1 性能特点 2.2 可靠性特点 2.3 可维护性特点 2.1 性能特点 采用高性能的华为 Hi1812E ASIC SSD 控制器。 支持NVMe 标准,多队列 IO 技术提升 SSD 性能及QoS 表现。 创新NVMControl 技术,保障产品高性能和高可靠。 2.2 可靠性特点 增强的 LDPC 纠错算法:提供比 Flash 颗粒要求更高的纠错能力,为设备的可靠性带来有效的保证。 内置类 RAID 算法:基于智能的类RAID 算法,当介质数据出现错误后,可以恢复数据。 Flexible RAID 算法:能在发生 Flash 器件失效后,将主动恢复故障 Flash 中的数据并继续对数

12、据进行RAID 保护。 智能磨损平衡技术:智能均衡 Flash 颗粒磨损压力,有效延长设备的使用寿命。 高级 Flash 访问技术:组合应用 Flash 颗粒的Read retry 和 Adaptive read 技术,有效保证数据的有效性。 智能 FSP 算法:结合 3D TLC 介质特性,通过智能 FSP 算法提供更快更可靠的数据存储服务。 数据巡检技术:周期性的巡检数据,提前预防错误的发生。 支持掉电保护:当服务器异常下电时,确保硬盘内的数据不丢失。 端到端数据保护:支持用户通过 DIF 域进行数据保护,数据在盘片内部各模块间传输时均有校验保护。 文档版本 01 (2018-10-31)

13、版权所有 华为技术6 2.3 可维护性特点 支持带内的在线升级,方便客户进行日常维护。 支持NVMe 标准的带外管理,能获取型号、容量、温度、寿命、健康状态等设备信息,图形界面让管理更简单。 完备的命令行管理功能,用户可以通过各种命令进行日常的设备管理。 资产管理功能,提供生产日期、序列号等信息,方便资产管理。 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书3 外观结构 3 外观结构3.1 外观 3.2 结构 文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术10 3.1 外观ES3000 V5 包含有标准的 2

14、.5 寸硬盘的产品,适合安装在机架服务器等通用服务器内。 3.1.1 2.5 寸盘带拉手条的前视图图3-1 ES3500P V5 / ES3600P V5 硬盘框拉手条前视图ES3000 V5 通过硬盘框提供工作状态指示灯功能。图 3-1 中的琥珀色/蓝色指示灯是故障指示灯,绿色指示灯是工作指示灯。灯的颜色跟硬盘框指示灯设计强相关。当盘工作在华为服务器中的时候,指示灯定义如下: 表3-1 SSD 盘状态指示灯定义Activity 指示灯(绿色灯)Fault 指示灯(琥珀色/蓝色灯)状态offoffNVMe SSD 盘不在位 onoffNVMe SSD 盘在位且无故障 2Hz 闪烁 offNVM

15、e SSD 盘正在进行读写操作 off2Hz 闪烁 NVMe SSD 盘正处于热插过 Activity 指示灯(绿色灯)Fault 指示灯(琥珀色/蓝色灯)状态程中 off0.5Hz 闪烁 NVMe SSD 盘已完成热拔流程,允许被拔出 on/offonNVMe SSD 盘故障 3.1.2 SSD 卡前视图图3-2 ES3600C 卡前视图表3-2 指示灯说明1Active 指示灯2Fault 指示灯 表3-3 SSD 卡状态指示灯定义Active 指示灯(绿色)Fault 指示灯(黄色)含义灭 灭 PCIe 卡处于未上电状态 灭 亮 PCIe 卡固件加载失败 灭 闪烁(0.5Hz) PCIe

16、 正在初始化 亮 灭 NVMe 盘在位 闪烁(2Hz) 灭 NVMe 盘处于读写状态 亮 亮 设备处于故障状态 3.2 结构备注: 所有的尺寸量度都是毫米.3.2.1 2.5 寸盘X LengthY WidthZ Height100.2+/-0.369.85+0.2/-0.314.7+/- SSD 卡图3-3 SSD 卡尺寸 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书4 产品规格 4.1基本规格 4.2容量 4.3Quality of Service (QoS)4.4IOPS 一致性 4.5热插拔 4

17、.6NVMe 特性 4.7环境条件 4.8散热规格 4 产品规格4.1 基本规格4.1.1 ES3500P V5表4-1 ES3500P V5 规格 1(LBA2 format:512B)特征规格型号 HWE52P431T0 L002NHWE52P432T0 L002NHWE52P434T0 L002NHWE52P438T 0L002N名称 ES3500P V5- 1000ES3500P V5- 2000ES3500P V5- 4000ES3500P V5- 8000形态 2.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe

18、3.0容量 1000 GB32000 GB4000 GB8000 GBFlash 颗粒类型 3D TLC3D TLC3D TLC3D TLC文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术24 特征规格顺序读带宽 (MB/s)43,5003,5003,5003,500随机 4KB 读 IOPS(稳态) 5420,000740,000825,000825,000平均读延时 1QD( s) 696969688顺序写带宽 (MB/s) 1,0001,9003,2002,600随机 4KB 写 IOPS(稳态/最大)763,00090,000110,000150,000平均写延时 1QD(

19、s) 17151514混合 (R/W=7/3)随机 4KB IOPS(稳态) 130,000190,000265,000330,000写操作寿命 8(PBW) 1.825 PB3.65 PB7.3 PB14.6 PBDWPD(JESD219)91111平均功耗 (Idle, Active) 105 W,13 W5 W,13.8 W5.5 W,18.8 W5.7 W,21 W重量(g) 182掉电保护 是 颗粒失效保护 是 Trim是 平均无故障时间(MTBF) 250 万小时 年失效率 (AFR) 0.35%特征规格误码率 (UBER) 10-18数据保存时间 (掉电)1140 3 个月 新盘

20、做备件时数据保存时间 (掉电)1240 12 个月 备注: 1. 性能规格是在最大功耗条件下测试的值。 2. LBA(Logical Block Addressing,逻辑块寻址)是描述存储设备上数据所在区块的一种通用机制,一般用在硬盘上。LBA 是一种特殊简洁的线性寻址机制,地址块被用一个整数来索引,比如第一个块表示为LBA 0,第二个为 LBA 1,等等。 3.GB = 1,000,000,000 Byte。 4. MB/s = 1,000,000 Bytes/second。性能是使用FIO 工具在 CentOS 7.0 系统上用 1 线程 512QD 1MB(1,048,510 byte

21、s)顺序读的结果。顺序写带宽类似。 5. 使用 FIO 工具在 RHEL 7.0 系统上用 8 线程 64QD 4KB 随机读在稳定态的结果。 6. s = Microsecond。1 线程 1QD 随机 4KB 读的平均延迟。平均写延迟类同。 7. 使用 FIO 工具在 RHEL 7.0 系统上用 8 线程 64QD 4KB 随机写在稳定态的结果。 8. 1PB = 1015 Bytes。写操作寿命是在 4KB IO size 和 4KB 对齐的测试条件下的结果。 9. DWPD:JESD219 标准下驱动器每天全盘写入次数,当用户每天全盘写入次数不超过规格次数值时,可持续使用 5 年,否则

22、将影响SSD 使用寿命。 10. Activity 功耗是在最大顺序写带宽测试条件下的结果。 11. 生命周期范围内,SSD 掉电后数据保存时间。 12. 前 3%生命周期范围内,SSD 掉电后数据保存时间。 4.1.2 ES3600P V5表4-2 ES3600P V5 规格(LBA format:512B)特征规格型号 HWE52P43800 M002NHWE52P431T6 M002NHWE52P433T2 M002NHWE52P436T4 M002N名称 ES3600P V5- 800ES3600P V5- 1600ES3600P V5- 3200ES3600P V5- 6400形态

23、2.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe 3.02.5 寸盘, PCIe 3.0特征规格容量 800 GB1600 GB3200 GB6400 GBFlash 颗粒类型 3D TLC3D TLC3D TLC3D TLC顺序读带宽 (MB/s) 3,5003,5003,5003,500随机 4KB 读 IOPS(稳态) 420,000740,000825,000825,000平均读延时 1QD( s) 96969688顺序写带宽 (MB/s) 1,0001,9003,2003,050随机 4KB 写 IOPS(稳态/最大) 115,000195,0

24、00300,000250,000平均写延时 1QD( s) 15141415混合(R/W=7/3)随机 4KB IOPS(稳态) 195,000320,000435,000435,000写操作寿命 (PBW) 4.38 PB8.76 PB17.52 PB35.04 PBDWPD(JESD219) 3333平均功耗 (Idle, Active) 5 W,13 W5 W,13.8 W5.5 W,18.8 W5.7 W,21 W重量(g) 182掉电保护 是 颗粒失效保护 是 Trim是 平均无故障时间(MTBF) 250 万小时 年失效率 (AFR) 0.35%特征规格误码率 (UBER) 10-

25、18数据保存时间 (掉电) 40 3 个月 新盘做备件时数据保存时间 (掉电) 40 12 个月 备注: 详细参考ES3500P V5 的规格备注。 4.1.3 ES3600C V5表4-3 ES3600C V5 规格(LBA format:512B)特征规格型号 HWE56P43800 M002NHWE56P431T6 M002NHWE56P433T2 M002NHWE56P436T4 M002N名称 ES3600C V5- 800ES3600C V5- 1600ES3600C V5- 3200ES3600C V5- 6400形态 HHHL PCIe卡, PCIe 3.0HHHL PCIe卡

26、, PCIe 3.0HHHL PCIe卡, PCIe 3.0HHHL PCIe卡, PCIe 3.0容量 800 GB1600 GB3200 GB6400 GBFlash 颗粒类型 3D TLC3D TLC3D TLC3D TLC顺序读带宽 (MB/s) 3,5003,5003,5003,500随机 4KB 读 IOPS(稳态) 420,000740,000825,000825,000平均读延时 1QD( s) 96969688顺序写带宽 (MB/s) 1,0001,9003,2003,050随机 4KB 写 IOPS(稳态/最 115,000195,000300,000250,000特征规格

27、大) 平均写延时 1QD( s) 15141415混合(R/W=7/3)随机 4KB IOPS(稳态) 195,000320,000435,000435,000写操作寿命 (PBW) 4.38 PB8.76 PB17.52 PB35.04 PBDWPD(JESD219) 3333平均功耗 (Idle, Active) 5 W,13 W5 W,13.8 W5.5 W,18.8 W5.7 W,21 W重量(g) 182掉电保护 是 颗粒失效保护 是 Trim是 平均无故障时间(MTBF) 250 万小时 年失效率 (AFR) 0.35%误码率 (UBER) 10-18数据保存时间 (掉电) 40

28、3 个月 新盘做备件时数据保存时间 (掉电) 40 12 个月 备注: 详细参考ES3500P V5 的规格备注。 4.2 容量ES3500P V5User Addressable Sectors in LBA Mode1000GB1,953,525,1682000GB3,907,029,1684000GB7,814,037,1688000GB15,628,053,168备注: 1GB = 1,000,000,000 bytes。 1 sector = 512 bytes 或者 512 + 8 bytes。 ES3600P V5User Addressable Sectors in LBA M

29、ode800GB1,562,824,3681600GB3,125,627,5683200GB6,251,233,9686400GB12,502,446,768备注: 1GB = 1,000,000,000 bytes。 1 sector = 512 bytes 或者 512 + 8 bytes。 ES3600C V5User Addressable Sectors in LBA Mode800GB1,562,824,3681600GB3,125,627,5683200GB6,251,233,9686400GB12,502,446,768备注: 1GB = 1,000,000,000 bytes

30、。 1 sector = 512 bytes 或者 512 + 8 bytes。 4.3 Quality of Service (QoS)表4-4 ES3500P V5 QoS(LBA format:512B)SpecificationUnitES3500P V5QD = 11000GB2000GB4000GB8000GBQualityof Service1,2(99%)Reads s109109109128Writes s16141414Qualityof Service1,2(99.99%)Reads s166182223197Writes s19171717表4-5 ES3600P V5

31、 QoS(LBA format:512B)Specification1,2UnitES3600P V5QD = 1800GB1600GB3200GB6400GBQualityof Service1,2(99%)Reads s109109109128Writes s14141416Qualityof Service1,2(99.99%)Reads s142157206239Writes s100171717表4-6 ES3600C V5 QoS(LBA format:512B)Specification1,2UnitES3600C V5QD = 1800GB1600GB3200GB6400GBQ

32、ualityof Service1,2(99%)Reads s109109109128Writes s14141416Qualityof Service1,2(99.99%)Reads s142157206239Writes s100171717备注: 1. QoS 是使用 FIO 工具对整盘进行 4KB 随机 IO 待 IO 稳定后统计的结果。 2. 队列深度为 1 时进行 4K 随机 IO 读写测试,统计 IO 命令的响应时间。 4.4 IOPS 一致性表4-7 ES3500P V5 IOPS 一致性(LBA format:512B)Specification1UnitES3500P V5

33、1000GB2000GB4000GB8000GBRandom 4KB Read (up to)2,3%98989898Random 4KB Write (up to)2,3%95959595表4-8 ES3600P V5 IOPS 一致性(LBA format:512B)Specification1UnitES3600P V5800GB1600GB3200GB6400GBRandom 4KB Read (up to)2,3%98989898Random 4KB Write (up to)2,3%92959592表4-9 ES3600C V5 IOPS 一致性(LBA format:512B)S

34、pecification1UnitES3600C V5800GB1600GB3200GB6400GBRandom 4KB Read (up to)2,3%98989898Random 4KB Write (up to)2,3%92959592备注: 1. 性能测试过程中每秒采样一次 IOPS,将采样数据从大到小依次排序,取前 99.9% 数据中的最小 IOPS 与整个测试过程中的平均 IOPS 进行比较;性能数据是在整盘LBA 范围内进行测试待 IO 到达稳定态后统计的。 2. IOPS 一致性是使用FIO 工具在 8 线程 64QD 下测试 4KB 随机 IO 的结果。 3. 4KB = 4

35、,096 bytes4.5 热插拔热插拔分为以下两种: 式热插拔:用户可以带电直接插入 SSD 设备;拔出设备前,需先完成相应的操作准备步骤。 暴力热插拔:用户可以直接插入、拔出 SSD 设备。 进行暴力热插拔操作前,请先确认以下条件: ES3000 V5 所在服务器为V5 服务器 BIOS 已开启VMD 功能 ES3500P V5、ES3600P V5 是 2.5 寸标盘形态的SSD,可以支持式热插拔和暴力热插拔。 ES3600C V5 可以支持式热插拔。 4.6 NVMe 特性ES3000 V5 SSD 支持NVMe 1.3 协议。除了基本的特性和强制命令,还支持可选特性如下: 多 Nam

36、e Space:支持最大 64 个Name Space。 4.7 环境条件表4-10 2.5 寸盘应用环境条件环境指标项说明产品 ES3500P V5,ES3600P V5工作温度 存储温度:-40 +85 工作温度:壳温 0 701环境温度:0 55 海拔高度 工作状态:-305m 5486m 非工作状态:-305m 12192m海拔从 1800m 开始每升高 220m,工作温度降低 1 度。 湿度 工作状态:5% 95%非工作状态:5% 95%冲击 工作状态:1000G 加速(最大),时长 0.5ms 非工作状态:1000G 加速(最大),时长 0.5ms振动 工作状态:最大 2.17GR

37、MS(5-700Hz) 非工作状态:最大 3.13GRMS(5-800Hz) 备注: 1. 在此工作温度下要求环境温度和风速满足表 4-12 的情况。 表4-11 SSD 卡应用环境条件环境指标项说明产品 ES3600C V5工作温度 存储温度:-40 +85 工作温度:壳温 0 701环境温度:0 55 海拔高度 工作状态:-305m 5486m 非工作状态:-305m 12192m海拔从 1800m 开始每升高 220m,工作温度降低 1 度。 湿度 工作状态:5% 95% 非工作状态:5% 95%冲击 工作状态:31G 加速,时长 2ms,只需要对设备使用面进行一次冲击 环境指标项说明

38、非工作状态:70G 加速,时长 2ms,只需要对设备使用面进行一次冲击 振动 工作状态:0.27GRMS(5-500Hz),3 轴向,每个轴向 10 分钟 非工作状态:1.49GRMS(10-500Hz),3 轴向,每个轴向 15 分钟 4.8 散热规格4.8.1 限制条件ES3000 V5 2.5 寸 SSD 盘在制定风速下能工作在典型温度的环境中。详细的风速要求参考表 4-12。 ES3000 V5 2.5 寸 SSD 盘在支持典型的机架服务器设计的前面板抽风式散热(如图 4- 1)的同时还支持横向气流方向条件下工作。 图4-1 空气流向4.8.2 散热规格表4-12 2.5 寸盘散热要求

39、名称热设计功耗气流速度工作条件ES3600P V5-80013W155LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3600P V5-160013.8W155LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3600P V5-320018.8W237LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3600P V5-640021W237LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3500P V5-100013W155LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3500P V5-200013.8W155LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3500P V5-40001

40、8.8W237LFM650LFM环温:040 环温:055 ES3500P V5-800021W237LFM650LFM环温:040 环温:055 表4-13 SSD 卡散热要求名称热设计功耗气流速度工作条件ES3600C V5-80013W300LFM环温:055 ES3600C V5-160013.8W300LFM环温:055 ES3600C V5-320018.8W300LFM环温:055 ES3600C V5-640021W450LFM环温:055 4.8.3 温监及过温保护ES3000 V5 检测 SSD 控制器的结点温度和 flash 颗粒的环境温度。SMART 信息中会记录最高温

41、度和过温的次数及总时间。 ES3000 V5 采用的NAND flash 可支持的最高结温是 85。根据测试:NAND flash 温度在 78以下,SSD 产品能在整个生命周期内可靠工作;超过 78后,NAND flash 还能正确存取数据,但长时间运行在该温度 1 下会影响 SSD 产品的生命周期;高于85,则对数据的正常存取有影响。因此,华为设计了如下温控策略: A,带内,固件通过检测盘内温度来做预警(78)和限速(85); B,带外,BMC 通过检测盘内NAND flash 芯片的最高温度来进行风速调节,尽量避免触发 SSD 的带内温控措施。 在带内,ES3000 V5 的固件使用了

42、2 级预警机制: 第一级告警阈值是 78。当温度达到该值,设备就发告警信息来提醒用户设备过热。第二级告警阈值是 85。当温度达到该值,固件就会限制设备的性能。 当温度达到第二级阈值且过温时间超过 6 分钟,ES3000 V5 就会进一步限制设备的读写性能,降低功耗,避免温度超过设计规格。当温度降低到安全的温度回升水线后, ES3000 V5 会取消性能限制设置。 表4-14 过温保护方案GradeThresholdActionOT Level 12综合温度:78 告警 RT Level 13综合温度:73 解除告警 OT Level 22综合温度:85 告警并限制性能 RT Level 23综

43、合温度:78 解除性能限制,但仍然告警 备注: 1. SSD 超 85度运行时间不超过 6 分钟 2. OT : Over Temperature3. RT : Recovery temperature 华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书华为 ES3000 V5 NVMe PCIe SSD 白皮书5 信号管脚 5 信号管脚5.1 2.5 寸盘信号管脚定义 5.2 SSD 卡信号管脚定义 5.1 2.5 寸盘信号管脚定义2.5 寸盘接口是标准的 SFF-8639,PCIe 信号分配如下: 图5-1 PCIe 信号分配接口的管脚定义如下。 表5-1 管脚定义 (兼容 SF

44、F-8639 标准)PinNameDescriptionPinNameDescriptionS1GNDGroundE7RefClk0+ePCIe Primary RefClk+S2NCE8RefClk0-ePCIe Primary RefClk-S3NCE9GNDGround文档版本 01 (2018-10-31)版权所有 华为技术29 PinNameDescriptionPinNameDescriptionS4GNDGroudE10PETp0ePCIe 0 Transmit+S5NCE11PETn0ePCIe 0 Transmit-S6NCE12GNDGroundS7GNDGroundE13

45、PERn0ePCIe 0 Receive-E1REFCLK1+Reference clock port B(not used)E14PERp0ePCIe 0 Receive+E2REFCLK1-Reference clock port B(not used)E15GNDGroundE33.3Vaux3.3V for SM busE16RSVDReservedE4ePERst1#ePCIe Rest(port B)(not used)S8GNDGroundE5ePERst0#ePCIe Rest(port A)S9NCE6RSVD(Vend or)Reserved(ve ndor)S10NCP1

46、NCS11GNDGroundP2NCS12NCP3NCS13NCP4IfDet#Interface Detect(Was GND-percharge)S14GNDGroundP5GNDGroundS15RSVDReservedP6GNDGroundS16GNDGroundP7NCS17PETp1ePCIe 1 Transmit +P8S18PETn1ePCIe 1 Transmit -P9S19GNDGroundP10PRSNT#Presence(Dri ve type)S20PERn1ePCIe1 Receive-PinNameDescriptionPinNameDescriptionP11

47、ActivityActivity(out put)/SpinupS21PERp1ePCIe1 Receive+P12GNDHot Plug GroundS22GNDGroundP1312VPrecharge All -12VOnly power for ePCIe SSDS23PETp2ePCIe 2 Transmit+P14S24PETn2ePCIe 2 Transmit-P15S25GNDGroundS26PERn2ePCIe2 Receive-S27PERn2ePCIe2 Receive+S28GNDGroundE17PETp3ePCIe 3 Transmit +E18PETn3ePCIe 3 Transmit -E19GNDGroundE20PERn3ePCIe 3 Receive-E21PERp3ePCIe 3 Receive+E22GNDGroundE23SMClkSM-Bus ClockE24SMDatSM-Bus DataE25DualPortEn#ePCIe 2x2 Select5.2 SSD 卡信号管脚定义Side BSide APinNameD

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