第2章 stm8s系列mcu芯片内部结构

1、PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.1 STM8S系列MCU性能概述2.2 STM8S系列MCU内部结构2.2.1 STM8 内核CPU2.2.2 STM8S封装与引脚排列2.3 通用I/O口GPIO(General Purpose I/O Port)2.3.1 I/O引脚结构2.3.2 I/O端口数据寄存器与控制寄存器2.3.3 输入模式2.3.4 输出模式2.3.5 多重复用引脚的选择2.3.6 I/O引脚初始化特例2.3.7 I/O引脚负载能力2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部

2、结构2.4 STM8S的电源供电及滤波2.5复位电路2.5.1 复位状态寄存器RST_SR2.5.2 外部复位电路2.6 时钟电路2.6.1 内部高速RC振荡器时钟源HSI2.6.2 内部低速RC振荡器时钟源LSI2.6.3 外部高速时钟源HSE2.6.4 时钟源切换2.6.5 时钟安全系统(CSS)2.6.6 时钟输出2.6.7 时钟初始化过程及特例习题 22018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构*下载资料提示* 由于STM8内核系列MCU芯片外设部件种类多,功能完善,因此教材中不可能一一列举,请各位同学到ST官方网站下载下列文件：1.

3、/. STM8S and STM8A microcontroller families Reference manual. RM0016( DocID14587 Rev 14 ). October 2017.2./. STM8S207xx/STM8S208xx Datasheet(Doc ID 14733 Rev 12)February 2012 ./. STM8S105 Datasheet(DocID14771 Rev 10), September 2010. /.

4、 PM0054 STM8 CPU programming manual (Doc ID 15433 Rev 8).October 2012) ./. PM0044 STM8 CPU programming manual (Doc ID 13590 Rev 3). September 2011.ST Assembler-Linker User Manual（UM0144） Sttoolset(开发工具).7.8.相应型号MCU的勘误手册，如STM8S007xx STM8S20xxx Erratasheet(DocID16125 Rev 6)2018/

5、10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.1 STM8S系列MCU性能概述 STM 8A(汽车专用系列，工作电压3.0V5.0V )STM 8内核STM 8S (通用系列，工作电压3.0V5.0V )STM 8L(低压低功耗系列，工作电压1.8V3.6V )(1) 支持16MB线性地址空间。(2) I/O引脚输入/输出结构可编程选择。包括悬空输入(也称为高阻输入、上拉输入；推挽输出、OD输出)(3) 不同引脚封装芯片，同扩展方便。(4) 抗干扰能力强，在每一输入引脚与内部总线之间均设有施密特触发器。(5) 可靠性高。(6) 外设种类多、功能完善。

6、能引脚之间没有交叉现象，硬件2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构(7) 内置了HSI(16MHz，误差为1%)、LSI(128KHz，误差为5%)两种频率的RC振荡电路。(8) 提供了基本型(内核最高工作频率为16MHz)和增强型(内核最高工作频率为24MHz)两类芯片。不过两者之间区别不大，增强型除了Flash ROM、RAM、EEPROM容量较大之外，还增加了CAN总线及第二个UART接口。(9) 运行速度快。尽管STM8S属于8位MCU，但具有16位数据传送、算术、逻辑运算指令，因此实际的数据处理速度介于8位与16位MCU芯片之

7、间。(10) 内置了高速中分辨率的10位ADC转换器，通道数与封装引脚数目有关(其中STM8L152芯片还内置了12位分辨率AD及DA转换器)。(11) 具有唯一ID号,便于软件加密。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构STM8S系列MCU芯片主要性能指标如表2-1所示。表2-1 STM8S系列MCU芯片主要性能指标2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用型号Flash ROMRAME2PR OM定时器个数(IC/OC/PWM)ADC(10bit)通道I/O串行口16位8位STM8S208XX128kB6kB2kB31165

8、2-68CAN,SPI,2UART, ISTM8S207XX32-128kB2-6kB1-2kB317-1625-68SPI,2UART,ISTM8S105XX16-32kB2kB1kB311025-38SPI,UART,ISTM8S103XX2-8kB1kB640B21416-28SPI,UART,ISTM8S903XX8kB1kB640B21728SPI,UART,ISTM8S001J38kB1kB128B2135SPI,UART,ISTM8S003XX8kB1kB128B21516-28SPI,UART,ISTM8S005XX32kB2kB128B311025-38SPI,UART,IS

9、TM8S007XX64kB6kB128B317-1625-38SPI,UART,IPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.2 STM8S系列MCU内部结构STM8S系列MCU由一个基于STM8内核的8位中央处理器、存储器(包括了Flash ROM、RAM、EEPROM)、常用外设电路(如复位电路、振荡电路、高级定时器TIM1、通用定时器TIM2及TIM3、看门狗计数器、中断控制器、UART、SPI、多通道10位ADC转换器) 等部件组成，如图2-1所示。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2018/10/20STM8S系列单

10、片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.2.1 STM8 CPU内核STM8 CPU包含了累加器A(8bit)、条件码寄存器CC(Code Condition，类似于MCS-51的程序状态字寄存器)、堆栈指针SP(16bit)、X与Y两个索引寄存器 (16bit)、程序计数器PC(24bit)等6 个寄存器(共计11个字节)，如图2-2所示。图 2-2 CPU内部寄存器2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构1. 程序计数器PC程序计数器PC为24位，这意味STM8内核CPU可直接寻址16MB 的线性地址空间。2.

11、 累加器A累加器A是一个8位的通用寄存器，常出现在算术运算、逻辑运算、数据传送指令中。3. 索引寄存器X与Y索引寄存器X、Y均是16位的寄存器。在STM8内核CPU指令系统中，主要作变址寄存器使用。4. 堆栈指针SP堆栈指针SP是一个16位的寄存器，这意味着堆栈可安排在0000000- 00FFFFH空间内任一RAM存储区中。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构堆栈起点(底部）出堆操作，如POP ASP入堆操作，如执行PUSH #$33SP堆栈终点(顶部)堆栈区操作示意图2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用0014000

12、017FFPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构5. 条件码寄存器CCCC寄存器实际上是一个8位的标志寄存器，主要包含了溢出标志 V(用于指示当前有符号数运算结果是否溢出)、负数标志N(b7位为1) 结果为零标志Z、进位标志C、半进位标志H以及当前CPU所处的优先级(包括主程序以及中断服务程序的优先级)标志I1和I0。(1) 进位标志C。在执行加法运算时，当最高位，即b7位有进位；或执行减法运算，最高位有借位时，进位标志C为1，反之为0。例如，当“ADD A, mem”加法指令执行后，进位标志 C = A7 M 7+ A7 R7 + M 7 R7(2) 半进位标志H。在进行加法运算时，

13、当b3位有进位时，H为1，反之为0。设置半进位标志H的目的是便于BCD码加法运算的调整。(3) 溢出标志V。在计算机内，带符号数一律用补码表示。在8位二进制中，补码所能表示的范围是-128+127，而当运算结果超出这一范围时，V 标志为1，即溢出；反之，为0。STM8S系列单片机原理与应用2018/10/20PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构(4) 负数标志N。当算术、逻辑、数据传送指令的执行结果为负数(特征是最高位MSB为1)时，N标志为1。(5) 零标志Z。当算术、逻辑、数据传输指令(但并非所有数据传输指令都会影响Z标志)的执行结果为零时，Z标志置1，反之为0。(6) 优先级标

14、志I1与I0。I1、I0共同确定了CPU当前所处的优先级， 如果某一中断源的中断优先级高于I1、I0定义的优先级，则该中断请求有可能被CPU响应，否则等待。I1、I0定义的优先级如表2-2所示。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构 2.2.2 STM8S封装与引脚排列不同型号的STM8S系列MCU采用LQFP-80、LQFP-64、LQFP-48、LQFP-44、LQFP-32、TSSOP20等多种封装形式。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用64引脚封装111NRST4PA3-PA64PA3-PA64PA3-PA62P

15、A1/ OSC_IN8PB0-PB78PB0-PB78PB0-PB73PA2/ OSC_OUT8PC0-PC77PC1-PC77PC1-PC78VDDIO_1 VSSIO_1 VDDIO_2 VSSIO_28PD0-PD78PD0-PD748PD0-PD74433408PE 0-PE77PE 0-PE3 ,PE 5-PE 7 398PE 0-PE76PF0, PF3-PF76PF0, PF3-PF77VDD VSS VCAP568PG0-PG72PG0-PG18PG0-PG722221119208PH0-PH7VDDA VSSA VRE F+ VRE F-188PI0-PI721 48PI01

16、13PA4-PA68PB0-PB7PB0-PB56PC1-PC3 , PC5-PC7PC1-PC78PD0-PD7PD0-PD7221785PE 0-PE2 ,PE 5-PE 62PG0-PG1111图2-4 STM8S芯片引脚逻辑符号NRSTPA1/ OSC_IN PA2/ OSC_OUTVDDIO_1SPI_NSS/ PE 5 PF4/ AIN12VDD VSS VCAPVDDA VSSA678 2376 4590NRSTPA1/ OSC_IN PA2/ OSC_OUTVDDIO_1 VSSIO_1 VDDIO_2 VSSIO_2VDD VSS VCAPVDDA VSSA238498756

17、23NRSTPA1/ OSC_IN PA2/ OSC_OUTVDDIO_1 VSSIO_1 VDDIO_2 VSSIO_2VDD VSS VCAPVDDA VSSA23842175634NRSTPA1/ OSC_IN PA2/ OSC_OUTVDDIO_1 VSSIO_1 VDDIO_2 VSSIO_2VDD VSS VCAPVDDA VSSA VRE F+ VRE F-2384987564525PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3 通用I/O口GPIO(General Purpose I/O Port)STM8S系列MCU提供多达9个通用I/O口，分别以PA、PB、PI命名(

18、各I/O口引脚数目与芯片封装引脚数目有关)。每个I/O口、同一I/O口内的任一I/O引脚电路结构完全相同，可通过编程方式设置为：不带中断(Px _ CR2)输入(Px _ DDR )悬空输入(Px _ CR1)带中断(Px _ CR2)上拉输入(Px _ CR1)读Px_IDR寄存器即可获得输入引低速(Px _ CR2)推挽输出(Px _ CR1)脚的状态输出（Px _ DDR )高速(Px _ CR2)OD输出(Px _ CR1)输出数据在Px_ODR2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用2.3.2 I/O端口数据寄存器与控制寄存器寄存器名用途含义读写特性复位初值Px_ODR锁存

19、输出数据锁存输出数据r/w(读写)00HPx_IDR引脚输入寄存器引脚输入寄存器(读该寄存器总能了解到引脚电平状态，而不管引脚处于输入还是输出状态)r(只读)00HPx_DDR输入/输出选择0-输入；1-输出r/w(读写)00HPx_CR1选择I/O引脚输入/输出外特性在输入状态下，关闭(0)/接通(1)上拉电阻；在输出状态为OD(0)/推挽(1)选择。r/w(读写)00HPx_CR2选择I/O引脚输入/输出外特性在输入状态下，禁止(0)/允许(1)外中断输入；在输出状态下，用于选择输出信号边沿斜率（0-低速；1-高速）.r/w(读写)00HPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3

20、.3 输入模式将某一引脚初始化为输入模式时,必须按下列步骤初始化引脚控制寄存器:BRES Px-DDR, #n BSET Px_CR1, #n或BRES Px_CR1, #n;Px_DDR为0(输入);Px_CR1为1(带上拉);Px_CR1为0(悬空)BSET Px_CR2, #n或BRES Px_CR2, #n;Px_CR2为1(带中断);Px_CR2为0(禁止中断输入)2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构在输入状态下，可从对应引脚输入数据寄存器Px_IDR, #n了解到引脚的电平状态。BTJT Px_IDR, #n, LOOP1

21、LOOP1:;Px_IDR寄存器对应位送进位C作为内嵌外设输入引脚使用前,必须确保引脚处于禁止中断功能的输入状态。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3.4 输出模式将某一引脚初始化为输出方式时,必须按下列步骤初始化引脚控制寄存器:BSET Px-DDR, #n BSET Px_CR1, #n或BRES Px_CR1, #n;Px_DDR为1(输出);Px_CR1为1(互补推挽);Px_CR1为0(OD，即开漏)BSET Px_CR2, #n或BRES Px_CR2, #n;Px_CR2为1(高速);Px_CR2为0(低速)201

22、8/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构在输出状态下，通过Px_ODR，#n寄存器输出数据。BCCM Px_ODR, #n;将进位标志C送对应引脚输出2. 复用输出引脚(第二输出功能)当内嵌外设处于使能状态时，对应输出引脚的Px_DDR寄存器位被强制置“1”(强制将对应引脚置为输出状态)，同时外设自动接管Px_ODR寄存器对应位，作为自己的输出锁存器。换句话说，无论引脚处于何种状态，只要相应外设使能，复用输出功能自动生效(但复用输入功能需要手工切换)。作第二输出功能使用时，可通过配置Px_CR1寄存器位，选择推挽输出还是OD输出方式；可通过配置

23、Px_CR2寄存器选择输出信号边沿斜率(高速还是低速)2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3.5 多重复用引脚的选择部分引脚具有多重复用功能，既是通用I/O引脚，同时还是两个内嵌外设的外部输入或输出引脚。例如，PB5引脚，作为GPIO时，是PB 口的b5位，即PB5引脚；同时又是ADC转换器的模拟信号输入通道5 即AIN5；还可作为I2C总线的SDA引脚。对于具有多重复用功能的引脚由选项配置字节OPT2定义(在STM8S 有8根这样的引脚)，通过选项字节OPT2选择两个外设中的一个作为第二输入或输出引脚。2018/10/20STM

24、8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3.6 I/O引脚初始化特例由于同一口上的各I/O引脚有的作输入，而有的作输出，因此可用AND、OR指令 (或位操作指令清零、置1)通过“读改写”方式对Px_DDR、Px_CR1、 Px_CR2寄存器进行设置，如LD A, PD_DDR AND A, #xxH OR A, #xxH LD PD_DDR, A;读(初始化DDR寄存器相应位);改;写LD A, PD_CR1 AND A, #xxH OR A, #xxH LD PD_CR1, A;初始化CR1寄存器相应位LD A, PD_CR2 AND A, #xxH OR

25、A, #xxH LD PD_CR2, A;初始化CR2寄存器相应位STM8S系列单片机原理与应用2018/10/20PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构不过使用位操作指令对所有引脚逐个进行配置，源程序的可读性可能会更好，也便于维护。例如：BSET PA_DDR, #3BSET PA_CR1, #3BRES PA_CR2, #3;1(输出)，假设PA3引脚作Pw_con控制信号;1(推挽);0(低速)#define Pw_con PA_ODR, #3;通过伪指令#define指令将“PA_ODR, #3”定义为字符串;Pw_con，以便在主程序中直接引用BSETPw_con;1(开始为

26、高电平)在输出状态下,对于标准负载输出引脚,Px_CR2寄存器位没有意义。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.3.7 I/O引脚负载能力根据负载能力的大小，处于输出状态的STM8S引脚分为两类：标准电流负载引脚与大电流负载(即HS)引脚，具体情况可参阅相应型号芯片的数据手册。作输出引脚(采用OD或推挽输出方式)使用时，在电源电压为5.0V情况下，任一标准负载引脚拉电流与灌电流最大值为10mA；任一大电流负载引脚拉电流与灌电流最大值为20mA；而物理上OD结构输出引脚也可以承受20mA的灌电流。2018/10/20STM8S系列单片

27、机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构图2-6 灌电流较大时的驱动方式2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用TIM 2_CH1/BEEP/PD4UART2_RX/PD6 UART2_TX/PD5TLI/PD7 TIM 2_CH2/PD3 TIM 3_CH1/PD2TIM 2_CH1/BEEP/PD4UART2_RX/PD6 UART2_TX/PD5TLI/PD7 TIM 2_CH2/PD3 TIM 3_CH1/PD2PB5/AIN5 VP BD4D/AAIN4 VP BS3S/AIN3 PB2/AIN2 PB1/AIN1PB0/AIN0PB5/AIN5 VP B

28、D4D/AAIN4 PVBS3S/AIN3 PB2/AIN2 PB1/AIN1PB0/AIN032 31 30 29 28 27 26 2532 31 30 29 28 27 26 25109111213141516TIM 3_CH2/PD0SWIM/PD1109111213141516TIM 3_CH2/PD0SWIM/PD1+VCCD1D2D3D4D5D6ST M8S1XX-32R1R2R3R4R5R61 NRSTSPI_MISO/PC7 242 PA1/ OSC_INSPI_MOSI/PC6233 PA2/ OSC_OUTSPI_SCK/PC5224 VSST IM1_ CH4/ PC4

29、215 VCAPT IM1_ CH3/ PC3206 VDDT IM1_ CH2/ PC2197 VDDIO_1UART2_ CK/T IM1_CH1/ PC1 188 PF4/ AIN12SPI_NSS/ PE 5 17+VCC( a) 直接驱动D1D2D3D4D5D6ST M8S1XX-32U2AR1R2R3R4R5R6 12U2B1 24342 NRSTSPI_MISO/PC7 233 PA1/ OSC_INSPI_MOSI/PC622U2C4 PA2/ OSC_OUTSPI_SCK/PC521565 VSST IM1_ CH4/ PC4 206 VCAPT IM1_ CH3/ PC3

30、19U2D7VDDT IM1_ CH2/ PC2 18 988VDDIO_1UART2_ CK/T IM1_CH1/ PC1 17PF4/ AIN12SPI_NSS/ PE 5U2E1110U2F1312( b) 通过7406 或74H C04驱动PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.4 STM8S的电源供电及滤波2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构图2-8 电源线、地线以及电源滤波电容在PCB板上布局示意图2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用VREF +VDDAVSSAVREF -VDDV SSC10. 1

31、uNRSTPA1/ OSC_INYC7PA2/ OSC_OUT20PC8VSSIO_120PVSS C5VDDIO_2C6VCAPC3 0.47u 0. 47uVSSIO_20. 1uVDDC20. 1uVDDIO_1C9 4. 7uC4 0. 1uPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构实际布局特例2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.5复位电路STM8S采用低电平复位，具有9个复位源(1个外部复位源和8个内部复位源)，内部结构如图2-10所示。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列M

32、CU芯片内部结构2.5.1 复位状态寄存器RST_SR复位状态寄存器RST_SR记录了引起复位的原因，其各位含义如下：b7b6b5b4b3b2b1b0注1 STM8内核MCU芯片许多外设状态寄存位、控制寄存器位具有不同的读写特性，如下表所示，使用时一定要注意，否则达不到预期效果，甚至造成错误。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用ReservedEMCFSWIMFILLOPFIWDGFWWDGF硬件强制置为0rc_w1注1rc_w1rc_w1rc_w1rc_w1PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用特性简称说明read/wr

33、iterw软件可读、写read-onlyr软件只读write onlyw软件只写read/write oncerwo软件可读/软件只能一次写入（即复位前再次写入无效）read/clearrc_w1软件可读，写“1”实现清0read/clearrc_w0软件可读，写“0”清0read/setrs软件读后自动置1(写操作无效)read/clear by readrc_r这类状态位往往由硬件置“1”，软件读操作时自动清0。在仿真状态下，观察这类状态位获得的值总是0，原因是已被读过。如果一个状态寄存器中含有两个以上这类位，则只能通过字节读(LD或MOV)方式将整个字节读到A或RAM单元中，然后再判别。

34、而不宜用BTJT、BTJF位测试指令直接对状态寄存器中的目标位进行判别，否则CPU将自动清除该状态寄存器中具有rc_r特性的所有位。PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.5.2 外部复位电路VDDVDDR UP 40KR UP 40KRs 2K11内部复位电路内部复位电路N RSTN RSTC104CP104图2-11 STM8外部复位电路2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用BPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6时钟电路可以选择内部高速RC振荡器HSI(即High Speed Internal clock signal)输出信号(16MHz1%)、内部

35、低速RC振荡器LSI(即Low Speed Internal clock signal)输出信号(128KHz14%)、外部高速晶振HSE OSC(High Speed External crystal oscillator，晶振频率为1 24MHz)或外部高速输入信号HSE Ext(024MHz)之一作为STM8S系统的主时钟信号fMASTER(即可选择三类4个时钟源之一作为系统的主时钟信号)。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.1 内部高速RC振荡器时钟源HSI内部高速时钟HSI是振荡频率为16MHz(1%)的内部RC振荡

36、器输出信号，经可变分频器 (1、2、4、8) 分频后送主时钟切换电路，形成主时钟信号f MASTERf MASTERfCPU信号再经CPU分频器分频后作为CPU时钟信号VDDHSIEN(电源控制位)HSIDIV1:0CKM7:0芯片出厂时，HSI时钟已校准(校正电压为5.0V、环境温度为25)，芯片复位后HSI频率校正值自动装入内部校准寄存器(该寄存器属于内部寄存器，程序员不能访问)中，以保证HSI时钟频率误差小于1%。必要时用户可通过HSI时钟修正寄存器(CLK_HSITRIMR)做进一步微调。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用时钟切换电路16MHz分频器HSIRC时钟振荡器

37、CLK_HSITRIMR(频率修正)HSIRDY(HSI时钟稳定指示位)PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构频率增加频率减小-4-3-2-10123100101110111000001010011HSITRIMR2:0-8-7-6-5-4-3-2-101234567100 0100 1101 0101 1110 0110 1111 0111 1000 0000 1001 0001 1010 0010 1 011 0 011 1HSITRIMR3:02018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.2 内部低速RC振荡器时钟源LSI

38、低功耗的LSI RC时钟振荡频率为128KHz(14%)，既可作为主时钟源，也可作为在停机(Halt)模式下维持独立看门狗和自动唤醒单元(AWU)运行的低功耗时钟源。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.3 外部高速时钟源HSE复位后，待外部时钟稳定后，可以使用外部高速晶振HSE(High Speed External crystal oscillator，124MHz)或外部高速输入信号(024MHz)之一作为STM8S系统的主时钟信号，以便获得更高精度的时钟信号，如图2-14所示。P A1 / O SC _ INC122HS

39、E外部时钟信号03P A2 / O SC _ O U T10STM8S MCU 外部晶振电路STM8S MCU 外部时钟图2-14 HSE时钟电路2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用10-2P A1 / O SC _ INP A2 / O SC _ O U TP C2Y 3-20PPAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.4 时钟源切换STM8S复位后，自动使用内部高速HSI的8分频作为主时钟。待主时钟稳定后用户可根据需要切换到相应的时钟源，STM8S提供了自动切换和手段切换两种时钟切换方式。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系

40、列MCU芯片内部结构1.自动切换主时钟自动切换过程(在SWEN位为1条件下，将目标时钟识别码写入时钟切换寄存器CLK_SWR)如下：BSET CLK_SWCR, #1BSET CLK_SWCR, #2 MOV CLK_SWR, #XXH;将时钟切换寄存器CLK_SWCR的SWEN位置1，允许切换时钟;将时钟切换寄存器CLK_SWCR的SWIEN位置1，允许切换时钟成功中断(如果允许时钟切换结束中断的话);向主时钟切换寄存器CLK_SWR写入相应时钟源代码，选择目标时钟源。;E1H选择HSI时钟;D2H选择LSI时钟；B4H选择HSE时钟例如，启动后用自动方式将主时钟切换到HSE时钟的程序段如下

41、：BSET CLK_SWCR, #1BRES CLK_SWCR, #2 MOV CLK_SWR, #0B4HCLK_SW_WAIT1:;SWEN位为1，启动时钟切换;SWIEN位为0，用查询方式确定时钟切换是否已完成;目标时钟为HSE晶振;等待时钟切换中断标志SWIF有效BTJF CLK_SWCR, #3, CLK_SW_WAIT1BRES CLK_SWCR, #3BRES CLK_SWCR, #1BRES CLK_ICKR, #0;清除时钟切换中断标志SWIF; SWEN位为0，禁止时钟切换操作;关闭HSI时钟，以减小系统功耗利用类似方法也可以将系统时钟从HSE时钟切换到HSI时钟，程序段如

42、下：BSET CLK_SWCR, #1BRES CLK_SWCR, #2 MOV CLK_SWR, #0E1HCLK_SW_WAIT1:;SWEN位为1，即启动时钟切换;SWIEN位为0，即用查询方式确定切换是否已完成;目标时钟为HSI晶振;等待时钟切换中断标志SWIF有效BTJF CLK_SWCR, #3, CLK_SW_WAIT1BRES CLK_SWCR, #3BRES CLK_SWCR, #1BRES CLK_ECKR, #0;清除时钟切换中断标志SWIF; SWEN位为0，禁止时钟切换操作;关闭HSE时钟，以减小系统功耗2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.手动切换2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.5 时钟安全系统(CSS)STM8S系统提供了时钟失效检测、切换功能。当使用HSE外部晶振时钟作为系统主时钟时，如果某种原因造成HSE时钟失效， 系统将自动切换到HSI的8分频，以保证系统继续运行。2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片内部结构2.6.6 时钟输出2018/10/20STM8S系列单片机原理与应用PAN第2章 STM8S系列MCU芯片