半导体晶片抛光_第1页
半导体晶片抛光_第2页
半导体晶片抛光_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、.半导体晶片抛光利用化学抛光、机械抛光或化学机械抛光 去除晶片表面的机械损伤层并呈镜面的半导体晶片加 工的重要工序。 化学抛光是利用化学非选择性腐蚀达到表面抛光 的目的，晶片表面残留的机械损伤层少，但表面状态和 几何尺寸的精度较差。 机械抛光是靠机械摩擦达到表面抛光目的，易于 得到光亮如镜的晶片表面，晶片几何尺寸精度较高，但 残留的机械损伤层的深度受抛光种类、粒度粗细的影响。 化学机械抛光是使晶片表面与抛光料发生化学反 应，生成水溶性化合物，并通过受控的机械摩擦把化学 反应物擦去，以达到抛光的目的。二氧化硅胶体碱性化 学机械抛光是用于硅单晶片表面抛光的最常用方法。 采用该方法可以获得光亮如镜的

2、表面。 二氧化硅化学 机械抛光对硅单晶片表面的抛光机理如下 : 抛光液中 的氢氧化钠首先在硅表面发生化学反应，使硅片表面 的硅原子形成硅酸钠盐 : 51+znaoh+hzo 一 nazsio3+zh 。个 51+znaoh+zh:o 一一nazsio，干 3h: 个 并通过微细柔软的二氧化硅胶体微粒对硅片表面进行 机械摩擦，使反应产物不断地进入抛光液中。 化学腐蚀与抛光液的 ph 值有关，并随 ph 值的增 大而加剧 ; 同时，当 ph 值超过 n 时，会使 510: 胶体溶 解，从而使化学腐蚀作用大于机械摩擦作用，表面出现 腐蚀坑 ;ph 值小于 8.5 时，抛光速度减慢。因此抛光液 的 p

3、h 值一般在 9.5n 之间较为适宜。 二氧化硅胶体溶液在添加适量的次氯酸钠后常用 于 l 一 v 族化合物半导体材料如砷化稼、碑化稼等晶片 的抛光。对于锢化合物的抛光也有在二氧化硅胶体溶 液中添加;.澳化合物的。由于化合物晶片材料相对地软 和脆，机械强度不如硅晶片强，以及其晶体学解理特性 等原因，在抛光的处理过程中应选择较软的抛光垫 (布)、较轻的正向压力，以保证不损坏晶片。同时应注 意澳和氯对大气污染和对人体损害的防护和治理。 良好的抛光过程应使化学腐蚀作用与机械摩擦作 用趋于平衡。 晶片抛光在专用的抛光机上完成。晶片一般进行 单面抛光。操作时，把晶片用石蜡粘贴在载片板上，或 用特殊的衬垫靠表面张力效应使晶片吸附在载片板上，加工表面与抛光机的抛光盘接触， 抛光盘表面贴有丝绒、毛呢、绒面革或聚氨醋类毛纺布，向旋转的抛光 盘表面注入一定流量的抛光液，经化学机械加工过程 完成晶片的抛光加工。 抛光晶片的控制质量参数有 :厚度、厚度公差、总 厚度偏差、表面平整度，表征损伤层去除程度的氧化层

人人文库> 全部分类> 生活休闲 > 科普知识

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论