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文档简介

1、FEATURESPowerdissipationPCM:0.625W（Tamb=25）CollectorcurrentICM:0.5ACollector-basevoltageV(BR)CBO :40VELECTRICALCHARACTERISTICS（Tamb=25unlessotherwisespecified）CLASSIFICATIONOFHFE(1)RankBCDRange85-160120-200160-300ParameterSymbolTestconditionsMINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltageV(BR)CBOIc= 1

2、00A , IE=040VCollector-emitter breakdown voltageV(BR)CEOIc= 0.1 mA， IB=025VEmitter-base breakdown voltageV(BR)EBOIE= 100A， IC=05VCollector cut-off currentICBOVCB= 40 V ,IE=00.1ACollector cut-off currentICEOVCE= 20 V ,IB=00.1AEmitter cut-off currentIEBOVEB= 5 V， IC=00.1ADC current gain(note)HFE（1） VC

3、E= 1 V, IC= 50mA85300HFE（2） VCE= 1 V, IC= 500mA50Collector-emitter saturation voltageVCE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA0.6VBase-emitter saturation voltageVBE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA1.2VBase-emitter voltageVBEIE= 100mA1.4VTransition frequencyfTVCE= 6 V,IC= 20mAf = 30MHz150MHzS8050LT1TRANSISTOR（ NPN）SOT23F

4、EATURESPowerdissipationPCM:0.3W（Tamb=25）1. BASECollectorcurrentICM:0.5A2. EMITTERCollector-basevoltage3. COLLECTORV(BR)CBO :40VELECTRICALCHARACTERISTICS（Tamb=25unlessotherwisespecified）CLASSIFICATIONOFHFE(1)DEVICE MARKING : S8050LT1=J3YRank L H Range 100-200 200-350 ParameterSymbolTestconditionsMINT

5、YPMAXUNITCollector-base breakdown voltageV(BR)CBOIc= 100A， IE=040VCollector-emitter breakdown voltageV(BR)CEOIc= 0.1mA， IB=025VEmitter-base breakdown voltageV(BR)EBOIE=100A， IC=05VCollector cut-off currentICBOVCB=40 V , IE=00.1ACollector cut-off currentICEOVCB=20V , IE=00.1AEmitter cut-off currentIE

6、BOVEB= 5V ,IC=00.1ADC current gain(note)HFE(1)VCE=1V, IC= 50mA120350HFE(2)VCE=1V, IC= 500mA50Collector-emitter saturation voltageVCE(sat)IC=500 mA, IB= 50mA0.6VBase-emitter saturation voltageVCE(sat)IC=500 mA, IB= 50mA1.2VBase-emitter voltageVBEIE= 100mA1.4Transition frequencyfTVCE=6V, IC= 20mAf=30M

7、Hz150MHzFEATURESPower dissipationPCM:0.625W（Tamb=25）Collector currentICM:0.5ACollector-base voltageV(BR)CBO :40VELECTRICALCHARACTERISTICS（Tamb=25unlessotherwisespecified）CLASSIFICATION OF HFE(1)RankBCDRange85-160120-200160-300ParameterSymbolTestconditionsMINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltage

8、V(BR)CBOIc= 100A , IE=040VCollector-emitter breakdown voltageV(BR)CEOIc= 0.1 mA， IB=025VEmitter-base breakdown voltageV(BR)EBOIE= 100A， IC=05VCollector cut-off currentICBOVCB= 40 V ,IE=00.1ACollector cut-off currentICEOVCE= 20 V ,IB=00.2AEmitter cut-off currentIEBOVEB= 3 V， IC=00.1ADC current gain(n

9、ote)HFE（1） VCE= 1 V, IC= 50mA85300HFE（2） VCE= 1 V, IC= 500mA50Collector-emitter saturation voltageVCE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA0.6VBase-emitter saturation voltageVBE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA1.2VBase-emitter voltageVBEIE= 100mA1.4VTransition frequencyfTVCE= 6 V,IC= 20mAf = 30MHz150MHzHIGH VOLTAGE TRAN

10、SISTOR: (PNP)SOT23FEATURESDie Size0.44*0.44mmPower dissipationPCM:225mW（Tamb=25）1. BASECollector current2. EMITTERICM:0.5ACollector-base voltage3. COLLECTORV(BR)CBO :40VELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25unless otherwise specified）CLASSIFICATION OF HFE(1)RankB9CB9DB9ERange120-200160-300280-400Paramet

11、erSymbolTest conditionsMINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltageV(BR)CBOIc= 100A , IE=030VCollector-emitter breakdown voltageV(BR)CEOIc= 1 mA，IB=021VEmitter-base breakdown voltageV(BR)EBOIE= 100A，IC=05.0VCollector cut-off currentICBOVCB= 30V , IE=01.0AEmitter cut-off currentIEBOVEB= 5V，IC=0100nA

12、DC current gain(note)HFE（1） VCE= 1V, IC= 150mA120400HFE（2） VCE= 1V, IC= 500mA40Collector-emitter saturation voltageVCE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA500mVBase-emitter saturation voltageVBE(sat)IC= 500mA, IB= 50 mA1.2VBase-emitter voltageVBE(on)IC= 10mA, VCE =1V1.0V“电子爱好者”网站是一个面向广大电子爱好者、大专院校学生、中小型企业工程技术人员的电子技术应用、推广专业网站。主要内容有：电子技术应用交流，器件资料、电子设计软件下载，电子技术支

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