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2018-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案第 1 章 常用半导体器件当前页有 8 题,你已做 8 题,已提交 8 题,其中答对 8 题。1. N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。A.带负电 B.带正电 C.不带电 参考答案:C2. 将 PN 结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。A.变窄 B.变宽 C.不变 参考答案:B3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。A.增大 B.不变 C.减小 参考答案:C4. 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压 ui=10sin tV 时,输出电压最大值为 10V 的电路是( )。参考答案:C5. 电路如图所示,D1 ,D2 均为理想二极管,设 U1=10V,ui=40sintV, 则输出电压 uO 应为( )。A.最大值为 40V,最小值为 0VB.最大值为 40V,最小值为+10VC.最大值为 10V,最小值为40VD.最大值为 10V,最小值为 0V 参考答案:D6. 稳压管的动态电阻 rZ 是指( )。A.稳定电压 与相应电流 IZ 之比B.稳压管端电压变化量 UZ 与相应电流变化量 IZ 的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。A.PNP 管的集电极 B.PNP 管的发射极 C.NPN 管的发射极 D.NPN 管的基极 8.参考答案:B8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 VE=-1.7V,VB=-1.4V ,VC=5V ,则该管类型为( )。A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管 参考答案:A第 2 章 基本放大电路当前页有 10 题,你已做 10 题,已提交 10 题,其中答对 10 题。1. 如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。A.反向 B.近似等于零C.不变 D.增大 参考答案:B2. 晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏 参考答案:C3. 晶体管的电流放大系数 是指 ( ) 。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 参考答案:B4. 低频小功率晶体管的输入电阻 rbe 等于( )。A. B. C. 参考答案:B5. 某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻 RC,根据图中的数据判断该管处在( )。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( ) 。A.P 沟道耗尽型 MOS 管B.N 沟道增强型 MOS 管C.P 沟道增强型 MOS 管D.N 沟道耗尽型 MOS 管参考答案:B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压 约为( ) 。A.0V B.2V C.2V D.1V参考答案:C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在 UDS=10V,UGS=0V 处的跨导 gm 约为( )。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V参考答案:A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。A.RL B.RB C.C1 D.C2参考答案:B10. 放大电路如图所示,由于 RB1,和 RB2 阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是( )。A.适当增加 RB2,减小 RB1 B.保持 RB1 不变,适当增加 RB2C.适当增加 RB1,减小 RB2 D.保持 RB2 不变,适当减小 RB1参考答案:C第 2 章 基本放大电路当前页有 10 题,你已做 10 题,已提交 10 题,其中答对 10 题。11. 图示电路,已知晶体管 , ,忽略 UBE,如要将集电极电流 IC 调整到1.5mA.,RB 应取( )。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW参考答案:A12. 电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位 UC 应等于( )。A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V参考答案:A13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q 如图所示,欲使工作点移至 Q需使( ) 。A.偏置电阻 RB 增大 B.集电极电阻 RC 减小 C.偏置电阻 RB 减小参考答案:C14. 单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图 2 中的( )。参考答案:A15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。A.确定静态工作点 Q B.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数 和输入,输出电阻 ri,r0 。 参考答案:C16. 某一固定偏置 NPN 管共射放大电路如图 1 所示,其输入和输出电压波形如图 2 所示,造成这种失真的原因是( )。A.管子的 值太小 B.电路电源电压 太高C.偏置电阻 太小 D.偏置电阻 太大参考答案:C17. 如图所示的放大电路( )。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点,但比无二极管 D 的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管 D 的电路更好参考答案:C18. 与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。A.输入电阻高,输出电阻低 B.输入电阻低,输出电阻高C.输入,输出电阻都很高 D.输入,输出电阻都很低 参考答案:A19. 27 场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数( ) 。A.小于但近似等于 1 B.约几十倍 C.为参考答案:A20. 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为 100 倍, 接上第二级后第一级电压放大倍数降为 50 倍,第二级的电压放大倍数为 50 倍,则该电路总电压放大倍数为( )。A.5000 倍 B.2500 倍 C.150 倍 D. 1000 倍 参考答案:B第 2 章 基本放大电路当前页有 3 题,你已做 3 题,已提交 3 题,其中答对 3 题。21. 两级阻容耦合放大电路中,第一级的输出电阻是第二级的( )。A.输入电阻 B.信号源内阻 C.负载电阻 参考答案:B22. 两级阻容耦合放大电路中,若改变第一级静态基极电流 IB1,则( ) 。A.第二级的基极电流 随之而改变B.第二级的静态值( , , )均不改变C.第二级的静态电流 不改变,但 要改变 参考答案:B23. 直流放大器中的级间耦合通常采用( )A.阻容耦合 (b )变压器耦合(c)直接耦合 (d)电感抽头耦合 参考答案:C第 3 章 多级放大电路1. 差分放大电路的作用是( )A.放大差模信号,抑制共模信号 B.放大共模信号,抑制差模信号 C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大 参考答案:A2. 集成运放输入级一般采用的电路是( )。A.差分放大电路 (b )射极输出电路 (c)共基极电路 (d)电流串联负反馈电路 参考答案:A3. 集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的( )。A.闭环放大倍数越大 (b )开环放大倍数越大(c)抑制漂移的能力越强 (d)对放大倍数没有影响 参考答案:B4. 若集成运放的最大输出电压幅度为 UOM,则在 情况下,集成运放的输出电压为 UOM。A.同相输入信号电压高于反相输入信号 B.同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈C.反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈D.反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环 参考答案:D5. 第一空 电路的输入阻抗大, 第二空 电路的输入阻抗小。第一空选择为( )A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分 参考答案:B6. 第一空 电路的输入阻抗大, 第二空 电路的输入阻抗小。第二空选择为( )A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分 参考答案:A7. 在 第一空 电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在 第二空 电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。第一空选择为( )A.反相比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分 参考答案:C8. 在 第一空 电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在 第二空 电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。第二空选择为( )A.反相比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分 参考答案:D9. 某一理想运算放大器开环工作,其所接电源电压为 ,当输入对地电压 时的输出电压 为( )。A.2U B.U C.+2U D.+U 参考答案:D10. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。A.零 B.约 120dB C.无穷大 参考答案:C第 3 章 多级放大电路11. 理想运算放大器的开环电压放大倍数 是( )。A.无穷大 B.零 C.约 120dB 参考答案:A12. 理想运算放大

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