硬脆材料内圆切片机的设计【毕业论文+CAD图纸全套】

买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985xx 大学毕业设计说明书题 目：硬脆材料内圆切片机的设计学 院： 专 业：机械设计制造及其自动化学 号： 姓 名： 指导教师： 完成日期： 买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985毕业论文（设计）任务书论文（设计）题目： 硬脆材料内圆切片机的设计 学号： 姓名： 专业： 机械设计制造及其自动化 指导教师： 系主任： 周友行 一、主要内容及基本要求在工程实际和科学研究中，常常需要对陶瓷、半导体、硬质合金等硬脆材料以及各种难加工金属材料进行精密超精密加工，而对各种脆硬材料、难加工材料进行切割是实现精密超精密加工的一个重要环节。本设计为硬脆材料内圆切片机的设计，其主要技术指标与要求如下： 1、最大加工尺寸： 60*80mm； 2、切割速度：530mm/min ； 3、切割片厚：0.30mm; 4、横向/ 纵向行程： 110/100mm; 5、主轴转速：4000 r/min 设计要求： 1、完成硬脆材料内圆切片机的设计和选型论证 2、硬脆材料内圆切片机的结构设计，绘制部件装配图和主要零件图，图纸总量折合成 A0，不少于 2 张 3、撰写设计说明书，关键零件应进行强度和刚度计算，说明书字数不少于 15 万4、完成资料查阅和 3000 字的文献翻译 二、重点研究的问题硬脆材料内圆切片机的结构设计及相关强度校核。 三、进度安排买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985序号 各阶段完成的内容 完成时间1 查阅资料、调研 第 1，2 周2 制订设计方案 第 3，4 周3 分析与计算 第 5，6 周4 绘部件装配图 第 7，8、9 周5 绘零件图 第 10，11 周6 撰写设计说明书 第 12，13 周7 准备答辩材料 第 14 周8 毕业答辩 第 15 周四、应收集的资料及主要参考文献1、机械设计手册 2、机械传动设计手册 3、梁仁和. QP610 内圆切片机系统设计和实现D . 西安：西安理广大学，2007 4、康善存. 硬脆材料的精密切割及发展趋势J. 机械制造，1997，7：46 5、王仲康. IC 业材料切割设备发展现状 J. 电子工业专用设备，2003，32 （1）2123，(11): 6、田惠兰，刘文平. QP-501 型石墨内圆切片机J. 电子工业专用设备，1994，23 （3）：2325. 7、网络相关资信 买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985毕业论文（设计）评阅表学号 姓名 专业 机械设计制造及其自动化 毕业论文（设计）题目： 内圆切片机的设计 评价项目评 价 内 容选题1.是否符合培养目标，体现学科、专业特点和教学计划的基本要求，达到综合训练的目的；2.难度、份量是否适当；3.是否与生产、科研、社会等实际相结合。能力1.是否有查阅文献、综合归纳资料的能力；2.是否有综合运用知识的能力；3.是否具备研究方案的设计能力、研究方法和手段的运用能力；4.是否具备一定的外文与计算机应用能力；5.工科是否有经济分析能力。论文（设计）质量1.立论是否正确，论述是否充分，结构是否严谨合理；实验是否正确，设计、计算、分析处理是否科学；技术用语是否准确，符号是否统一，图表图纸是否完备、整洁、正确，引文是否规范；2.文字是否通顺，有无观点提炼，综合概括能力如何；3.有无理论价值或实际应用价值，有无创新之处。综合评价综合评价：作者的毕业设计为万能材料实验机的设计，论文选题符合培养目标要求，能体现学科专业特点，达到了综合训练的目的。该生具有较强的文献查阅、资料综合归纳整理的能力，能在设计工作中较熟练运用所学知识，毕业设计技术方案可行，工作量适当，设计思路较清晰，论文质量较好，同意参加答辩评阅人： 买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985毕业论文（设计）鉴定意见学号： 姓名： 专业： 机械设计制造及其自动化 毕业论文（设计说明书） 31 页 图 表 4 张论文（设计）题目：标题应简短、明确、有概括性（大致反映文章的内容、专业的特点和学科的范畴） 。字数适当，一般不超过 20 个字。 内容提要： 扼要叙述本论文（设计）的主要内容、特点，重点介绍成果和结论性意见。要求：文字精练、准确、陈述客观，字数 400 字左右。买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985指导教师评语张杰同学在毕业设计过程中，态度认真，查阅了大量的相关中英文资料，并对设计任务作了认真的理解与分析，通过多种设计方案的比较，从中提出了一个可行的设计方案。在毕业设计期间，对万能材料实验机的的机械部分进行了结构设计及相关的设计计算。通过毕业设计张杰同学对机械设计的相关技巧、以及机械设制造相关领域的基础知识的掌握有了较大的进步，初步掌握了相关制图软件在机械设计中的应用。论文立论正确，论述清楚，图纸基本符合设计要求，论文达到毕业设计要求，同意参加答辩，推荐毕业设计成绩为“中” 。指导教师： 2012 年 5 月 30 日答辩简要情况及评语能够较好的回答老师提出的问题。根据答辩情况，答辩小组同意其成绩评定为 。答辩小组组长： 2012 年 5 月 30 日答辩委员会意见经答辩委员会讨论，同意该毕业论文（设计）成绩评定为答辩委员会主任： 2012 年 5 月 30 日买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985目 录目 录 -I第 1 章 前 言 -11.1 内圆切片机的发展和现状 .11.1.1 内圆切割技术与线切割技术分析 -21.1.2 国内外内圆切片机设备技术概况 -41.2 课题意义 .5第 2 章 内圆切片机的基本原理 -72.1 内圆切片机的原理和特点 .72.1.1 内圆切片机的三种基本运动 -72.1.2 内圆切片机结构及工作原理 -72.2 液压伺服系统的工作原理 .82.2.1 数控液压伺服系统的组成 -82.2.2 数控液压伺服阀的结构和工作原理 -9第 3 章 主要系统结构设计 -123.1 摆动切割方式 .123.2 精密主轴系统 .123.3 弹性丝杠螺母副送料系统 .133.4 液压传动及其装置 .143.5 电控系统 .15第 4 章 组合机床主轴箱设计 -164.1 主轴箱设计的原始依据 .164.2 运动参数和动力参数的确定 .164.2.1 传动系统传动比分配 -164.2.2 计算传动装置的运动和设计参数 -164.2.3 齿轮模数的估算及其校核 -174.2.4 轴各参数估算及强度校核 -204.3 主轴箱的坐标计算 .29第 5 章 结论 -31参考文献及英文技术资料 -II买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 11970985买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 119709850第 1 章 前 言1.1 内圆切片机的发展和现状为了提高 IC 生产线的生产效率，降低生产成本，IC 生产线所需硅圆片直径不断增大。为了满足硅圆片加工的需要，硅片切割设备一方面向大片径化方向发展，另一方面向高精度、高自动化及高智能化方向发展。从世界半导体工业的发展来看，八十年代中期普遍使用 150m 圆片，该生产线于 1996 年发展到鼎盛时期，当时 150mm 硅片消耗量为世界圆片消耗量的50。 1990 年开始应用 200mm 圆片，该生产线将于 2003 年达到高峰。于此同时，300mm 圆片生产线已于 1995 年建成试验性生产线。从世界范围来看，目前已有相当一些 IC 制造商、设备供应商和半导体供应商完成了向 300mm 圆片工艺水平的过渡。但是，硅圆片切割设备技术的发展在 IC 生产线建线技术中走在时间的前列。纵观世界 IC 生产线的发展，发展速度之快，技术更新日新月异，给人耳目一新的感觉 1。由于集成电路制造工业的重要性，世界各国都比较重视，都积极大力发展各自盼 IC 制造工业。IC 器件的基础性材料是半导体硅单晶材料，因此，世界各国对硅单晶材料的消耗量反映了一个国家的 IC 制造业的规模和工艺水平，同时各国硅材料生产及硅圆片生产水平也代表了一个国家 IC 工业的材料基础的实力。由于国家的高度重视和积极扶持，我国半导体产业正在快速发展。2001 年在国际电子制造业的不景气情形下，我国电子制造业是同期 GDP 的 3 倍。我国电子市场在全球市场中所占的份额由 1996 年的 23上升到 2000 年的6996 ；同时世界集成电路的平均单价为 26 美元，我国集成电路平均单价由04 美元升至 05 美元。我国 IC 工业具有发展数量的空间和具有发展技术的空间，这两大空间，决定了我国在今后一段时期内 IC 产业保持快速发展。当前，我国拥有 8 家集成电路芯片制造企业，其中 2 家采用 200mm 生产线。正在建设和计划建设的生产线包括：北京信创(150mm)、首钢华夏(200mm)、上海先进(200mm)、上海贝岭(200mm)和杭州士兰(150m)等，这些生产线 23 年内可望建成投产。拿深圳、上海两地为例：深圳计划在 35 年内建成 815 条前工艺生产线。上海计划于 2005 年前，先行完成 4 条 812 英寸晶圆生产线，以实现买文档送 CAD 图纸，Q 号交流 197216396 或 119709851年产 240 万片，产能 11 亿平方英寸的生产目标。以上项目的建设，为硅材料加工行业提供了广阔的市场。以上海规划年产240 万片为例，240 万片折合 200mlCZ 法单晶硅片 240 吨( 这一数据为日本 2001年晶圆单晶硅产量的十分之一，2001 年日本晶圆单晶硅产量为 2153 吨)。从目前国内硅圆片加工行业来看，在我国具有相当规模的半导体材料生产及加工企业中，其单晶硅年产量徘徊在 50 吨的水平，并且其生产的硅圆片的数量，较多集中在 125mn 圆片的加工范围。硅圆片的加工方法一直延用以下工艺过程：晶棒成长晶棒裁切与检测外径滚磨切片圆边(倒角)表层研磨蚀刻一去疵抛光清洗检验包装硅圆片切片工艺过程中多应用内圆切割技术，该技术于二十世纪七十年代末发展成熟。随着硅圆片直径的增大，内圆切割工艺中所需内圆刀片尺寸增大，刀片张紧力也相应增大。同时刀片刃口的加厚增加了切割损耗，高速切割使硅片表面的损伤层及刀具损耗加大。这些缺点使内圆切割技术在大片径化方向中提高效率，降低生产成本受到制约。加之当时内圆刀具制作上的困难，基于这种情况，国际上又发展了一种多线切割(后简称线切割) 技术工艺方法。1.1.1 内圆切割技术与线切割技术分析200mm 以上规格硅单晶圆片切割加工可采用内圆切割技术或线切割技术两种切割方式。在硅圆片规模化生产中，线切割技术作为主流加工方式，逐步取代传统的内圆切割技术