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UDC621.315.592:621.317.3中华人民共和国国家标准GB4326-84非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12发布1985-03-01实施家标准局批准中华人民共和国国家标准UDC621.315非本征半导体单晶霍尔迁移率和.592:621.317.8GB4326-84霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数,因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对错、硅和砷化钦进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达10Qcm的试样。1术语1.1电阻率1.1.1电阻率是材料中平行于电流的电位梯度与电流密度之比。电阻率应在零磁通下测定。11.1.2电阻率是材料中直接测量的址。在具有单一类型载流子的非本征半导体中,电阻率与材料基本参数的关系如下:p=(neu)-!(1)式中:p一电阻率,.cmi载流子浓度,cm-3电子电荷值,C;-载流子迁移率,cm/Vs。必须指出,对于本征半导体和某些P型半导体如P-Ge(存在两种空穴),式(1)显然是不适用的,而必须采用如下关系式:P-二(meui)-(2)式中心和4,表示第;种载流子相关的量。1.2蛋尔系数在各向同性的固体上同时加上互相垂直的电场和磁场,1.2.1则载流子在第三个互相垂直的方向上偏转,在试样两侧建立横向电场,称
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