Bandgap(带隙)Circuit.ppt

1,Analog IC Design,BroadGalaxy Electronics Ltd. July 2009,电压基准和电流基准的作用； 电压基准结构选择； 与温度无关的电压基准bandgap； 实际bandgap电路设计； 实际bandgap电路仿真； 电流基准的设计：PTAT电流/与温度无关电流； 补充内容：闭环电路的稳定性判据； 课后练习要求。,Outline,bandgap参考电压源电路设计与仿真,电压基准和电流基准的作用,模拟电路的设计中须广泛的应用到电压基准和电流基准，它们是直流量，为核心电路提供偏置，建立直流工作点； 一般来说，从芯片外部引入的供电电压都存在着一定的波动，而模拟电路对偏置电压的稳定性要求较高，因此一般会使用一个参考电压源，它将电源电压转化为一个具有良好电压稳定性和温度稳定性的电压，以提供良好的偏置。 同时大部分电路也需要一个参考电流源以提供偏置，常见的有不随温度变化的电流和与温度成正比的电流；,电压基准和电流基准的作用,常用的基准有： 与温度无关的基准电压； 与温度成正比的电流（PTAT电流）； 与温度无关的电流.,电压基准结构选择,灵敏度S ：灵敏度用于衡量参考电压源的稳压特性，灵敏度越低参考电压源的稳压特性越好。 动态电阻：对于一个二端元件，当其端电压变化时，端电压微小增量与端电流微小增量的比值。动态电阻等于IV曲线上参考点处曲线斜率的倒数。,介绍两个概念,r=,电压基准结构选择,对一个一般的分压网络进行分析，R1、R2为阻性元件。假定电源电压变化了 ,因为R1和R2串联， 会以一定比例分配在这两个电阻上，并且两者的电流改变量一致。,电压基准结构选择,这说明 在R1、R2上的分配与R1、R2的动态电阻成正比。如果我们能让R1的动态电阻很小，R2的动态电阻很大，则 大部分落在R2上，一小部分落在R1上， 对电源电压的灵敏度会大大降低，稳压性能就会得到很大提高。,电压基准结构选择,如果选择R1、R2均为线性电阻，则它们的动态电阻与静态电阻相等。电源电压变化量 将仍以原来的静态电阻的分压比分配给R1、R2，最后R1、R2 的分压比与电源电压变化前相比没有改变。所以 与电源电压将等比例变化，S=1，稳压效果不理想。,电压基准结构选择,在CMOS电路设计中，最自然的考虑是用非线性电阻元件MOS二极管来替代电阻R1。 MOS二极管具有较小的动态电阻。在W/L=2,R2=100K情况下，S的典型值为0.283。,电压基准结构选择,在CMOS工艺当中，我们还可以利用寄生的纵向pnp三极管来形成二极管，它比MOS二极管具有更小的动态电阻。典型值S=0.0362。此种结构的稳压性能比较好，现阶段我们都采用此种结构。,bandgap电路设计,这种结构的稳压性能虽好，但是它的温度特性仍然没有得到改善。 具有负的温度系数，在室温时大约是-2.2mV/。我们可以通过补偿的方法来改善参考电压源的温度特性。我们期望构造出具有正温度系数的KT项，其中K为正常数，T为热力学温标,使 当温度变化时， 与KT具有相反的变化趋势，则可以使 的温度特性得到补偿。,bandgap电路设计,此结构是在一个负反馈运算放大器的两个输入端各接一个稳压电路。两路稳压电路并联。它们并联的总电压作为我们所要的参考电压，连接到运放的输出端输出。电源电压包含在运放里。下面分析一下它的工作原理。,bandgap电路设计,（VR3即是我们要构造的KT项）,k为波尔兹曼常数，q为电子电荷，T为绝对温度,A为发射极面积。,bandgap电路设计,将VR1带入 VR3，得,其中,所以,因为,所以,bandgap电路设计,1.K必须独立于温度(用电阻之比) 2.K必须独立于电源电压,KT项其实是两只稳压管的be结电压之差，这个电压我们是通过负反馈运放虚短用R1电阻取得的。我们又通过负反馈的作用使得I1/I2固定于R2/R3，从而使得K值独立于温度和电源电压。最后，通过R1与R3的电压线性比例关系得到在R3上的温度补偿电压。,bandgap电路设计,bandgap电路设计,bandgap电路设计,bandgap电路设计,bandgap电路设计,bandgap电路仿真,分析目的：直流温度扫描分析是为了分析参考电压源的温度特性，即在扫描温度范围内输出的参考电压值随温度的变化情况。 测试激励：固定供电电压源1.8V，扫描温度参数。扫描范围（-40，120）。,直流温度扫描,bandgap电路仿真,bandgap电路仿真,分析目的：分析在工艺参数变化的情况下，输出参考电压的变化情况。 测试激励：corner分析，ff,ss,温度扫描范围（-40，120）。,工艺角扫描,bandgap电路仿真,分析目的：直流电压扫描分析是考察在供电电源电压值线性变化的情况下，输出参考电压值的变化情况。 测试激励：施加直流电压线性扫描，供电电压扫描范围（1.6V，2V）。,直流电压扫描,bandgap电路仿真,PTAT电流的产生,目的： 产生与温度和电源都无关的电压基准； 产生与温度无关的电流基准；,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,其它结构的电压基准电路设计 产生与温度和电源无关的电压基准； 产生与温度无关的电流基准；,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,bandgap电路设计进阶,补充,闭环电路的稳定性判据,补充,Stability Analysis with Bode Plots,END Q&A,课后练习要求：,Bandgap2_2v调试，电路如下：,课后练习要求,指标要求： VREF直流范围：0.7V0.9V; IREF直流范围：10uA50uA VREF温度系数：60degree gain margin10dB,课后练习要求：,Bandgap3_3v调试，电路如下：,课后练习要求,指标要求： VREF直流范围：1.1V1.3V; IREF直流范围：50uA100uA VREF温度系数：60degree gain margin10dB,小结,直流仿真，直流工作点，MOS工作状态判定； 电流镜仿真，复制电流关系； 偏置电路设计； 电压基准设计：正温电压+负温电压=温度无关电压； 电流基准设计：正温电流+负温电流=温度无关电流； 两级运放设计； 直流温度扫描方法； 直流电源电压扫描方法； 闭环电路STB仿真方法； 电流镜MOS管，成比例的BJT管，在版图上的match.,预习要求,比较器电路基础； VCO与PLL电路基础； 射频电路基础：史密斯圆图，阻抗匹配，最大功率传输原理，高频电路中电容与电感如何等效； 参考书目： P.E. Allen, “CMOS Analog Circuit Design”,