课件：主要特性.ppt

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结 型器件: 一. 电学特性： a. I-V特性、 b. C-V特性 二. 光学特性： a. 光谱响应特性、 b. 发光光强指向特性、 c. 时间特性。 三. 熱學特性:,发光二极管主要参数与特性,發光二極體(Light Emitting Diode, LED)是一種具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電流，即可發出光亮的光電元件 .,（3）反向死区 ：V0时pn结加反偏压 V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。 （4）反向击穿区 V- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。,1.1 I-V特性 : 表征LED芯片pn结制备性能主要参数。 LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接 触电阻，反之为高接触电阻。,一 . LED电学特性,(1) 正向死区：（图oa或oa段）a点对于V0 为开启电压，当VVa，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。,（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT 1) IS 为反向饱和电流 。 V0时，VVF的正向工作区IF 随VF指数上升 IF = IS e qVF/KT,1.2 C-V特性,C-V特性呈二次函数关系（如图2）。由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。,鉴于LED的芯片有: 99mil (250250um)， 1010mil， 1111mil (280280um)， 1212mil (300300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）Cn+pf左右。,当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UFIFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当TjTa时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = KT（Tj Ta）。,1.3 最大允许功耗PF m,响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD（液晶显示）约10-310-5S，CRT、PDP、LED都达到10-610-7S（us级）。,1.4 响应时间, 响应时间从使用角度来看，就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，即图中tr 、tf 。图中t0值很小，可忽略。 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。,LED的点亮时间上升时间tr是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。 LED 熄灭时间下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。 不同材料制得的LED响应时间各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间10-9S，GaP为10-7 S。因此它们可用在10100MHZ高频系统。,二. LED 光学特性,发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学特性。,发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90。当偏离正法向不同角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。 发光强度的角分布I是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否） LED管芯位置离模粒头远些； 使用圆锥状（子弹头）的模粒头； 封装的环氧树脂中勿加散射剂。 采取上述措施可使LED 21/2 = 6左右，大大提高了指向性。 当前几种常用封装的散射角（21/2角） 圆形LED：5、10、30、45, 为获得高指向性的角分布（如图1）,2.1 发光法向光强及其角分布I,2.2 发光峰值波长及其光谱分布,LED发光强度或光功率输出随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线光谱分布曲线。当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。 LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。 下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。其中LED 光谱分布曲线,1 蓝光InGaN/GaN 2 绿光 GaP:N 3 红光 GaP:Zn-O 4 红外GaAs 5 Si光敏光电管 6 标准钨丝灯, 是蓝色InGaN/GaN发光二极管，发光谱峰p = 460465nm； 是绿色GaP:N的LED，发光谱峰p = 550nm； 是红色GaP:Zn-O的LED，发光谱峰p = 680700nm； 是红外LED使用GaAs材料，发光谱峰p = 910nm； 是Si光电二极管，通常作光电接收用。,由上图可见，无论什么材料制成的LED，都有一个相对光强度最强处（光输出最大），与之相对应有一个波长，此波长叫峰值波长，用p表示。只有单色光才有p波长。 谱线宽度：在LED谱线的峰值两侧处，存在两个光强等于峰值（最大光强度）一半的点，此两点分别对应p-，p+之间宽度叫谱线宽度，也称半功率宽度或半高宽度。 半高宽度反映谱线宽窄，即LED单色性的参数，LED半宽小于40 nm。 主波长：有的LED发光不单是单一色，即不仅有一个峰值波长；甚至有多个峰值，并非单色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。主波长就是人眼所能观察到的，由LED发出主要单色光的波长。单色性越好，则p也就是主波长。 如GaP材料可发出多个峰值波长，而主波长只有一个，它会随着LED长期工作，结温升高而主波长偏向长波。,2.3 光通量,光通量F是表征LED总光输出的辐射能量，它标志器件的性能优劣。F为LED 向各个方向发光的能量之和，它与工作电流直接有关。随着电流增加，LED光通量 随之增大。可见光LED的光通量单位为流明（lm）。 LED向外辐射的功率光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源 大小有关。目前单色LED的光通量最大约1 lm，白光LED的F1.51.8 lm（小芯片） ，对于1mm1mm的功率级芯片制成白光LED，其F=18 lm。,2.4 发光效率和视觉灵敏度,1. LED效率有内部效率（pn结附近由电能转化成光能的效率）与外部效率（辐射到外部的效率）。前者只是用来分析和评价芯片优劣的特性。 LED光电最重要的特性是用辐射出光能量（发光量）与输入电能之比，即发光效率。 2. 视觉灵敏度是使用照明与光度学中一些参量。人的视觉灵敏度在 = 555nm处有一个最大值680 lm/w。若视觉灵敏度记为K，则发光能量P与可见光通量F之间关系为 P=Pd ； F=KPd,3.发光效率量子效率=发射的光子数/pn结载流子数=（e/hcI）Pd 若输入能量为W=UI，则发光能量效率P=P/W 若光子能量hc=ev,则P ，则总光通F=（F/P）P=KPW 式中K= F/P 4. 流明效率：LED的光通量F/外加耗电功率W=KP 它是评价具有外封装LED特性，LED的流明效率高指在同样外加电流下辐射可见光的能量较大，故也叫可见光发光效率。,以下列出几种常见LED流明效率（可见光发光效率）：,品质优良的LED要求向外辐射的光能量大，向外发出的光尽可能多，即外部效率要高。事实上，LED向外发光仅是内部发光的一部分，总的发光效率应为: =ice ，式中i向为p、n结区少子注入效率，c为在势垒区少子与多子复合效率，e为外部出光（光取出效率）效率。 由于LED材料折射率很高i3.6。当芯片发出光在晶体材料与空气界面时（无环氧封装）若垂直入射，被空气反射，反射率为（n1-1）2/（n1+1）2=0.32，反射出的占32%，鉴于晶体本身对光有相当一部分的吸收，于是大大降低了外部出光效率。 为了进一步提高外部出光效率e可采取以下措施： 用折射率较高的透明材料（环氧树脂n=1.55并不理想）覆盖在芯片表面； 把芯片晶体表面加工成半球形； 用Eg大的化合物半导体作衬底以减少晶体内光吸收。有人曾经用n=2.42.6的低熔点玻璃成分As-S(Se)-Br(I)且热塑性大的作封帽，可使红外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高46倍。,2019/8/21,15,可编辑,若光源表面是理想漫反射面，亮度BO与方向无关为常数。晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit（尼特），从地面看太阳表面亮度约为14108Nit。,亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很强方向性。其正法线方向的亮度BO=IO/A，指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量，单位为cd/m2 或Nit。 LED亮度与外加电流密度有关，一般的LED，JO（电流密度）增加BO也近似增大。另外，亮度还与环境温度有关，环境温度升高，c（复合效率）下降，BO减小。当环境温度不变，电流增大足以引起pn结结温升高，温升后，亮度呈饱和状态。,2.5 发光亮度,老化：LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。器 件老化程度与外加恒流源的大小有关，可描述为: Bt=BO e-t/， Bt为t时间后的亮度， BO为初始亮度。 通常把亮度降到Bt=1/2BO所经历的时间t称为二极管的寿命。测定t要花很 长的时间，通常以推算求得寿命。 测量方法：给LED通以一定恒流源，点燃103 104 小时后，先后测得BO ，Bt=100010000，代入Bt=BO e-t/求出；再把Bt=1/2BO代入，可求出寿命t。 长期以来总认为LED寿命为106小时，这是指单个LED在IF=20mA下。随着功率型LED开发应用，国外学者认为以LED的光衰减百分比数值作为寿命的依据。如LED的光衰减为原来35%，寿命6000h。,2. 6 寿命,三. 热 学 特 性,LED的光学参数与pn结结温有很大的关系。 一般工作在小电流IF10mA，或者1020 mA长时间连续点亮LED温升不明显。 若环境温度较高，LED的主波长或p 就会向长波长漂移，BO也会下降，尤其 是点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳定性影响应专门设计散射通风装置。 LED的主波长随温度关系可表示为p（ T）=0（T0）+Tg0.1nm/ 由上式可知， 每当结温升高10，则波长向长波漂移1nm，且发光的均匀性、一致性变差。 这对于作为照明用的灯具光源要求小型化、密集排列以提高单位面积上的光强、 光亮度的设计尤其应注意用散热好的灯具外壳或专门通用设备、确保LED长期工 作。,用白色LED为显示器或其他照明设备作背光源时，需要对其进行恒流驱动，主要原因是： LED正向导通电压的典型值3.0V4.0V，驱动电流为20mA。如果只是用一个固定的正向电压驱动LED，可能会产生变化范围较大的正向电流。 图1给出了6个随机的白色LED的正向电流随正向电压的变化关系曲线，如果用3.4V驱动这6只LED，相应的正向电流差别较大：10mA44mA，取决于具体的LED特性曲线。 为保证可靠性，驱动LED的电流必须低于LED额定值的要求，典型最大值一般为30mA， 但是，从图2可以看出：当环境温度升高时所允许的额定电流会降低，例如，当温度达到50时电流需限制在20mA以内。通过观察图1、图2不难得出这样的结论：只是用恒压方式驱动白色LED的方案可靠性较差。另外，用恒定电流驱动白色LED还可以获得亮度和色度的一致性。,白色LED的恒流驱动,图3给出了几种通用的白色LED驱动电路，图4是对应的、用图1所示6只LED进行测试时得到的电流调节精度。图4中调节器的输出负载曲线画在LED Vf曲线图上，两条曲线的交点是各个LED的调节工作点。 图3a所示电路用稳压源配合镇流电阻控制LED的电流，这种结构的优点是选择电压源的余地很大，调节器与LED之间只需要一个连接端点；缺点是效率较低，这主要是镇流电阻的损耗造成的，另外，它对LED正向电流的控制不是很精确。从图4a测试曲线可以看出6只不同LED的电流变化范围是：14.2mA18.4mA，由厂商A提供的LED平均亮度要比厂商B提供的LED高2mA。,图3b所示电路用于调节LED的总电流，镇流电阻用于实现各LED之间的匹配。MAX1910采用的就是这种结构，这种电路在驱动同一厂商提供的同一批次的产品时可以获得较好的效果，图3b中可以采用阻值较小的镇流电阻，这样，与图3a相比，当控制电流相同时可减小电流损耗。 图4b给出了不同LED驱动电流的变化情况，各LED平均控制电流相同：17.5mA，从图4b可以看出：电流变化范围在15.4mA19.6mA，这种结构的缺陷是镇流电阻耗电较大，而且，各LED电流的匹配性不是很好。但与图