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1、透明氧化物高阻隔膜项目介绍一、 各类阻隔材料性能对比图1 不同应用领域对阻隔材料水氧透过率的要求注:vip真空绝热板(vaccum insulation panel);pv光伏(photovoltaic);opv有机光伏(organic photovoltaic);oleds有机电致发光(organic light emitting display)表1 各种阻隔材料性能对比特性有机材料无机材料evohnypvdcpva涂膜金属铝箔镀铝膜氧化物镀膜高温湿阻隔性透明性耐弯曲性微波透过性rfid透过性环保性注:优,可,差。注:evoh:ethylene-vinyl alcohol 乙烯-醋酸乙烯共

2、聚物;ny:nylon 尼龙;pvdc:polyvinyl dichloride 聚二氯乙烯;pva:polyvinyl alcohol 聚乙烯醇 表2 聚合物(25m)不同温度时的透氧量(cc/m2datm)温度pvdcevohonypet2330.22535505021301801201300010025003500由上述两表可以看出,透明氧化物镀膜性能上具有很多优势,可以适用于各种用途。对于包装材料行业,相较不透明的铝箔及其复合膜产品,单层透明氧化物高阻隔膜具有透明性好,内容物清晰可见,可用金属探测器进行检测,可用微波加热或灭菌,环境友好,易于回收等优点。 相较于同样透明的共挤膜和涂布膜

3、,透明氧化物高阻隔膜具有耐高温湿条件的优点,可用于蒸煮包装袋。因此在欧洲和日本已被广泛运用于灭菌包装和电子防潮包装等。对于太阳能背板领域,透明氧化物阻隔膜多用于三层pet结构的透明背板,满足用作玻璃幕墙的薄膜太阳能电池应用需求。对于真空绝热板,透明氧化物阻隔膜导热系数低于铝箔和镀铝膜复合膜,可以避免热桥效应的发生,柔韧性佳,耐弯折的种类具有一定竞争力。对于柔性电子封装膜,阻隔性满足要求的铝塑复合膜不透明,透明的有机高聚物材料阻隔性不足,多层结构超高阻隔膜是其唯一选择。二、 拟开发产品结构1. 透明氧化物阻隔膜阻隔包装氧化硅/氧化铝镀层(50nm)pet基材(12m)2. 多层结构超高阻隔膜柔性

4、電子封装有机层(1m)pet基材(75或125m)氧化物层(20-30nm)阻隔性能wvtr(g/m2day)40,90%rhotr(cc/m2dayatm)23,50%rh12mpet2090透明氧化物阻隔膜10010-110010-1125mpet29多层结构超高阻隔膜10-210-2三、 产业链原材料高阻隔功能膜复合阻隔膜/袋背板12mpet复合胶热封膜(pe/pp)镀硅原材料原料厂商功能膜厂商大型包装材料厂背板厂商产品制造商食品药品电子产品真空绝热板太阳能电池产业终端真空镀膜多层复合/印刷/制袋填充/封装 透明氧化物阻隔膜作为一种阻隔功能膜提供给阻隔包装厂商,或背板厂商,这些厂商将各种

5、原料膜如热封膜、pet、尼龙等用复合胶进行干法复合,制作阻隔包装或背板,然后提供给食品药品或电子产品厂家进行最终产品的包装或封装。多层结构超高阻隔膜有两种出口,一是直接提供给柔性电子器件制造商,供其对制成的器件进行层压保护封装,二是提供给柔性导电膜制造厂家,其在阻隔膜层上溅射tco导电层后制成高阻隔导电膜,再提供给柔性电子器件制造商用作柔性电子器件的电极进行器件制作。四、 国内外市场1. 透明氧化物阻隔膜阻隔包装1.1 全球市场规模图2 包装材料中阻隔包装构成比例(美国kline公司2007)2007年全球包材市场4500亿美元,北美和欧洲55%(年复合增长率2-3%),亚洲45%(年复合增长

6、率5.5%)。阻隔包装市场为180亿美元。图3 美国阻隔包装中各类阻隔材料构成比例(美国kline 2007)图4 日本阻隔包装中各类阻隔材料构成比例(日本ulvac 2004)2007年,美国阻隔材料市场为12亿美元,其中透明氧化物镀膜产品占比5-10%,即6000万-1.2亿美元,但其年增长率高达8%,远远超过了其它产品。日本阻隔材料市场为11亿美元,其中透明氧化物镀膜产品占比30%,即3.3亿美元,年复合增长率7.5%。欧洲和其它地区占领了剩余42亿美元的阻隔材料市场,年复合增长率超高10%。(数据来源于美国kline公司的2007年报告和日本ulvac2004年报告)图5 日本透明氧化

7、物阻隔膜市场规模预测(日本ulvac 2004)图6 2007-2017全球透明氧化物镀膜市场预测(美国kline 2007)随着对便利食品需求量的增加,包装的减重化,阻隔功能膜技术的发展,可以预计阻隔包装的市场将成倍的增长。根据预测,日本2020年透明氧化物镀膜销量将达到17亿平米(7亿美元),2017年全球透明氧化物镀膜市场销量将达到33亿平米(15亿美元)。1.2 全球制造公司表3 全球透明氧化物阻隔膜制造公司和2010年销量公司名称2010年销量(亿m2)设备阻隔层销售出口凸版印刷5ebpvdsiox自制包材/包材公司/自制背板大日本印刷1pecvdsiox自制包材/包材公司/自制背板

8、ebpvdalox三菱1高频蒸镀siox包材公司/自制背板/背板厂商尾池0.5ebpvdsiox包材公司/背板厂商美国amcor包材(原加拿大alcan)1ebpvdsiox自制包材alox北美filmtech(英国ultimet公司授权)0.8-1ebpvdalox包材公司英国rollprint?ebpvdsiox自制包材ebpvdalox美国3m?ebpvdalox背板厂商东丽?ebpvdalox包材公司/背板厂商东洋纺?ebpvdsiox+ alox包材公司东?ebpvdsiox包材公司合计9.51.3 国内生产/销售公司表4 国内透明氧化物阻隔膜生产/销售公司和2010年销量公司名称2

9、010销量(万m2)售价(元/m2)销售产品产品应用凸版印刷上海工厂?阻隔复合包装amcor国内7家分厂?阻隔复合包装福清市卓信包装180-2402.5-5进口东丽/美国/三菱阻隔膜自制包装/包材公司宗英公司300-4003-4代理尾池阻隔膜(09年6月)包材公司/背板厂商三菱办事处500-6003-4三菱阻隔膜包材公司/背板厂商大日本印刷办事处?大日本印刷阻隔膜包材公司合计980-12402.5-5包装材料用透明氧化物高阻隔膜在欧美和日本已得到大量应用,年用量超过10亿平米,且用量仍呈大幅上升态势,我国虽目前有软包装企业5000家之多,软包装生产能力已超过180万吨/年,而且每年仍以超过5的

10、速度在增长。但由于我国并无相应的透明氧化物镀膜生产公司和产品,只能进口,因而价格成本较高(约2.5-4元/m2),很大的限制了应用推广,经咨询各家包装公司,很多人表示并不了解也从未接触过透明阻隔膜产品,有些因成本因素暂时不考虑采用,只有一些出口包装厂家应国外客户强制性要求才使用进口透明阻隔膜,多用于高档干货和精密电子包装。2. 多层结构超高阻隔膜柔性电子封装(源自idtechex报告)2.1 市场规模图7 2010-2020年柔性和非柔性電子器件市场预测图8 2010-2020年柔性電子元件封装高阻隔膜市场预测虽然现阶段柔性器件市场规模仅为4亿美元,但到2020年柔性器件市场可增长到300亿美

11、元左右,作为其必要部件的高阻隔膜市场规模可达到30亿美元。因为水氧可以对柔性電子材料的电极和活性层有机物产生降解或腐蚀,严重影响柔性器件性能,因此用高阻隔膜对器件进行封装是必须的步骤,甚至在实验室试验阶段也是如此,各柔性器件研究公司对超高阻隔膜需求非常迫切。2.2 全球生产/研究公司表3 全球多层结构超高阻隔膜制造/研究公司公司名称产品型号产品规格售价(元/m2)wvtrg/m2dotrcc/m2dfraunhoferormocers380mm200m100010-4vitex(novaled)barix1520mm500-100010-610-4amcor/10-210-2ge(柯美)hig

12、h t lexan film/10-5富士/10-63m (add-vision)/10-4尾池/10-4cpi-petec(dupont)ald方式/10-5三菱x/10-4柯尼卡(konarka)/10-6大日本印刷/10-4深圳丹邦公司/10-6五、 财务分析(只针对阻隔包装用透明氧化物阻隔膜)1. 基于现有国内外市场规模及增长速度,预期目标产品市场占有率按照2013年投产预测:国外市场容量:23亿平米;预期国外市场占有率:0%国内市场容量:5000万平米;预期国内市场占有率:20%年销量国外市场容量国外市场占有率国内市场容量国内市场占有率 1000万平米2. 预期毛利率及其计算依据(1

13、)总生产成本理论化工成本组成(含税):基材:0.41万元/万平米;氧化硅原料:0.028万元/万平米理论化工成本(不含基材,含税):0.028万元/万平米理论化工成本(含基材,含税):0.41万元/万平米制造成本:0.29万元/万平米(设备1m幅宽,5000万元,车速200m/min, 产能5000万平米,六年折旧,人工水电场地100万元,整理裁切包装0.1万元/万平米)生产成本:0.41+0.29=0.70万元/万平米成品率:90%总生产成本0.70/90%=0.78万元/万平米(2)毛利率目标售价:2元/平米税率 :17% 单位利润总生产成本2/1.17-0.78=0.93元/平米 毛利率

14、 10039.74%3. 预期销售收入年销售收入 年销量2/1.171000=1709万元4. 预期投入产出比及其计算依据研发总投入:100万元,设备投入:5000万元 投入产出比1709/100=17.095. 盈亏平衡点:及其计算依据(注:盈亏平衡点通常是指全部销售收入等于全部成本时(销售收入线与总成本线的交点)的产量。)按产品销量计算:盈亏平衡点5100/(2-0.78)=4180万平米按产品销售收入计算:盈亏平衡点5100/(1-0.78/2)=8360万元六、 干法镀膜工艺1. 薄膜形成技术薄层形成技术物理气相沉积(pvd)真空蒸发(热蒸发)电阻丝加热、闪蒸、电弧加热、激光加热、高频

15、加热、电子束加热(eb)mbn法(分子束外延)激光沉积/激光蚀刻溅射沉积离子束溅射、直流溅射、高频溅射、磁控溅射、微波电子回旋共振沉积(ecr)离子电镀高频离子电镀、活性反应蒸发、电弧离子电镀离子束蒸发离化团束(icb)沉积化学气相沉积(cvd)热cvd常压cvd,减压cvd等离子体cvd直流等离子体cvd,高频等离子体cvd,微波等离子体cvd,ecr等离子体cvd光cvd液相成长法电镀电解电镀,无电解液电镀阳极氧化法,涂层方法,溶胶凝胶法涂布旋涂,浸涂,辊涂,喷涂图9 薄层形成技术2. 干法镀膜技术应用领域图10 卷绕式干法镀膜技术应用领域除了以上各领域,干法镀制氧化物膜层技术还可应用于:

16、2.1 航天器原子氧防护层在距地球表面200700km的低地轨道(low earth orbit,leo)空间存在的原子氧(atomic oxygen,ao)对各类高速运行的航天器表面的冲蚀作用,会造成材料的性能退化。研究工作表明大部分空间材料特别是有机材料暴露在原子氧环境下,都会产生质损、厚度损失,热学、电学、光学、机械、表面形貌等参数变坏,受到不同程度的损伤,对飞行器的正常飞行构成危害。原子氧的负面效应严重影响了低地球轨道航天器的性能和寿命,严重制约了低地球轨道航天器发展计划的实施。因而采用在有机材料表面用pvd或cvd方法沉积金属氧化物层可以起到一定的原子氧防护作用,又以sio2和al2

17、o3性能最好,是目前国内外应用最普遍的防护技术。2.2 彩色装饰薄膜和军事设备低发射率红外隐身薄膜氧化物层通过调整厚度可获得丰富的颜色,在柔性基材上用pvd或cvd方式形成精密计算厚度的金属氧化物涂层,可得到各种颜色的装饰性镀膜产品,用于手机或各类电器外壳的装饰。其中军绿色和土黄色为迷彩颜色,可用于军事设备的隐蔽。金属及其氮化物具有低的红外发射率,通过形成金属氮化物涂层,可以产生红外隐身的效果,更好的实现军事设备的隐蔽性。3. 透明氧化物阻隔膜镀膜设备选择表4 三种主要类型干法镀膜设备比较镀膜方式项目电子束蒸镀磁控反应溅射等离子体化学气相沉积设备原理1m幅宽设备价格(万元)5000700020

18、00最高车速(m/min)9002020原料类型氧化物粉末氧化物靶材硅氧烷气体原料利用率25%20-60%50%镀层质量一般好较好镀纯金属膜容易容易受限镀氧化物膜容易容易容易透明氧化物阻隔膜多层结构超高阻隔膜3.1 电子束蒸镀(electron beam physical vapor deposition,ebpvd)真空蒸发镀膜是通过加热使蒸发材料汽化(或升华),以原子、分子或原子团离开熔体表面,凝聚在具有一定温度的基片表面,并冷凝成薄膜的过程。电阻丝蒸镀是目前金属镀膜生产最常用的方法,用难熔金属如钨(熔点为3380 )钽(熔点为2980 )制成舟箔或丝状,通以电流,加热金属使其蒸发并沉积于

19、基膜表面。理论上说,电阻丝加热方式可以蒸镀所有熔点低于蒸发舟金属的物质,但实际上电阻加热源主要用于蒸发熔点低于1700的金属材料。对于氧化物等高熔点物质,其导热率差,要使其熔化蒸发,就必须提高蒸发源温度,如sio2熔点为1700左右,要想使其蒸发,必须加以2000以上的高温,但高温会导致sio2与蒸发源发生反应,引起sio2分解,而坩埚原料被氧化。如钨被氧化形成的棕色氧化钨熔点仅有960,容易放气污染氧化硅膜层;钽蒸发舟被氧化将生成玷污膜层的紫红色五氧化钽。因此对于氧化物等的蒸发,需要采取其他加热方式,常用的有高频感应加热和电子束蒸发方式。电子束蒸发镀膜技术逐渐发展成为主流,电子束蒸发镀膜设备

20、蒸发源配有电子枪,电子枪通过加在电子枪灯丝两端的高压产生气体放电,并在电场的作用下聚集形成电子束,而外加磁场使电子束方向发生偏转,最终打到坩埚内的被蒸发材料上,电子束集中在蒸发材料的局部位置上而形成加热束斑,束斑温度可达30006000,能量密度最高可达20kw/cm2。电子束蒸发镀膜技术有以下优点:(1)电子束轰击热源的束流密度高,能获得远比电阻加热源更大的能量密度,可以使高熔点材料蒸发,并且能有较高的蒸发速率;(2)由于被蒸发材料是置于水冷坩埚中,因而可避免容器材料的蒸发,以及容器材料和蒸发材料之间的反应,这就使得镀膜的纯度得以提高;(3)热量可直接加到蒸镀材料的表面,因而热效率高,热传导

21、和热辐射的损失少,所沉积的薄膜致密性有显著提高。(4)电子束功率易于调节,束斑尺寸和位置易于控制,有利于精确控制膜厚和均匀性。真空蒸发镀膜的致命弊端,那就是膜层和基体的结合力较差,膜层容易脱落,同时容易形成“针孔”。其镀膜致密性难以与溅射和cvd方式相比,无法达到更高阻隔性能。但电子束蒸发镀膜方式由于具有其它沉积方式难以比拟的高速沉积速率,最高可达1000m/min,目前仍是包装领域氧化物阻隔膜制造的主流方式,包装领域阻隔膜量产公司几乎全部使用此种方式生产氧化硅镀膜。3.2 磁控反应溅射(magnetron reactive sputtering)溅射(sputtering)基本原理是通过正负

22、极间外加电压使惰性气体(如ar)电离为ar+和电子,电子会加速飞向阳极,带正电荷的ar+则在电场的作用下加速飞向作为阴极的靶材,带有电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能,在与靶材的撞击过程中将释放出相应的能量。在能量适当的情况下,靶材表面原子将获得足够高的动能而脱离靶材表曲的束缚而飞向衬底,从而实现薄膜的沉积。磁控溅射技术目前是溅射沉积的主流,通过在阴极靶材的背后放置强力磁铁,使电子在加速飞向基片的过程中受到垂直于电场的磁场洛仑兹力的作用而产生偏转,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与ar原子发生碰撞,电离出大量的ar+离子。与直流溅射相比,离化率

23、能提高10一100倍,因此镀膜速率可提高一个数量级。溅射方法制备化合物薄膜如氧化硅阻隔层时,可以考虑直接使用sio2介质靶作为溅射靶材,但在有些情况下,沉积得到的薄膜在化学成分上往往与靶材有很大的差别。针对这个问题,可以采用高纯si靶或sio介质靶作为溅射靶材,同时在工作气体ar气中混入适量的活性反应气体(如o2、n2等),使金属原子与活性气体在溅射沉积的同时发生反应生成所需的化合物(氧化物、氮化物等),这种在沉积的同时形成化合物的溅射技术被成为反应溅射方法。影响膜层致密性的沉积工艺参数包括反应气体流量、成膜圧力、投入電力等。溅射镀膜的粘附性好,膜的纯度高,薄膜结构紧密,不容易形成“针孔”,因

24、此被广泛用于超高阻隔膜的镀膜技术研究。但沉积速度较慢是其最大的缺陷,因此不适于包装材料镀膜领域的应用。3.3 等离子体化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition pecvd)cvd是利用热、光、等离子体等的能量,使含有构成薄膜元素的挥发性化合物分解,或与其他气相物质发生化学反应,产生非挥发性的固相物质并使其以原子态沉积在基体表面,形成所要求的膜层的工艺技术。cvd法有很多种类,pecvd法因其利用等离子体能量来产生并促进化学反应(等离子体中电子的平均能量(1-20ev)足以使大多数气体电离或分解),提高原料气体的分解率,使沉积可以在较低的温

25、度下进行而成为主流。离子轰击还能去除表面杂质、增强粘附性,可以控制沉积薄膜的应力。pecvd法沉积siox薄膜是以液态的六甲基二硅氧烷(hmdso)、四甲基二硅烷(tmdso)等有机硅化合物或气态的硅烷为原料,以氦气为载气,氧气为反应气体,经等离子体处理生成的活性分子、原子团、离子相互反应,在基材上沉积生成镀膜。 其化学反应式为:影响镀膜质量的工艺参数包括微观参数和宏观参数微观参数如电子能量等离子体密度及分布函数反应气体的离解度等宏观参数对于真空系统有气体种类配比流量压强抽速等;对于基体来说有沉积温度相对位置导电状态等;对于等离子体有放电种类频率电极结构输入功率电流密度离子温度等pecvd法用

26、于沉积氧化物膜层时,镀膜原料成本最低,原料的利用率也高于溅射法,镀膜致密性较好,镀膜柔韧性最佳,但镀膜速度仍远远不及蒸发镀膜,因此只有大日本印刷以此种方式生产包材用氧化硅阻隔膜。一些公司采用此种方式制备柔性电子封装超高阻隔膜。pecvd设备已被成熟用于非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅薄层的沉积,以及制备晶硅太阳电池硅片表面钝化和减反射氧化物镀膜。4. 镀膜设备厂家表5 卷绕式干法镀膜设备制造商(阻隔膜)公司名称设备类型幅宽报价(万元)车速应用领域英国通用真空gve特殊蒸镀pecvd1.6m1.6m10005000900m/min10m/min阻隔膜超高阻隔膜德国layboldebpvd溅射1m0.4

27、m5000-60004000900m/min0.5m/min阻隔膜5-6台日本ulvacebpvd高频感应2m2m50002800200-400m/min200-400m/min日本3台 包装/背板日本3台 包装/背板国产设备ebpvd1m500100m/min七、 项目实施建议1. 透明氧化物阻隔膜阻隔包装领域1.1 研究方式产业化单位进行进一步市场调研和设备调研,项目组通过与北京印刷学院进行产学研合作,依托印刷学院现有的各类干法镀膜设备以及各种测试设备如透水氧率测试仪、原子力显微镜等开展实验室镀膜技术研究,完成相关技术开发,为产业化生产做好准备。1.2 开发指标产品结构设备透水率指标(g/

28、 m2day)对标产品目标市场目标客户pet/sioxebpvd1.5三菱lx、尾池mos-th食品/药品/电子产品包装太阳能电池背板福清市卓信包装(180-240万m2/年)宗英公司(300-400万m2/年)三菱公司客户(500-600万m2/年)1.3 技术路线成品基材清洁处理镀膜后处理镀膜后处理方法研究无机物料优选镀膜工艺研究基材清洁工艺优选2. 多层结构超高阻隔膜柔性电子器件封装领域2.1 研究方式开展柔性電子封装用超高阻隔膜实验室研究,掌握超高阻隔膜制备技术,实现目标产品的开发,最终提供a4样片供目标客户试用;探索多层结构连续生产的实现方式,为产业化做好准备。2.2 专利中超高阻隔

29、膜实现方式产品结构透水率(g/ m2day)产品结构图示生产方式研究公司有机层氧化物层n个阻隔膜干法复合10-2/蒸镀amcorpen/(有机层/氧化物层)n/有机层10-410-7旋涂闪蒸pecvdpecvd旋涂cat-cvd闪蒸pecvd溅射溅射溅射溅射蒸镀pecvdge(柯美)vitex(novaled)/富士3m(add-vision)尾池大日本印刷三菱深圳丹邦pet/有机无机高混层/ siox/有机无机高混层10-4溶胶凝胶溅射fraunhoferpet/有机层/(siox)n10-5闪蒸pecvd柯尼卡(konarka)2.3 开发指标产品结构所需设备透水率指标(g/ m2day)

30、对标产品目标市场目标客户pet/(有机层/siox)n蒸镀pecvd10-2fraunhoferormocers柔性有机太阳能电池柔性有机太阳能电池项目10-4柔性oled维信诺等2.4 技术路线基材(75或100m)有机层1(1m)氧化物层1(20-30nm)氧化物层2(30-40nm)有机层2(1m)成品基材清洁处理后处理镀膜后处理方法研究无机物料优选pecvd镀膜工艺研究基材清洁工艺优选有机层成膜物料优选有机层成膜工艺研究拟采用有机无机复合多层结构体实现高阻隔性能(综合vitex和柯尼卡公司的技术)。基材选用75或100mpet。柔性电子封装所用的超高阻隔膜,由于尚处于试验室研究阶段,对

31、无机氧化物层的成膜质量要求更高,因此多选择成膜质量更好的溅射和pecvd方式。项目组优选采用pecvd方式进行沉积,原因在于1. 北京印刷学院陈强教授已进行多年pecvd方式制备包装用siox阻隔膜研究,各种相关设备齐全,借助产学研合作的方式可以减少设备投入,加快实验进程;2. pecvd设备所要求的真空度低,容易设计连续镀膜应用。3. pecvd法镀制氧化硅膜柔软性好,还可应用于许多其它领域(见第9部分)。通过研究镀膜设备工艺条件,实现镀层的均匀致密成膜,通过研究镀膜的元素组成和配比,以及高柔性和高阻隔性的多个无机镀层组合,实现镀膜的阻隔性、柔韧性和透明性的平衡。可选的有机层成膜方式包括溶胶

32、凝胶法、cvd法、蒸镀法、旋涂等,其中旋涂法不适应大规模卷绕式生产,因此不优选。溶胶凝胶法因干燥过程耗时长,难以控制,且不利于大规模生产,也不优选。蒸镀法和cvd法可形成光滑表面,更好的发挥有机层平坦化的功能,可作为备选方案,视具体实验结果采用。对有机层的研究包括成膜树脂的选择、配方物料的选择,以更好的实现平坦化、密着、耐蚀刻、柔韧、保护等作用,也可考虑在有机层中加入吸水剂或吸气剂,最大程度的捕捉侵入的气体。另外可以考虑采用一些表面处理方式对各层进行表面处理,如蚀刻、电晕等,以最大限度提高每一层的平滑度,从而提高整体阻隔性能。2.4 项目研究开发进度2012.7-122012.1-62011.

33、9-122011.7-82011.5-62011.3-4学习各类镀膜/测试设备基本操作ebpvd镀膜工艺研究pecvd镀膜工艺研究有机层制备工艺研究有机层无机层组合研究原料形态/基材清洁工艺/镀层后处理工艺研究基材表面处理/镀层表面保护研究多层结构组合研究多层结构组合/有机层加入添加剂/设备组合定制研究单层镀层wvtr0.5单层镀层wvtr1.5单层镀层wvtr1.0单层镀层wvtr0.5多层结构wvtr0.05多层结构wvtr0.01多层结构wvtr10-4八、 知识产权虽然在欧洲专利局和日本专利局查到的透明氧化物阻隔膜专利数量有五百篇之多,但在中国专利局查到的密切相关专利仅仅只有21篇,9

34、篇涉及包装材料用透明氧化物阻隔膜,分属于三菱、大日本印刷、东丽、东洋纺、帝人等公司,多为在阻隔膜氧化物层上设置一层不同组成的有机层,提高作为包装材料的耐高温蒸煮、适应印刷等特性。另外12篇专利涉及柔性电子封装用超高阻隔膜,其中vitex公司4篇专利,保护其使用了高阻隔膜的电子元件和显示器件结构,以及使用高阻隔膜的密封方法。fraunhofer公司2篇专利保护其超高阻隔膜的有机无机高混层(溶胶凝胶法)结构组成,。富士6篇专利涉及到超高阻隔膜,结构为有机层/无机氧化物层多层复合结构,其中一篇涉及到有机太阳电池,另五篇主要针对oled行业,侧重点多为器件结构。另外柯尼卡申请了三篇世界专利,保护其多层

35、无机层的叠层结构。国内的深圳丹邦投资公司cn101752500采用pecvd法形成氮化铝、氮化硅层,闪蒸uv固化丙烯酸酯形成三层不同构成有机层。涂层结构为175mpet/无机层/有机单体层/低聚物层/防污层。宣称水氧透过率10-7以下。总的来说,无论是包装材料用透明氧化物阻隔膜还是柔性电子封装用超高阻隔膜,国内相关专利数量并不多,表明这些公司在中国尚未形成有效专利布局。对于透明氧化物阻隔膜,通过镀层元素的调整、沉积工艺的变化、底层和保护层的设计等可形成创新点。对于多层结构超高阻隔膜来说,国外各家公司也仍处于研究开发阶段,尚未形成产品定势和连续生产设备的设计,还在不断摸索更合理的成膜方式,产品本

36、身层次结构复杂,提供了变化的空间,设备的多样性也提供了创新的可能。因此广集各家之长,并在此基础上形成自己的特色涂层结构和特色设备方式,就可以实现专利规避。附:全球透明氧化物阻隔膜制造公司和产品系列公司名称2010年销量(亿m2)设备阻隔层产品型号wvtrg/m2dotrcc/m2d特点应用领域凸版印刷5ebpvdsioxgl阻隔袋0.1防静电半导体包装gx透明阻隔袋0.1一般电子零件包装gl半蒸镀阻隔袋0.3防静电偏光板gx洁净袋0.1硅晶圆gl透明输液外袋环保透明高阻氧输液(氨基酸等)bs系列太阳电池背膜太阳电池封装大日本印刷1pecvdsioxib-pet-c1.71.5标准ib-pet-

37、ub0.80.3高阻隔ib-pet-rb1.00.3蒸煮/高压灭菌医用营养液包装袋ebpvdaloxib-pet-pc1.91.8标准ib-pet-pub0.50.3高阻隔ib-pet-ptub0.80.3高阻隔ib-pet-pxb0.10.1超高阻隔偏光板/医疗用具包装袋东洋纺?ebpvdsiox+ aloxve100(其中使用ve110)2.02.0一般阻隔/可蒸煮灭菌酱菜、干物、糕点、微波食品、蒸煮灭菌食品ve300(其中使用ve310)11接着改良/可蒸煮灭菌酱菜、干物、糕点、微波食品、蒸煮灭菌食品ve500(其中使用ve510)0.50.3高阻隔/不可蒸煮灭菌干物、糕点、药品、电子元件等高阻隔用途ve5040.50.3防静电/高阻隔/不耐蒸煮粉末、干物、糕点、药品、电子元件等需要防静电的用途ve106(ve-100为

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