第11章Flash存储器的在线编程

1、 本章目录本章目录 11.1 Flash存储器概述 11.2 Flash分页机制 11.3 DG128 Flash存储器编程方法 11.4 DG128 Flash擦写函数的测试工程 11.5 DG128 Flash存储器的保护特性和安全性 11.6 S12系列单片机的Flash存储器编程 11.1 Flash存储器概述 Flash存储器的特性 固有不挥发性。 易更新性 成本低、密度高、可靠性好 Flash存储器编程的基本概念 Flash存储器的编程模式 11.2 Flash分页机制 不启用分页机制的寻址方式不启用分页机制的寻址方式 启用分页机制的寻址方式启用分页机制的寻址方式 表表11-1 D

2、G128 Flash11-1 DG128 Flash存储器两个物理块的地址分配存储器两个物理块的地址分配 Block(Block(块号块号) )PPAGE(PPAGE(页号页号) )未分页逻辑地址范围未分页逻辑地址范围分页逻辑地址范围分页逻辑地址范围 1 1 $38$38 不可见不可见 $388000-$38BFFF$388000-$38BFFF $39$39$398000-$39BFFF$398000-$39BFFF $3A$3A$3A8000-$3ABFFF$3A8000-$3ABFFF $3B$3B$3B8000-$3BBFFF$3B8000-$3BBFFF 0 0 $3C$3C 不可见

3、不可见 $3C8000-$3CBFFF$3C8000-$3CBFFF $3D$3D$3D8000-$3DBFFF$3D8000-$3DBFFF $3E$3E$4000-$7FFF$4000-$7FFF$3E8000-$3EBFFF$3E8000-$3EBFFF $3F$3F$C000-$FFFF$C000-$FFFF$3F8000-$3FBFFF$3F8000-$3FBFFF 11.3 DG128 Flash存储器编程方 法 11.3.1 DG128 Flash模块寄存器 Flash时钟分频寄存器FCLKDIV Flash配置寄存器FCNFG Flash状态寄存器FSTAT Flash命令寄存

4、器FCMD 11.3 DG128 Flash存储器编程方 法 11.3.2 DG128 Flash11.3.2 DG128 Flash存储器擦除与写入的步骤存储器擦除与写入的步骤 擦除和写入流程的一些公共操作擦除和写入流程的一些公共操作 判断是否设置时钟分频，若未分频，则判断是否设置时钟分频，若未分频，则 先分频。先分频。 分别清两个分别清两个FlashFlash块的状态寄存器块的状态寄存器FSTATFSTAT 的保护错误标志位的保护错误标志位PVIOLPVIOL和访问错误标志和访问错误标志 位位ACCERRACCERR。 如果要使用分页机制，则设置配置寄存如果要使用分页机制，则设置配置寄存

5、器器FCNFGFCNFG的的BKSELBKSEL位选择相应的块号；设位选择相应的块号；设 置页寄存器置页寄存器PPAGEPPAGE，选择相应的页。，选择相应的页。 void Erase_Write_Pretreat(INT8U page) void Erase_Write_Pretreat(INT8U page) 11.3 DG128 Flash存储器编程方 法 11.3.2 DG128 Flash11.3.2 DG128 Flash存储器擦除与写入的步骤存储器擦除与写入的步骤 FlashFlash的擦除的擦除 设置时钟分频，清相关错误标志位，设置块设置时钟分频，清相关错误标志位，设置块 号、

6、页号。号、页号。 定位要擦除的扇区。定位要擦除的扇区。 向命令寄存器向命令寄存器FCMDFCMD写扇区擦除命令写扇区擦除命令0 x400 x40。 向状态寄存器向状态寄存器FSTATFSTAT寄存器的命令缓冲区空中寄存器的命令缓冲区空中 断标志位断标志位CBEIFCBEIF位写位写1 1。 等待直到命令执行完成。等待直到命令执行完成。 voidvoid Flash_Erase_Sector(INT8U page,INT16U addr) Flash_Erase_Sector(INT8U page,INT16U addr) 11.3 DG128 Flash存储器编程方 法 11.3.2 DG12

7、8 Flash11.3.2 DG128 Flash存储器擦除与写入的步骤存储器擦除与写入的步骤 FlashFlash的写入的写入 设置时钟分频，清相关错误标志位，设置块号设置时钟分频，清相关错误标志位，设置块号 和页号和页号 向指定地址写若干字数据。向指定地址写若干字数据。 将源地址的一个字写入目标地址。将源地址的一个字写入目标地址。 向命令寄存器向命令寄存器FCMDFCMD写字写入命令写字写入命令0 x200 x20。 向状态寄存器向状态寄存器FSTATFSTAT寄存器的命令缓冲区空中断标志位寄存器的命令缓冲区空中断标志位 CBEIFCBEIF位写位写1 1。 等待直到上一条命令执行完毕。等

8、待直到上一条命令执行完毕。 如果尚未写完数据，递增源地址和目标地址，转如果尚未写完数据，递增源地址和目标地址，转 voidvoid Flash_Write_Nword(INT8U page,INT16U address_destination, Flash_Write_Nword(INT8U page,INT16U address_destination, INT16U address_source,INT8U len)INT16U address_source,INT8U len) 11.4 DG128 Flash擦写函数的测试工程 11.4.1 Flash11.4.1 Flash测试工程的

9、主函数及有关技术分析测试工程的主函数及有关技术分析 主函数：主函数：int main()int main() 擦写过程中，擦写过程中，FlashFlash区域加高压时，如何使程区域加高压时，如何使程 序能稳定的执行？序能稳定的执行？ FlashFlash命令出错的情况总结命令出错的情况总结 编译后生成的代码使用何种编译后生成的代码使用何种S S格式？格式？ 11.5 DG128 Flash存储器的保护特性和 安全性 11.5.1 DG128 Flash11.5.1 DG128 Flash存储器的保护特性存储器的保护特性 FlashFlash保护寄存器保护寄存器FPROT FPROT 数据位数据

10、位D7D6D5D4D3D2D1D0 定义定义FPOPEN ACKK IMASKK MODEK NV6FPHDISFPHS1FPHS0FPLDISFPLS1FPLS0 复位复位FFFFFFFF 11.5 DG128 Flash存储器的保护特性和 安全性 11.5.2 DG128 Flash11.5.2 DG128 Flash存储器的安全性存储器的安全性 设置设置MCUMCU为保密状态为保密状态 安全寄存器安全寄存器FSECFSEC 解密解密MCUMCU 使用后门密钥访问机制使用后门密钥访问机制 11.6 S12系列单片机的Flash存储器编程 11.6.1 11.6.1 几款常用几款常用S12S12单片机存储空间分配情况单片机存储空间分配情况 的对比的对比 MC9S12UF32 MC9S12UF32存储空间的分配存储空间的分配 MC9S12NE64 MC