半导体三极管及放大电路基础

1、NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC( (Semiconductor Transistor）collectorbaseemitter小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管CBOBCBOCBECEIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略集射极穿透电流集射极穿透电流(常用公式常用公式)若若IB =0, 则则CEOCBO)(1CIII 温度温度ICEO CEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 常数常数 CE)(BEBuufi0CE uBEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV

2、1CE u特性基本特性基本重合重合( (电流分配关系确定电流分配关系确定) )特性右移特性右移( (因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子) )导通电压导通电压 UBE( (on) )硅管：硅管： (0.6 0.8) V锗管：锗管： (0.2 0.3) V取取 0.7 V取取 0.2 V常数常数 B)(CECiufi对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。CEOBCIII BEuBi BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII BiiC82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 3）U( (BR)

3、 )CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )EBOU( (BR) )CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE+UCCRSes

4、RBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiERb+VCCRCC1C2Tui=0时时由于电源的存由于电源的存在在IB 0IC 0ICIE=IB+ICRLIB无信号输入时无信号输入时UBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui = 0)时时:+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtO( IC,UCE )(IB,UBE)ICUCEOIBUBEOQIBUBEQUCEICUBEIB无输入信号无输入信号(ui = 0)时时: uo = 0uBE = UB

5、EuCE = UCE？ uo 0uBE = UBE+ uiuCE = UCE+ uoIC+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO有输入信号时有输入信号时:+集电极电流集电极电流直流分量直流分量交流分量交流分量动态分析动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析静态分析uitOuotO基本思想基本思想 非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。定理，分别分析电路中的交、直流成分。1、分析三极管电路的基本思想和方法、分析三极

6、管电路的基本思想和方法直流通路直流通路( (ui = 0) )分析分析静态。静态。 交流通路交流通路( (ui 0) )分析分析动态，动态，只考虑变化的电压和电流。只考虑变化的电压和电流。画交流通路原则：画交流通路原则：1. 固定不变的电压源都视为短路；固定不变的电压源都视为短路；2. 固定不变的电流源都视为开路；固定不变的电流源都视为开路；3. 视电容对交流信号短路视电容对交流信号短路0j/1 C 直流通路直流通路( IB 、 IC 、 UCE )对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开）断开断开断开断开+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE

7、+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiERBRCuiuORLRSes+ XC 0，C 可看作短路。可看作短路。忽略电源的内阻，电源的忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，直流电源对端电压恒定，直流电源对交流可看作短路。交流可看作短路。短路短路短路短路对地短路对地短路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE放大电路无信号输入（放大电路无信号输入（ui = 0）时的工作状态。）时的工作状态。估算法、图解法。估算法、图解法。各极电压电流的直流分量。各极电压电流的直流分量。放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。 (1)静态工作点静态

8、工作点Q：IB、IC、UCE 。（ UBE 0.7V)BBECCB RUUI 所以所以BCCBRUI 根据电流放大作用根据电流放大作用CEOBC III BB II +UCCRBRCT+UBEUCEICIB已知：已知：UCC=12V，RC=4k ，RB=300k ， =37.5。解：解：mAmABCCB04030012. RUImAmABC51040537. II VV CCCCCE645112 .RIUU+UCCRBRCT+UBEUCEICIBEECCCCCERIRIUU EBBECCB) 1(RRUUI BC II EEBEBBCCRIURIU EBBEBB) 1 (RIURI 由例由例1

9、 1、例、例2 2可知，当电路不同时，计算可知，当电路不同时，计算静态值的公静态值的公式也不同。式也不同。由由KVL可得：可得：由由KVL可得：可得：IE+UCCRBRCT+UBEUCEICIBRE常常数数 B)(CECIUfIUCE = UCC ICRC +UCCRBRCT+UBEUCEICIBUCE=VCCICRC1.直流负载线直流负载线VCCICUCECCCRVQIB静态静态UCE静态静态IC+UCCRBRCT+UBEUCEICIB2.由估算法求出由估算法求出IB，IB对应的输出特性对应的输出特性与直流负载线的交点就是工作点与直流负载线的交点就是工作点Q4、电路参数对静态工作点的影响、电

10、路参数对静态工作点的影响1. 改变改变 RB，其他参数不变，其他参数不变uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQR B iB Q 趋近截止区；趋近截止区；R B iB Q 趋近饱和区。趋近饱和区。2. 改变改变 RC ，其他参数不变，其他参数不变RC Q 趋近饱和区。趋近饱和区。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRC设设 RB = 38 k ，求求 VBB = 0 V、3 V 时的时的 iC、uCE。 解解 uCE/ViC/mAiB= 010 A20 A30 A40 A50 A60 A41O235当当VBB= 0 V：iB 0，iC 0，5 VuCE 5 V当当VBB =

11、 3 V：BBE(on)BBBRUVi mA 0.06 0.3UCE 0.3 V 0，iC 5 mA例例 3iC 0三极管的开关等效电路三极管的开关等效电路截止截止状态状态SBCEVCC+ RCRBiB 0uCE Vcc判断是否判断是否饱和饱和临界饱和电流临界饱和电流 ICS和和IBS ：CCCCCE(sat)CCCSRVRUVI CCCCSBSRVII iB IBS，则三极管则三极管饱和。饱和。SBCEVCC+ RCRBuCE 0IBUBEQICUCEuiibibic1）. 交流放大原理（设输出空载）交流放大原理（设输出空载）假设在静态工作点的基础上，输入一微小的正弦信号假设在静态工作点的基

12、础上，输入一微小的正弦信号 ui静态工作点静态工作点uCEUCE与与Ui反相！反相！各点波形各点波形ceCECEcCCbBBiBEbeBEBEuUuiIiiIiuUuUu 5、 用图解法确定动态工作情况用图解法确定动态工作情况RbRCRLuiuoicuce其中：其中：CLLR/RR uce=-ic（RC/RL） = -ic RL输出端接入负载输出端接入负载RL：不影响不影响Q 影响动态！影响动态！2）.交流负载线交流量交流量ic和和uce有如下关系：有如下关系：这就是说，交流负载线的斜这就是说，交流负载线的斜率为：率为：LR1 ICUCEVCCCCCRVQIB交流负载线交流负载线直流负载线直流

13、负载线斜斜 率为率为- -1/RL 。（ RL= RLRc ）经过经过Q点。点。 注意：注意：（1）交流负载线是有交流）交流负载线是有交流 输入信号时工作点的运动轨迹。输入信号时工作点的运动轨迹。 （2）空载时，交流负载线与直流负载线重合。）空载时，交流负载线与直流负载线重合。交流负载线的作法：交流负载线的作法：Q2uoUCEQuCE/VttiC C/mAICiC C/mAuCE/VOOOQ1负载开路时：负载开路时：接负载时：接负载时：受受 RC 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 VCC/RC 。受受 R L 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能

14、超过 V CC/R L 。C1+ RCRB+VCCC2RL+uo +iBiCVui( (R L= RC / RL) )uiuotiB B/ AiB B/ AuBE/VtuBE/VUBEOOOQQuCE/VtiC C/mAuCE/VOOUCECECEBEBBBEBEBCEdvvvdiivdvIV CECECBBCBCEdvvidiiidIVCicebbeIUhhUreie cebcIUhhIoefe CEBBEie Vivh CEBCfe Viih BCEBEre Ivvh BCECoe Ivih CECEBEBBBEBEBCEdvvvdiivdvIV CECECBBCBCEdvvidiiidI

15、VCicebbeIUhhUreie cebcIUhhIoefe cebbeIUhhUreie cebcIUhhIoefe 1） 模型的简化模型的简化hfeibicvceibvbehrevcehiehoe即即 rbe= hie = hfe uT = hre rce= 1/hoe一般采用习惯符号一般采用习惯符号则则BJT的的H参数模型为参数模型为 uT很小，一般为很小，一般为10-3 10-4 ，rce很大，很大，约为约为100k 。故故 一般可忽略它们的影响，一般可忽略它们的影响， 得到简化电路得到简化电路 ib 是受控源是受控源 ，且为电流控，且为电流控制电流源制电流源(CCCS)。 电流方向

16、与电流方向与ib的方向是关联的方向是关联的。的。 )mA()mV(26)1(200EQbeIr )mA()mV()mA()mV(EQEQTeIIVr26ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+ +- -uo+ +- -+ +- -RSiiRBRCuiuORL+ + +- - -RSeS+ +- -ibicBCEiibebirIU LcoRIU beLrRAu LCL/ RRR io :UUAu 定义定义Lb RI rbebeCrRAu iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSsUUusA0 sUiRRsiRiU sUiUiUUsUUU

17、sA00 uAiRRsiR iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiii IUr 输入电阻输入电阻SESRiIiUirSESRiIiUiiIUri beB/rR 时时，当当beBrR bRiBIIU beirr iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSriBRIoUoEoooIUr 输出电阻：输出电阻：oUSEiUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSCoooRIUr 求求ro的步骤：的步骤：1) 断开负载断开负载RLoU3) 外加电压外加

18、电压oI4) 求求or外加外加oICRcoIII bcII CoRCRUI 0 0 cb II所所以以2) 令令 或或0i U0S ECBOBBECCCEOBC)1( IRUUIII iCuCEQ温度升高时，输出温度升高时，输出特性曲线上移特性曲线上移Q 固定偏置电路的工作点固定偏置电路的工作点Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增增加时，能够自动减少加时，能够自动减少IB，从而抑制，从而抑制Q点的变化，保持点的变化，保持Q点基本稳点基本稳定。定。OB2II 若若满满足足： 基极电位基本恒定，不基极电位基本恒定，不随温度变化

19、。随温度变化。2B2BRIV 2B1BCC21RRUII CC2B1B2BBURRRV VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+VBEBEBECRUVII BEBUV 若若满满足足：EBEBEBEC RVRUVII RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+TUBEIBICVEICVB 固定固定CC2B1B2BURRRVB EBEBECRU

20、VII CBII EECCCCCERIRIUU VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+ 对交流：对交流：旁路电容旁路电容 CE 将将R 短路短路， R 不起作用不起作用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同与固定偏置电路相同。如果去掉如果去掉CE ，Au，ri，ro ？旁路电容旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+2B1BB/ RRR iUiIbIcIoUbISEeIBRIRB1RCC1C2RB2CERE1RL+UCCuiuo+RE2V3V122060

21、20CCB2B1B2B URRRVmA8 . 0 mA36 . 03EBEBEC RUVII A16 A500.8CB IIV8 . 4V38 . 068 . 012)(1E1EECCCCCE RRIRIUURB1RCRB2RE1+UCCRE2+UCEIEIBICVBk6Co Rrk86. 18 . 02651200I26) 1(200Ebe rk 15/2B1BB RRR其其中中 EbeBi) 1 (/RrRr k03.8 EbeL) 1 (RrRAu 69. 8 iUiIbIcIoUbISEeIBRIRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSEBBECCB)1(RRUUI BE)1(

22、II EECCCERIUU +UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSrbeEBCRBcIbIbI+ +- -+ +- -RSiUSEiIRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS- -RERL+ +oUeILEL/ RRR LeoRIU Lb1RI ）（ LebebiRIrIU Lbbeb)1 (RIrI LbbebLb)1()1(RIrIRIAu LbeL)1(1RrR ）（rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiIrbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIc

23、IoUbISEeIREiIiBi/rRr LbeBi)1 (/RrRr LbebLEebebbii)1 (/RrIRRIrIIUr LEL/RRR irir 1sbeoRrrSBS/RRR RrRr 1/sbeEosbeE) 1 ( RRr 通通常常：rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiIorLbeL) 1 () 1 (RrRAu LbeBi) 1(/RrRr Rrr 1sbeo 在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V, RE= 2k, RB= 200k， RL= 2k ，晶体管，晶体管=60， UBE=0.6V,

24、信号源内信号源内阻阻RS= 100，试求试求: :(1) 静态工作点静态工作点 IB、IE 及及 UCE； 画出微变等效电路；画出微变等效电路；(3) Au、ri 和和 ro 。RB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS+UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSmA035. 0mA260)(12006 . 012) (1EBBECCB RRUUImA14. 2 0.035mA60)(1 )(1BE II V727V142212EECCCE.RIUU +UCCRBR+UCE+UBEIIBIC3 .176010094. 0Sbeo Rrrk94.

25、 024. 1266120026) (1200Ebe Ir LbeBi) 1 (/RrRr k7 .41 LbeL) 1()(1RrRAu 98.0 rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIRE+VCCRCC2C3RLRE+RB1RB2RS +us +uo C11、求、求“Q”(”(略略) )beLbebLbio rRriRiuuAu 1)1(be bbebeiiririiuR)1(/beEi rRR 阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故

26、当信号容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。相位都将发生变化。)()( ffAAuu Au( f ) 幅频特性幅频特性 ( f ) 相频特性相频特性f|Au |0.707| Auo |fLfH| Auo |幅频特性幅频特性f 270 180 90相频特性相频特性 1、RC 低通电路的频率响应低通电路的频率响应1）. 频率特性的描述频率特性的描述RCoUiU j11 j/1j/1 ioRCCRCUUAu H j11ff 令令 1/RC = H则则 fH = 1/

27、2 RC )/(11 2H ffAu H arctan f/f 滞后滞后 90 0 H ；时时，uAff 0 1 , 0 ；时时uAf 45 0.707 21 H ；时时，uAfffO|Au |10.707O45 90 fHf幅频特性幅频特性相频特性相频特性H j11ffAU 2）. 频率响应的波特图频率响应的波特图f / fH020lg|Au |/dB20045 90 fH400.1 1 10 1000.1 1 10f / fH频率特性频率特性波特图波特图90 f0|Au |10.707045 fHf0 dB 20 dB/十倍频十倍频 45 /十倍频十倍频ffffAffHHu 2 H)/(1

28、1 时时，1 )/(11 2 H HuffAff时时，0dB20lg1 lg20 uA)dB(ff20lg lg20H uA2、RC 高通电路的频率响应高通电路的频率响应RCCRRUUAu 1/j11 j/1 io ffL j11 令令 1/RC = L则则 fL = 1/2 RC超前超前f/f arctan L )/(11 2L ffAu f 10 fL20lg|Au| = 0 dB 0 f = fL20lg|Au| = 20lg0.7071 = 3 dB 45 f 0.1 fL20lg|Au| = 20lg f / fH 90 RCoUiU例例求已知一阶低通电路的上限截止频率。求已知一阶低

29、通电路的上限截止频率。0.01 F1 k 1 k 1/1 k 0.01 FRCf 21HF01. 0k5 . 014. 321 kHz)(8 .31 例例已知一阶高通电路的已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容，求电容 C。500 C2 k RfCL21 2500Hz30014. 321F)(212. 0 戴维宁定理等效戴维宁定理等效iUbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSbeU+ +- -二、二、 单级放大电路的频率特性单级放大电路的频率特性+VCCRCC1C2VRL+RB1RB2RSUS1. 中频特性中频特性C1、C2 可视为短路

30、可视为短路极间电容可视为开路极间电容可视为开路s0sbeLs uuARrRA 180 oUbeUiUbISRSUberCRLR1C2CBRcIbI SUSRberCRLR1C2CbICRIb oIiUoU2Ls0s)/ (1 ffAAuu )/(arctan180 Lff ),(max L2 L1 Lfff : 频率降低频率降低, Aus 随之减小随之减小, 输出比输入电压输出比输入电压相位超前。相位超前。 )(211beS 1L；CrRf 2L L2)(21 CRRfC R B rbeffAAuu/j1 Ls0s oUiUbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+

31、 +- -RSCo2、单级放大器的高频性单级放大器的高频性因因 值随频值随频率升高而降率升高而降低，高频下低，高频下不能采用不能采用 H 参数等效电参数等效电路。路。1）. 晶体三极管的混合晶体三极管的混合 型等效电路型等效电路B EBCrbb rb erb cCb cCb eCb e ：不恒定，不恒定，与工作状态有关与工作状态有关Cb c ：几几 pF，限制着放大，限制着放大器频带的展宽器频带的展宽2）. 与频率与频率 f 的关系的关系 = 0.707 0f 共发射极截止共发射极截止频率频率fT 特征频率特征频率 = 1可求得：可求得：)(21 Cbebeb CCrf fCCgf0cbebm

32、T )(2 同样可求得：同样可求得：)(21 cbebe CCrf f)1 (0 可见：可见： fff T f f o0.707 o1fTO3）. 晶体管单级放大电路高频特性晶体管单级放大电路高频特性EBB Ceb UoUrbb rb eCb eCb cebm UgR LRSUSrbb EBB CoUrb eCb eebm UgR LCMRSUSeb U密勒等效密勒等效( (C1，C2 视为视为短路短路) )在输出回路略去在输出回路略去 Cb cR L = RC / RL H = 1/RtCtfH = 1/2 RtCtCM= (1 + gmR L ) Cb cebbbSebLmsos0 rrR

33、rRgUUAuHs0sosj1 uuAUUA Hs0j1ffuA Rt = (RS + r bb )/rb eCt = Cb e + CM = Cb e+(1 + gmR L ) Cb c增益带宽积增益带宽积G BW = Aus0 fH)(21bbtLm rRCRgS( (常数常数) )结论：频率升高，结论：频率升高， Au 减小减小 输出相位滞后输出相位滞后 增益带宽积为常数增益带宽积为常数共射电路完整波特图共射电路完整波特图 HLLusmusffjffjffjAA 11+UCCuoRC2T2uiRC1R1T1R2+RE2两级之间通过耦合电容两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接与下

34、级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2n1II, nUU2121L22222211LRnIUnnInUIUR两级之间通过耦合电容两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接与下级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2

35、RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2第一级第一级第二级第二级212ioi1oiouuuAAUUUUUUA 电压放大倍数电压放大倍数2ir1bI2bI1cI2cIrbeRB2RC1EBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiI1oU1b1ISErbeRC2RLEBC+ +- -oU2b2IB1R B2R RB12i1C1L/ rRR

36、 1be1L1io11rRUUAu be2L222io2rRUUAu 1iirr 2oorr L2CL2/ RRR 如图所示的两级电压放大电路，如图所示的两级电压放大电路，已知已知1= 2 =50, T1和和T2均为均为3DG8D。 RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。两级放大电路的静态值可分别计算。A8 . 9mA2750)(110000.624) (1E1B1BECCB1 RRUUImA 49. 0mA 0098. 050)(1)1 (B

37、1E1 II V77. 10V2749. 024E1E1CCCE RIUU RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解:V26. 843V438224B2B2B1CCB2 RRRUVmA 96. 0mA5 . 751. 06 . 026. 8E2E2BE2B2C2 RRUUIRB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解:A 2 . 19mA5096. 02C2B2 IIV71. 6)V5 . 751. 010(96. 024)(E2E2C2C2CCCE2 RRRIUURB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解:2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等于