LTPS-LCD工艺流程简介

1、LTPS-LCD工艺流程简介工艺流程简介TESTLCD 显示原理显示原理画面显示即大量的像素显示组合如何让像素发光？如何制作像素？LCD显示原理显示原理Array：电路ArrayCFGate 扫描Data扫描Gate线打开TFT，Data线给子像素充电，使其产生电场并使液晶分子发生偏转，光由不透过变为透过，通过CF滤光作用，发红光，产生红线。CF：滤光 液晶偏转角不同，液晶偏转角不同，光透过率不同光透过率不同一、 TFT-LCD组成为C/F基板与TFT基板中间有液晶.一个象素(Pixel)组成为此三个RGB Sub-Pixel. 二、TFT 基板组成为把画像信号传达的Data线及把该画像信号需

2、要时关/开的Gate线排列为匹配.三、按照许可电压的大小, 配向的掖晶分子方向有变化.由于偏光板偏光的光,根据液晶分子的方向透过率有变化 ,因此体现画像. Pixel Pixel根据电压旋转不同根据电压旋转不同Glass Glass- Back LightBack Light+ Gate Gate开开/ /关画像关画像 Source Source传达画像信号传达画像信号-100 100 One PixelData Data 线线Pixel Pixel 电极电极Gate Gate 线线)C/F C/F 基板基板TFT TFT 基板基板液晶液晶偏光板LCD 显示原理显示原理Bare glass73

3、0*920PanelLTPS-LCD工艺流程工艺流程2nd CUTphotoDepo-Photo-EtchArrayCF1st CUT背光组装FPC绑定IC绑定Front cellEnd cellModulelArray 流程流程Array制程既是在大张玻璃基板上制作电路Array 段采用Depo-Photo-Etch循环方法在大张玻璃板上一层层制作电路，中间插有ELA、IMP、AOI、TEG等站点PR CoatingGlass基板基板ExposureDevelopPR StripPR EtchDepoNext LayerArraypixel：100*33um如何通过Depo-Photo-Et

4、ch循环方法得到像素？Array 工艺流程工艺流程pre-compactionpolyNDPDILDCHDPLNITO1passivationITO2M2GILDDM1pre-compactionpre-compactionGlass 投入Glass采用650_10min高温处理，可以防止后工序中高温制程造成的玻璃收缩带来对位偏差。PDC需要确认导角，不同的玻璃有不同的导角规则Poly（mask1）PDC3layer DEPOELAphotoDry etchStripper Spin cleana-siSiO2SiNxELApoly-siSiO2SiNx缓冲层作用缓冲层作用:1.防止玻璃中的金

5、属离子(铝,钡,钠等)在热工艺中扩散到LTPS的有源区,通过缓冲层厚度或沉积条件可以改善多晶硅背面的质量;2.有利于降低热传导,减缓被激光加热的硅冷却速率,利于硅的结晶After poly photoAfter poly stripperLTPS 优势：高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等CHD（mask2）Photo Chanel doping1、在IMP 离子注入机中进行2、CHD补偿Vth值对位基准图案本层图案OverLay NGstripper ND（mask3）N dopingPhoto PR ashing stripper 1、与Dry Etch机台进行2、离子注入导致

6、PR胶碳化变硬，无法Stripper除去，需要先进行Dry Etch除去碳化层。沟道区域PR遮住，其余部分注入PHx+，以减少电阻。注入PHx离子，形成N-MOSGI&M1 (mask4)Pre GI cleanGI DEPOM1 DEPOphotoDry etchStripper Pre M1 cleanLDD PD Doping（mask5）P dopingPhoto PR ashing stripper VGLVGHOUTINN-MOSP-MOSPD：参杂B+参杂在PAD区域，在Pixel区域并不参杂ILD（mask6）HF cleanILD DEPO(1st step)photoDry

7、 etchStripper Activation ILD DEPO(2nd step)Hydrogenation 多晶硅晶粒间存在粒界态，多晶硅与氧化层间存在界面态，影响晶体管电性。氢化处理以氢原子填补多晶硅原子的未結合鍵或未飽和鍵，粒界态，氧化层缺陷，以及界面态，来减少不稳态数目，提升电特性：迁移率，阈值电压均匀性等。M2（mask7）HF cleanM2 DEPOphotoDry etchStripper Metal annealTEG test1、M2以后检查器件特性，管控工艺2、通过检测玻璃基板上特定点位器件的电学特性，管控整张基板的工艺PLN（mask8）photoAnneal As

8、hing ITO1（mask9）PDCITO1 DEPOphotoWET etchStripper Anneal passivation（mask10）PDCPass DEPOphotoDry etchStripper ITO2（mask11）PDCITO2 DEPOphotoWET etchStripper Anneal TEG test至此，Array段完成Pixel 截面图截面图Glass Driver areaPixel areaP-channelN-channelGateSDGate InsulatorILDPassivationITO1ITO2LDDPolyCHDCELL 流程流程

9、1、通过PI转印，让液晶分子有一定的预倾角2、后续可能通过光配向CELL 流程流程在Array上喷洒spacer，以支撑cell盒厚Array 基板CF基板在CF基板上滴下液晶Array基板与CF基板真空贴合CELL流程流程一次切割两面都要切割一次二次切割PanelPanel贴附Roller偏光板贴片两面都要贴片Module流程流程ACFIC绑定包含预绑与本绑COGACF热压FPC绑定封胶、点胶、点Ag胶保护PAD区、补强FPCCF表面接地FOG背光源组装铁框组装ASSYMTP成品TFT驱动原理驱动原理tF = 16.7mstg (gate on time)G0G1G2G3+V1+V2V3offoffoffonononoffoffoffoffoffoffCstTFT驱动原理驱动原理HostDriver ICPanelm=800n=480第第n n列列datadatan+1yesnoGate第第mm行行gategate第第mm行行第第m+1m+1行行gategatenom+1一帧datayes下一帧下一帧,data,dataOnOffTFT驱动原理驱动原理AAESDData co