常用电子元器件型号说明

1、.：.；常用电子元器件型号阐明引见元器件型号所代表的意思电子元器件的根本知识qcb整理2021-6-9目录 TOC o 1-4 h z u HYPERLINK l _Toc295418994 第1章 部分电气图形符号 PAGEREF _Toc295418994 h 4 HYPERLINK l _Toc295418995 1.1 电阻器、电容器、电感器和变压器 PAGEREF _Toc295418995 h 4 HYPERLINK l _Toc295418996 1.2 半导体管 PAGEREF _Toc295418996 h 5 HYPERLINK l _Toc295418997 1.3 其它

2、电气图形符号 PAGEREF _Toc295418997 h 6 HYPERLINK l _Toc295418998 第2章 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数 PAGEREF _Toc295418998 h 7 HYPERLINK l _Toc295418999 2.1 电阻器和电位器 PAGEREF _Toc295418999 h 7 HYPERLINK l _Toc295419000 2.1.1 电阻器和电位器的型号命名方法 PAGEREF _Toc295419000 h 7 HYPERLINK l _Toc295419001 2.1.2 电阻器的主要技术目的 PAGEREF _To

3、c295419001 h 9 HYPERLINK l _Toc295419002 2.1.3 电阻器的标志内容及方法 PAGEREF _Toc295419002 h 10 HYPERLINK l _Toc295419003 2.1.4 电位器的主要技术目的 PAGEREF _Toc295419003 h 12 HYPERLINK l _Toc295419004 2.1.5 电位器的普通标志方法 PAGEREF _Toc295419004 h 13 HYPERLINK l _Toc295419005 第3章 电容器 PAGEREF _Toc295419005 h 14 HYPERLINK l _

4、Toc295419006 3.1 电容器型号命名法 PAGEREF _Toc295419006 h 14 HYPERLINK l _Toc295419007 3.2 电容器的主要技术目的 PAGEREF _Toc295419007 h 15 HYPERLINK l _Toc295419008 3.3 电容器的标志方法 PAGEREF _Toc295419008 h 16 HYPERLINK l _Toc295419009 第4章 电感器 PAGEREF _Toc295419009 h 17 HYPERLINK l _Toc295419010 4.1 电感器的分类 PAGEREF _Toc295

5、419010 h 17 HYPERLINK l _Toc295419011 4.2 电感器的主要技术目的 PAGEREF _Toc295419011 h 17 HYPERLINK l _Toc295419012 4.3 电感器电感量的标志方法 PAGEREF _Toc295419012 h 17 HYPERLINK l _Toc295419013 第5章 半导体分立器件 PAGEREF _Toc295419013 h 18 HYPERLINK l _Toc295419014 5.1 半导体分立器件的命名方法 PAGEREF _Toc295419014 h 18 HYPERLINK l _Toc

6、295419015 5.1.1 我国半导体分立器件的命名法 PAGEREF _Toc295419015 h 18 HYPERLINK l _Toc295419016 5.1.2 国际电子结合会半导体器件命名法 PAGEREF _Toc295419016 h 20 HYPERLINK l _Toc295419017 5.1.3 美国半导体器件型号命名法 PAGEREF _Toc295419017 h 22 HYPERLINK l _Toc295419018 5.1.4 日本半导体器件型号命名法 PAGEREF _Toc295419018 h 23 HYPERLINK l _Toc29541901

7、9 5.2 常用半导体二极管的主要参数 PAGEREF _Toc295419019 h 26 HYPERLINK l _Toc295419020 5.3 常用整流桥的主要参数 PAGEREF _Toc295419020 h 27 HYPERLINK l _Toc295419021 5.4 常用稳压二极管的主要参数 PAGEREF _Toc295419021 h 27 HYPERLINK l _Toc295419022 5.5 常用半导体三极管的主要参数 PAGEREF _Toc295419022 h 28 HYPERLINK l _Toc295419023 5.6 常用场效应管主要参数 PAG

8、EREF _Toc295419023 h 34 HYPERLINK l _Toc295419024 第6章 模拟集成电路 PAGEREF _Toc295419024 h 35 HYPERLINK l _Toc295419025 6.1 模拟集成电路命名方法国产 PAGEREF _Toc295419025 h 35 HYPERLINK l _Toc295419026 6.2 部分模拟集成电路引脚陈列 PAGEREF _Toc295419026 h 36 HYPERLINK l _Toc295419027 6.3 部分模拟集成电路主要参数 PAGEREF _Toc295419027 h 36部分电

9、气图形符号电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号称号与阐明图形符号称号与阐明电阻器普通符号电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个可变电阻器或可调电阻器带磁芯、铁芯的电感器滑动触点电位器带磁芯延续可调的电感器极性电容双绕组变压器注：可添加绕组数目可变电容器或可调电容器绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可添加绕组数目双联同调可变电容器。注：可添加同调联数在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器半导体管图形符号称号与阐明图形符号称号与阐明二极管的符号(1)(2)JFET结型场效应管(1)N沟道(2)P沟道发光二极管光电二极管PNP型晶体三极管稳压二极管NPN型晶体三极管变容二极管全波桥式整

10、流器其它电气图形符号图形符号称号与阐明图形符号称号与阐明具有两个电极的压电晶体注：电极数目可添加 或接机壳或底板熔断器导线的衔接指示灯及信号灯导线的不衔接扬声器动合(常开)触点开关蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关常用电子元器件型号命名法及主要技术参数电阻器和电位器电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法第一部分：主称第二部分：资料第三部分：特征分类第四部分：序号符号意义符号意义符号意义电阻器电位器R电阻器T碳膜1普通普通对主称、资料一样，仅性能目的、尺寸大小有差别，但根本不影响互换运用的产品，给予同一序号；假设性能目的、尺寸大小明显影响互换时，那么在序号后面用大写字母作为区

11、别代号。W电位器H合成膜2普通普通S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5高温Y氧化膜6C堆积膜7精细精细I玻璃釉膜8高压特殊函数P硼碳膜9特殊特殊U硅碳膜G高功率X线绕T可调M压敏W微调G光敏D多圈R热敏B温度补偿用C温度丈量用P旁热式W稳压式Z正温度系数例如： 精细金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别精细第二部分：资料金属膜第一部分：主称电阻器多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别多圈第二部分：资料线绕第一部分：主称电位器电阻器的主要技术目的(1) 额定功率电阻器在电路中长时间延续任务不损坏，或不显著改动其性能所允许耗费的最大功率称为电阻器的额定功率

12、。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中任务时一定要耗费的功率，而是电阻器在电路任务中所允许耗费的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。表2 电阻器的功率等级称号额定功率W实芯电阻器0.250.5125线绕电阻器0.5251352506751010015150薄膜电阻器0.02520.0550.125100.25250.5501100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。表3 标称值系列标称值系列精度电阻器、电位器、

13、电容器标称值PFE245%1.02.24.71.12.45.11.22.75.61.33.06.21.53.36.81.63.67.51.83.98.22.04.39.1E1210%1.03.31.23.91.54.71.85.62.26.82.78.2E620%1.01.52.23.34.76.88.2表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数。(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级允许误差(%)0.0010.0020.0050.010.020.050.1等级符号EXYHUWB允许误差(%)0.20.51251020等级符号CDFGJ = 1 * ROMAN IK = 2 * ROMAN

14、 IIM = 3 * ROMAN III电阻器的标志内容及方法 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5，2K7表示2.7k，表文字符号RKMGT表示单位欧姆()千欧姆(103)兆欧姆(106)千兆欧姆(109)兆兆欧姆(1012)例如：RJ71-0.125-5K1-II允许误差10%标称阻值(5.1k)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精细金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k，允许误差为10

15、%。 色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色色环或色点标注在它的外外表上。色标电阻色环电阻器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。允许误差标称值有效数字后0的个数标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字颜 色第一位有效值第二位有效值倍 率允 许 偏 差黑00棕11红22橙33黄44绿55蓝66紫77灰88白9920% +50%金5%银10%无色20%图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值允许误差均为20%。例如，色环为棕黑红，表示101021.0k20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值二位有效数字及精度。例如，色环为棕绿橙金

16、表示1510315k5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值三位有效数字及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示2751042.75M1%的电阻器。普通四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的间隔 较远。较规范的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的1.52倍。允许误差标称值有效数字后0的个数标称值第三位有效数字标称值第二位有效数字标称值第一位有效数字有些色环电阻器由于厂家消费不规范，无法用上面的特征判别，这时只能借助万用表判别。颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍 率允许偏向黑000棕1111%红2222%橙333黄444绿5550.5%蓝6660.25紫7770

17、.1%灰888白999金银图2 三位有效数字阻值的色环表示法电位器的主要技术目的(1) 额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。运用中应留意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。(2) 标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。(3) 允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许20%、10%、5%、2%、1%的误差。精细电位器的精度可达0.1%。(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度或滑动行程之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数方式，常用的有直线式、对数式和反转对数式指数式。在运用中，直线式电位器适宜于作分压器；反转对数式指

18、数式电位器适宜于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时假设找不到同类品，可用直线式替代，但不宜用对数式替代。对数式电位器只适宜于作音调控制等。电位器的普通标志方法 WX1 510 J允许误差5%标称阻值510额定功率1W线绕电位器 WT2 33K 10%允许误差10%标称阻值3.3k额定功率2W碳膜电位器电容器电容器型号命名法表6 电容器型号命名法第一部分：主称第二部分：资料第三部分：特征、分类第四部分：序号符号意义符号意义符号意义瓷介云母玻璃电解其他C电容器C瓷介1圆片非密封箔式非密封对主称、资料一样，仅尺寸、性能目的略有不同，但根本不影响互运用的产品，给予同一序号；假设尺寸

19、性能目的的差别明显；影响互换运用时，那么在序号后面用大写字母作为区别代号。Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他例如：铝电解电容器C D 1 1第四部分：序号第三部分：特征分类箔式第二部分：资料铝第一部分：主称电容器圆片形瓷介电容器纸介金属膜电容器C Z J X第四部分：序号第三部分：特征分类金属膜第二部分：资料纸介第一部分：主称电容器C C 1 1第四部分：序号第三部分：特征分类圆片第二部分：

20、资料瓷介质第一部分：主称电容器电容器的主要技术目的(1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流任务电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。(2) 电容器允许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。表7允许误差2%5%10%20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI(3) 标称电容量：表8 固定式电容器标称容量系列和允许误差系列代号E24E12E6允许误差5%I或J10%II或K20%III或m标称容量对应值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,3

21、9,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。电容器的标志方法直标法 容量单位：F法拉、F微法、nF纳法、pF皮法或悄然法。1法拉=微法=悄然法， 1微法=纳法=悄然法1纳法=悄然法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF；用小于1的数字表示单位为F 的电容，例如0.1表示0.1F

22、。(2) 数码表示法 普通用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i，i为第三位数字，假设第三位数字9，那么乘10-1。如223J代表22103pF22000pF0.22F，允许误差为5%；又如479K代表4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。3色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线陈列。色码普通只需三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。电感器电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感

23、器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。电感器的主要技术目的(1) 电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：式中：磁通量 I电流强度固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。(3) 质量因数：电感线圈的质量因数定义为：式中：任务角频率，L线圈电感量，R线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中允许经过的最大电流。(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。电感器电感量的标志方法(1) 直标法。单位H亨利

24、、mH毫亨、H微亨、(2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法一样。色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法类似，色码普通有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位。半导体分立器件半导体分立器件的命名方法我国半导体分立器件的命名法表9 国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器件的资料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件序号用汉语拼音表示规格的区别代号符号意义符号意义符号意义符号意义23二极管三极管ABCDABCDEN型，锗资料P型，锗资料N型，硅资料P型，硅资料PNP型，锗

25、资料NPN型，锗资料PNP型，硅资料NPN型，硅资料化合物资料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管(3MHz,PC1W)高频小功率管(3MHzPC1W)DATYBJCSBTFHPINJG低频大功率管(3MHz,PC1W)高频大功率管(3MHzPC1W)半导体闸流管(可控硅整流器)体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件例：1) 锗资料PNP型低频大功率三极管：规格号序号低频大功率PNP型、锗资料三极管3 A D 5 C2) 硅资料NPN型高频小功率三极管：规格号序号高频小功率NPN型、锗资料三极管3

26、 D G 201 B3) N型硅资料稳压二极管：2 C W 51序号稳压管N型、硅资料二极管4) 单结晶体管：规格号耗散功率三个电极特种管半导体3 A D 5 C国际电子结合会半导体器件命名法表10 国际电子结合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示运用的资料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A锗资料A检波、开关和混频二极管M封锁磁路中的霍尔元件三位数字通用半导体器件的登记序号同一类型器件运用同一登记号ABCDE同一型号器件按某一参数进展分档的标志B变容二极管P光敏元件B硅资料C低频小功率

27、三极管Q发光器件D低频大功率三极管R小功率可控硅C砷化镓E隧道二极管S小功率开关管F高频小功率三极管T大功率可控硅一个字母加两位数字公用半导体器件的登记序号(同一类型器件运用同一登记号)D锑化铟G复合器件及其它器件U大功率开关管H磁敏二极管X倍增二极管R复合资料K开放磁路中的霍尔元件Y整流二极管L高频大功率三极管Z稳压二极管即齐纳二极管例如命名：A F 239 SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗资料国际电子结合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是

28、按欧洲某一厂家专利消费的产品。2) 第一个字母表示资料A表示锗管，B表示硅管，但不表示极性NPN型或PNP型。3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。假设记住了这些字母的意义，不查手册也可以判别出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率公用三极管。4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为公用品，顺序号相邻的两个型号的特性能够相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185那么为NPN型。5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数如hFE或NF进展分档。6) 型号中的符号均不

29、反映器件的极性指NPN或PNP。极性确实定需查阅手册或丈量。美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里引见的是美国晶体管规范型号命名法，即美国电子工业协会EIA规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。表11 美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类型用数字表示PN结的数目美国电子工业协会(EIA)注册标志美国电子工业协会(EIA)登记顺序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或J军用品1二极管N该器件已在美国电子工业协会注册登记多位数字该器件在美国电子工业协会登记的顺序号A

30、BCD同一型号的不同档别2三极管无非军用品3三个PN结器件nn个PN结器件例：1) JAN2N2904JAN 2 N 2904EIA登记序号EIA注册标志三极管军用品2) 1N40011 N 4001EIA登记序号EIA注册标志二极管美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改良，型号内容很不完备。例如，对于资料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既能够是普通晶体管，也能够是场效应管。因此，仍有一些厂家按本人规定的型号命名法命名。2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的根本部分。3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3

31、N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件能够特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。5) 不同厂家消费的性能根本一致的器件，都运用同一个登记号。同一型号中某些参数的差别常用后缀字母表示。因此，型号一样的器件可以通用。6) 登记序号数大的通常是近期产品。日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件包括晶体管或其它国家按日本专利消费的这类器件，都是按日本工业规范JIS规定的命名法JISC702命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。

32、通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：M松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队顾问部有关规范登记的产品。N松下公司用来表示该器件符合日本广播协会NHK有关规范的登记产品。Z松下公司用来表示公用通讯誉的可靠性高的器件。H日立公司用来表示专为通讯誉的可靠性高的器件。K日立公司用来表示专为通讯誉的塑料外壳的可靠性高的器件。T日立公司用来表示收发报机用的引荐产品。G东芝公司用来表示专为通讯誉的设备制造的器件。S三洋公司用来表示专为通讯设备制造的器件。第七部分的符号，常被用来作为器件

33、某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。表12 日本半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数S表示日本电子工业协会EIAJ的注册产品用字母表示器件的极性及类型用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号用字母表示对原来型号的改良产品符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义0光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合管S表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件APNP型高频管四位以上的数字从11开场，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能一样的

34、器件可以运用同一顺序号，其数字越大越是近期产品ABCDEF用字母表示对原来型号的改良产品BPNP型低频管CNPN型高频管DNPN型低频管1二极管FP控制极可控硅2三极管、具有两个以上PN结的其他晶体管GN控制极可控硅HN基极单结晶体管JP沟道场效应管KN沟道场效应管3具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管M双向可控硅n-1具有n个有效电极或具有n-1个PN结的晶体管例如：12SC502A日本收音机中常用的中频放大管2SC502型的改良产品日本电子工业协会登记顺序号NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管两个PN结2 S C 502 A22SA495日本夏普公司GF9494收录机用小功

35、率管2 S A 495日本电子工业协会登记顺序号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管两个PN结日本半导体器件型号命名法有如下特点：1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1表示二极管，用“2表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示资料和极性。3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示资料，也不表示功率的大小。4) 第四部分只表示在日本工业协会EIAJ注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能能够相差很远

36、。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全一样。6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标志的型号，常采用简化标志的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。7) 在低频管2SB和2SD型中，也有任务频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。8) 日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。常用半导体二极管的主要参数表13 部分半导

37、体二极管的参数类型参数型号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降(在左栏电流值下)/V反向击穿电压/V最高反向任务电压/V反向电流/A零偏压电容/pF反向恢复时间/ns普通检波二极管2AP9162.5140202501fH(MHz)1502AP751501002AP1125101102501fH(MHz)402AP171510100锗开关二极管2AK11501301032002AK240202AK52000.9604021502AK10101705021502AK132500.760402AK147050硅开关二极管2CK70AE100.8A30B45C60D75E90A20B30C40D5

38、0E601.532CK71AE2042CK72AE30152CK73AE5012CK74AD1002CK75AD1502CK76AD200整流二极管2CZ52BH20.1125 600同2AP普通二极管2CZ53BM60.3150 10002CZ54BM100.5150 10002CZ55BM201150 10002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.250100010常用整流桥的主要参数表14 几种单相桥式整流器的参数参数型号不反复正向浪涌电流/A整流电流/A正向

39、电压降/V反向漏电/A反向任务电压/V最高任务结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL8603常用稳压二极管的主要参数表15 部分稳压二极管的主要参数 测试条件 参数型号任务电流为稳定电流稳定电压下环境温度150管 脚CBE(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数原 型 号3DG12测 试 条 件新 型 号3DG130A3DG1

40、30B3DG130C3DG130D极限参数PCM(mW)700700700700ICM(mA)300300300300BVCBO(V) 40 60 40 60IC100ABVCEO(V) 30 45 30 45IC100ABVEBO(V) 4 4 4 4IE100A直流参数ICBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5VCB10VICEO(A) 1 1 1 1VCE10VIEBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5VEB1.5VVBES(V) 1 1 1 1IC100mA IB10mAVCES(V) 0.6 0.6 0.6 0.6IC100mA IB10mAhFE30 30 30 30VCE

41、10V IC50mA交流参数fT(MHz) 150 150 300 300VCB10V IE50mA f100MHz RL5KP(dB) 6 6 6 6VCB10V IE50mA f100MHzCob(pF) 10 10 10 10VCB10V IE0hFE色标分档(红)3060 (绿)50110 (蓝)90160 (白)150管 脚CBE90119018塑封硅三极管表21 90119018塑封硅三极管的参数型 号(3DG)9011(3CX)9012(3DX)9013(3DG)9014(3CG)9015(3DG)9016(3DG)9018极限参数PCM(mW)20030030030030020

42、0200ICM(mA)203003001001002520BVCBO(V)20202025252530BVCEO(V)18181820202020BVEBO(V)5554444直流参数ICBO(A)0.010.50,50.050.050.050.05ICEO(A)0.1110.50.50.50.5IEBO(A)0.010.50,50.050.050.050.05VCES(V)0.50.50.50.50.50.50.35VBES(V)111111hFE30303030303030交流参数fT(MHz)1008080500600Cob(pF)3.52.541.64KP(dB)10hFE色标分档(红)3060 (绿)50110 (蓝)90160 (白)150管 脚EBC常用场效应管主要参数表22 常用场效应三极管主要参数参数称号N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA)0