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1、 等离子刻蚀工艺原理介绍Etch/CSMC2011.10.14 等离子刻蚀工艺原理介绍等离子刻蚀工艺原理介绍包含以下几个方面： 等离子体基本概念 等离子刻蚀基本原理 等离子刻蚀应用概述等离子刻蚀工艺原理介绍包含以下几个方面：概述 Plasma就是等离子体(台湾一般称为电浆), 由气体电离后产生的正负带电离子以及分子, 原子和原子团组成. 只有强电场作用下雪崩电离发生时, Plasma才会产生. 气体从常态到等离子体的转变, 也是从绝缘体到导体的转变. Plasma 一些例子: 荧光灯,闪电, 太阳等. 什么是Plasmaenergygasplasmaeeee Plasma就是等离子体(台湾一般

2、称为电浆), 由气体电离 Plasma产生激活态的粒子以及离子. 激活态粒子（自由基）在干法刻蚀中主要用于提高化学反应速率, 而离子用于各向异性腐蚀(Anisotropic etch). 在固定Power输入的气体中, 电离和复合处于平衡状态. 在正负离子复合或电子从高能态向低能态跃迁的过程中发射光子. 这些光子可用于终点控制的检测。 半导体工艺Plasma一般都是部分电离, 常规0.01%10% 的原子/分子电离. 为什么Plasma运用在干法刻蚀中 Plasma产生激活态的粒子以及离子. 激活态粒子（自由基 各向异性刻蚀中的圆片偏压射频功率通过隔直电容加到圆片背面，这样隔离直流而能通过射频

3、，使圆片和基座充电为负偏压状态(平均). 半导体圆片不一定是电导体(因为表面可能淀积一层SiO2或SiN膜), 直流偏压不能工作, 因为Plasma很快补偿了绝缘体上的偏压. - - - - - - - - + + + + + + - - - - - - - - -+ 各向异性刻蚀中的圆片偏压射频功率通过隔直电容加到圆片背面， 非对称的腔体中，圆片面积腔体面积， 所以较高的鞘层/暗区(Sheath/Dark Space)电压出现在Plasma到圆片之间。 圆片偏压的产生-1plasmasheath asheath bSheath bsheath aplasmap 非对称的腔体中，圆片面积 控制离子浓度/能量。提高Bias 功率，提高腐蚀速率。 低离子能量 - 低的碰撞速度。 离子能量影响方向性 - 高离子能量意味着离子更少偏离原来运动方向。Bi

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