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文档简介

中电流表的连接方式如图甲或乙所示,结果由公式

R=中电流表的连接方式如图甲或乙所示,结果由公式

R=I计

在伏安法测电阻的实验中,待测电阻

R约为

200

Ω,电压表V

的内阻约为

2

,电流表

A

的内阻约为

10

Ω

,测量电路U算得出,式中

U

I

分别为电压表和电流表的读数;若将图甲和图乙中电路测得的电阻值分别记为 R

R

,则________(填“R”或“R”)值

R______(填“大于”“等于”或“小于”)值

R________(填“大于”“等于”或“小于”)真实值。答案 R 大于 小于

在“描绘小灯泡的伏安特性曲线”的实验中,某同学测得电流—电压的数据如下表所示:(1)用上表数据描绘电压随电流的变化曲线。

(2)为了探究灯丝电阻与温度的关系,已作出电阻随电流的变化曲线如图所示;请指出图线的特征,并解释形成的原因。答案 (1)如图所示

(2)电阻随电流增大存在三个区间,电阻随电流的变化快慢不同。增大也变慢。

某学习小组欲探究小灯泡(“3

V、1.5

W”)供的实验器材如下:A.电池组:电动势约

4.5

V,内阻可不计;B.双量程的电压表:V

0~3

V、内阻约为3

kΩ;V:量程为

0~15

V、内阻约为

15

kΩCA

0~0.6

A

1

Ω;A:量程为

0~3

A、内阻约为

0.1

ΩD.滑动变阻器

R:阻值范围为

0~10

Ω、允许通过的最大电流为

2

A;E.开关

S,导线若干。在尽量提高测量精度的情况下,请回答下列问题:(1)根据以上器材,用笔画线代替导线将图甲中的实物图连接成完整电路。(2)________(填“A”或“B”)端。

(3)的坐标纸上画出小灯泡的

U-I

图线。(4)根据图线可估得小灯泡在常温下的电阻约为

________Ω。(结果保留两位有效数字)答案 (1)见答案 (1)C E(2)实验电路如图所示

(3)实验电路如图所示

为探究小灯泡的电功率

P

和电压

U

的电压

U

和电流

I,利用

P=UI

得到电功率。实验所使用的小灯泡规格为“3.0

W”,电源为

12

V的电池,滑动变阻器的最大阻值为

10

Ω。(1)准备使用的实物电路如图所示。请将滑动变阻器接入电路的正确位置。(用笔画线代替导线)(2)现有

10

Ω、20

Ω和

50

Ω的定值电阻,电路中的电阻

R应选________

Ω

的定值电阻。(3)________除其他导线,最后整理好器材。

(4)小明处理数据后将

P、U

描点在坐标纸上,并作出了一条直线,如图所示。请指出图象中不恰当的地方。答案 (1)见答下列问题:(1)实验中选择滑动变阻器__________(填“R”或“R”)。(2)根据图甲所示电路将图乙中实物图连线。(3)实验步骤④中记录的电阻箱阻值为

630.0

Ω,若认为调节电阻__________Ω。(结果保留到个位)(4)如果此电压表是由一个表头和电阻串联构成的,可推断该表头的满刻度电流为__________。(填选项字母)A.100

μA B.250

μA

C.500

μA D.1

mA答案 (1)R (2)连线如图所示(3)2

520 (4)D

如图甲所示为某同学实验得到的小灯泡灯丝电阻的

U-I

关系曲线图。(1)在图乙中画出实验电路图(根据该电路图可得到

U-I

关系的完整曲线),可用的器材有:电压传感器、电流传感器、滑动变阻器(变化范围

0~50

Ω)、电动势为

6

V

的电源(不计内阻)、小灯泡、开关、导线若干。(2)动势为

1.5

V

1.5

Ω

R=18

Ω。则接入________(填“丙”或“丁”)电路时,小灯泡较亮些。

(3)在电路丁中,小灯泡消耗的电功率为________

W。(4)若将电路丁中的电阻

R

替换为另一个完全相同的小灯泡,其他条件不变,则此时电源内部的发热功率为______

W。答案 (1)实验电路图如图所示。(2)丙 (3)0.15 (4)0.30

硅光电池在无光照时不产生电能,可视为一电子元件。某实(硅光电池负)伏安特性。图中电压表

V量程选用

3

V,内阻为

6.0

kΩ;电压表

V量程选用

15

V

,内阻约为

30

;R为保护电阻;直流电源电动势

E

约为

12

V,内阻不计。(1)根据图甲,用笔画线代替导线,将图乙连接成完整电路。

(2)用遮光罩罩住硅光电池,闭合开关S,调节变阻器R,读出电压表

V、V的示数

U、U。①某次测量时,电压表

V示数如图丙,则

U=______

V,可算出通过硅光电池的反向电流大小为________

mA。(结果保留两位小数)②该小组测出大量数据,筛选出下表所示的

9

U、U数据,算出相应的硅光电池两端反向电压U和通过的反向电流I(表中“-”表示反向),并在坐标纸上建立

I-U坐标系,标出了与表中前

5

组U、I数据对应的

5

个坐标点。请你标出余下的4

个坐标点,并绘出I-U图线。

I③由

I-U与

UI成________(填“线性”或“非线性”)关系。答案 (1)连线见答案 (1)如图所示 (2)B

某同学利用如图甲所示的电路测量一微安表(量程为

100

μA,内阻大约为

2

500

Ω)的内阻。可使用的器材有:两个滑动变C阻器

R、R(其中一个阻值为

20

Ω

2

000

Ω);C电阻箱

R(最大阻值为

99

999.9

Ω);电源

E(电动势约为

1.5V)

S和

S。

、D

分别为两个滑动变阻器的滑片。

(1)按原理图甲将图乙中的实物连接起来。(2)完成下列填空:①R的阻值为________(填“20”或“2

000”)Ω。②为了保护微安表,开始时将

R的滑片

C

滑到接近图甲中的滑动变阻器的________(填“左”或“右”)端对应的位置;将

R

的滑片

D

置于中间位置附近。③将电阻箱

R的阻值置于

2

500.0

Ω

,接通

S。将

R的滑片置于适当位置,再反复调节

R

的滑片

D

的位置。最终使得接通

S

前后,微安表的示数保持不变,这说明S接通前

B

D

所在位置的电势________(填“相等”或“不相等”)。④将电阻箱

R

和微安表位置对调,其他条件保持不变,发现将R的阻值置于

2

601.0

Ω时,在接通S前后,微安表的示数也保持不变。待测微安表的内阻为________Ω。(结果保留到个位)(3)写出一条提高测量微安表内阻精度的建议:_______________。答案 (1)连线见答案 (1)A(2)①③②(或①②③)(3)如图所示 0.04+8.8(0.04+8.6~0.04+9.0

都算对)

尔电压,且满足

U尔电压,且满足

U=k

d

,式中

d

为薄片的厚度,k

为霍尔实验研究上取得了突破性发展。如图所示,在一矩形半导体薄片的

P、Q

间通入电流

I,同时外加与薄片垂直的磁场

B,在

M、N

间出现电压

U,这个现象称为霍尔效应,U为霍IB系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)方向如图所示,该同学用电压表测量U时,应将电压表的“+”接线柱与________(填“M”或“N”)端通过导线连接。(2)已知薄片厚度

d=0.40

mm,该同学保持磁感应强度

B=0.10

T

不变,改变电流

I

的大小,测量相应的

U值,记录数据如下表所示。I/(10

A)U/(10

V)

3.01.1

6.01.9

9.03.4

12.04.5

15.06.2

18.06.8根据表中数据在如图所示的坐标纸上画出

U-I

图线,利用图(线求出该材料的霍尔系数为______×10

V·m·A·T。保留两位有(效数字)(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,学设计了如图所

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