• 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-12-28 颁布
  • 2019-07-01 实施
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GB/T 37053-2018氮化镓外延片及衬底片通用规范_第1页
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T37053—2018

氮化镓外延片及衬底片通用规范

Generalspecificationforepitaxialwafersand

substratesbasedongalliumnitride

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T37053—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司合肥彩虹蓝光科技有限公司苏州纳维科技有

:、、

限公司南京大学电子科学与工程学院中国电子技术标准化研究院

、、。

本标准主要起草人丁晓民刘南柳潘尧波徐科修向前孙永健王香张国义

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37053—2018

氮化镓外延片及衬底片通用规范

1范围

本标准规定了氮化镓外延片以下简称外延片及氮化镓衬底片以下简称衬底片的通用规范包

()(),

括产品分类要求检验方法检验规则以及标志包装运输和储存等

、、、、、。

本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片产品主要用于发光二极管激光二极管探测器等光

。、、

电器件以及微波与电力电子功率器件

,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

颜色术语

GB/T5698—2001

半导体材料术语

GB/T14264—2009

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件为了便于使

GB/T5698—2001、GB/T14264—2009。

用以下重复列出中的某些术语和定义

,GB/T14264—2009。

31衬底结构

.

311

..

氮化镓自支撑衬底free-standingGaNsubstrate

半导体工艺中的基底具有特定晶面和适当电学光学和机械特性的用于外延沉积扩散离子注入

,、、、

等后续工艺操作的氮化镓基片

。

312

..

氮化镓复合衬底GaNtemplate

由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构用于外延沉积扩散离子注入等后续工艺

,、、

操作的氮化镓基片

。

32衬底导电类型

.

321

..

氮化镓半绝缘型衬底semi-insulatingGaNsubstrate

电阻率大于6的氮化镓自支撑衬底

10Ω·cm。

33材料特性

.

331

..

面电阻均匀度sheetresistanceuniformity

外延片中薄层电阻的分布状况一般表述为

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

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