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习题答案第1页第一章1.21.1第2页第3页第4页1.2第5页第二章2.3.4.72.2以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。As有5个价电子，其中四个价电子与周围四个Ge原子形成共价键，还剩下一种电子，同步As原子所在处也多出一种正电荷，称为正离子中心，因此，一种As原子取代一种Ge原子，其效果是形成一种正电中心和一种多出电子.多出电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小能量就可使电子挣脱束缚，成为在晶格中导电自由电子，而As原子形成一种不能移动正电中心。这个过程叫做施主杂质电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有施主杂质半导体叫N型半导体。第6页2.3以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。Ga有3个价电子，它与周围四个Ge原子形成共价键，还缺乏一种电子，于是在Ge晶体共价键中产生了一种空穴，而Ga原子接收一种电子后所在处形成一种负离子中心，因此，一种Ga原子取代一种Ge原子，其效果是形成一种负电中心和一种空穴，空穴束缚在Ga原子附近，但这种束缚很弱，很小能量就可使空穴挣脱束缚，成为在晶格中自由运动导电空穴，而Ga原子形成一种不能移动负电中心。这个过程叫做受主杂质电离过程，能够接收电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心杂质，称为受主杂质，掺有受主型杂质半导体叫P型半导体。第7页2.4以Si在GaAs中行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中也许出现双性行为。

Si取代GaAs中Ga原子则起施主作用；Si取代GaAs中As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，伴随硅浓度增加，硅取代As原子起受主作用。第8页第9页第三章1.2.7.153.1第10页3.2试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）第11页第12页第13页第14页第15页3.7第16页第17页3.15第18页第四

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