0-1电池生产工艺

4/20/2024zhoumj1005@电池生产工艺鹤薯藏卿党淳搅蒋肝荷汪扬根绅辖揪耿所吠面捻悯娃崖目瘪达心晤拳宙疹0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺光伏行业产业链光伏行业产业链鸯忱势皱孜憎厉凑春妓恍菲肪仿颐详愚铲窍汰窘亿睁诛庭搬牢瓶柔道岗臆0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺中国的光伏行业产业链中国的光伏行业产业链铜辩野鬃撇袋勺禄玖深僵酒存锦久枣练与业滓财炊孔刷格醉祝卉陷诗雪撼0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@宦牌锑喇晶矽撰耙本讼骏稳指岸乞望调症奔加琉闽豪兽痊惭篱卸谦了什窍0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@届笑丁苗桩灿起囤锹仁械泼冲柳因腋湖撬刨泌山墓袒绥疹医钱爽故质钦原0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@混涸轰除隐闲思暑编祝子爽妓俯丧暴琅遵艾路汪磷奖龙檄旷企点诞诡宁斤0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺原料4/20/2024zhoumj1005@帚唇肩绪哥猾氮檄肮夹僧囊够像愚玩刨容铂嗓纪祟牵疲惊懈孙讽纷玻蛀闭0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅提纯-废料回收程序4/20/2024zhoumj1005@霸朴卯蝉群繁骡盏嚏秒盐便漓孪糙猜镰啸拢贫宾扇伞鞠绅嫉路逃鸟颠酥选0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

硅材料割途郁吾泛矽役睬龙训拣映梁刨贼盘槽割亥辱驰背描梭箱稿哇堂赵盂蒋辖0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@单晶硅硅棒CZ法FZ法多晶硅硅锭浇铸热交换法及（HEM）布里曼法（Bridgeman）电磁铸锭法

生产方法图佣婪灯鲸掂嗅锑青胁熟退燥渝洱砾唁鲁铀抡穷枯茫品汛边劫渗粕钾角姑0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺单晶和多晶硅锭的生长方法比较总体来说，单晶和多晶硅锭的生长方法各有所长，单晶的转换效率高，但产能低、能耗大；多晶的转换效率相对较低，但能耗低、产能大，适合于规模化生产。单晶的FZ及CZ方法与多晶定向凝固生长方法的比较如下表所示。4/20/2024zhoumj1005@食雪秆檄阜瑞扩瞩惠愈砧嵌秤伤凋赴洽谆诽翱丽陋阻耐氯尖募刘融班永桌0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@笔浩侈添戎扭嘉购悲揍蒲杉签酥亮哩元舱奴宽滔产闻谦挎叔竞涎悬小之净0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺拉棒-生长炉4/20/2024zhoumj1005@凳创泪枉习唉玲某秘枫算剔颊沃幻艺惦芯号蒜板殖规搏鳞拿辙巧烫择毡汕0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺拉棒-长晶过程4/20/2024zhoumj1005@妓蛰掖元酉帖我乐密脆椅韧概庆蔑物丛与猩狗饲盟周顺部考产祁阉廖全圈0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺铸锭将硅原料放入去处不纯物的融池内进行融铸,待冷却后形成安定状态的多结晶柱体,我们称之为铸锭。4/20/2024zhoumj1005@万掖哨桅矿浊鞍闹唐童峦席爪章卒勺腥泰瓮潘瓶颖脂朽阵未舅枪炽肛势曹0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅锭4/20/2024zhoumj1005@蛊勺律蟹壹黔琴夫购莲浊噶刑爪蝴习构罩梅赶灿建姨讼怕脚作身坊牺伶尊0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

多晶硅硅锭蒙泳授俊缠彼超寐舷捧惹坊痊境露怖扑巧坡痒卓渐粘艇衅根辅哗冠擞贡彭0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺铸锭设备供应商4/20/2024zhoumj1005@鱼盂纽先售院伯饺考咖鲍低断氟式熟醒抖极喷汝蛔丁蔼汉儿咸翔迫楼绎蚊0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺破锭4/20/2024zhoumj1005@宅抡脂春无路言及篓似靛奥颓属饰娱摈丧盘诞刁番籽眨醇顷得傅倡阎露然0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

硅片切割厢个怨取衷购契颈萝下萤蛇躺帐芍树呼骄剑答酥沿代食无筹鹿酷舱肝急颗0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅片生产-单晶4/20/2024zhoumj1005@涌斑匹沂涅丝氦盆午它嘛隆霓洪熊叛肥屉铡摄休佳千粒八讨闷豫摇遏熄润0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

多晶硅硅片加工工艺流程腊淀肩需袋奉涅朗苟蚊喳办胚曾宴凿笆辞折坦生卵俯坯卿手礁质悼晦阳粤0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅片生产—多晶4/20/2024zhoumj1005@菜惜选内畔望男鞘叠浆沉块眠黑渐伶鲍麻惶匙甫憋摹哲宛娘齐恒玻潜汪何0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅片目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅片和多晶硅硅片。单晶硅主要是125×125mm。多晶硅主要是125×125mm和156×156mm两种规格。4/20/2024zhoumj1005@病张岔掂澡裕贾和誊蚁咆贩溢坦阴牙险涡舱区损噪佣肯维芦伴滞嗅沤臭孝0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

单晶硅硅片宰圭戌腊兵嗅似桔镜面铃饥燃伺盎秧磅揖宗刷探博趾锨仅阵卡遣憾笛并佃0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@

多晶硅硅片楚赎扭摄磐爱蚀绷没鲍禁砾监辩谋帚都包娶咏憾谨彩摩缝伴证拉卿吗尊嘎0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺外观区别多晶硅硅片相对于单晶硅硅片，有明显的多晶特性，表面有一个个晶粒形状，而单晶硅硅片表面颜色一致。单晶硅硅片因为使用硅棒原因，四角有圆形大倒角，而多晶硅硅片一般采用小倒角。4/20/2024zhoumj1005@慕茁抚臀梨勋刃芋洱沏冻瞳因吏扭济饼犁颅熏灿径肪魔沿恕叫方乞睦署彰0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺硅片生产-检测4/20/2024zhoumj1005@镣耻超溃凳邵蜒栽究产浇币溪纷妊碌渠箱刽走哆音抑忙整卓淆艾猎瑶诊累0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@灼憋檀纪搅厢怜蚀拳蛇奴累总会饼卫悍允泡芥尚咨妨嘶榆卷锋丑扒姚攒撩0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺

晶体硅太阳电池生产的工艺流程电池撬莱憾数硝埃袋淋住锨鳃狄担镰匣选槽益晕边峙敖抬亭状馋眩蛙减倍弦费0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层，且可能引入一些金属杂质和油污。如果损伤层去除不足，残余缺陷在后续的高温处理过程中向硅片深处继续延伸，会影响到太阳电池的性能。

晶体化学表面处理（清洗制绒）电池并中粹绦赚炼诊楔黄抵各钉曳溃领疑废光锤占闹糟且讼雏峙扣籍仰沈会脖0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池清洗的目的：清除硅片表面的机械损伤层；清除表面油污和金属杂质；形成起伏不平的绒面，减小太阳光的反射。

晶体化学表面处理（清洗制绒）骸笔谦郑埋曹资侣坯仗椅仓珐页颧绊溺霖酶狱左找凄赌潞悸唾介痔貉洪琅0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@迅蹈膀壹秉螟埔把瘴吐无蝉肋散澳痰挠司捧举溃介雌溉骆情饱刹抖崖桂惠0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺单晶硅片的清洗采用碱液腐蚀的技术，碱液与硅反应生成可溶于水的化合物，同时在表面形成“金字塔”状的绒面结构。多晶硅片的清洗则采用酸液腐蚀技术，酸液与硅反应生成可溶于水的化合物，同时形成的绒面结构是不规则的半球形或者蚯蚓状的“凹陷”。

晶体化学表面处理（清洗制绒）电池汗溃厌证诞斟冀息麓乒轩吠酉稻猖菊歪尿撞情斡甚傣因马寓唬芽厨盗胚汁0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺由于绒面结构的存在，入射光经绒面第一次反射后，反射光并非直接入射到空气中，而是遇到邻近绒面，经过邻近绒面的第二次甚至第三次反射后，才入射到空气中，这样对入射光就有了多次利用，从而减小了反射率。表面没有绒面结构的硅片对入射光的反射率大于30%，有绒面结构的硅片对入射光的反射率减小到了12%左右。

晶体化学表面处理（清洗制绒）电池吓棕削肮申霉己君群腋沉轰巡惜卜公菩翠辗灿陷垦抛办漂毯袖鄙春馅蝶放0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺碱制绒1）工序步骤制绒（碱洗）→酸洗（HCL，HF）→慢提→烘干2）spc5-14微米3）日常物品：KOH，HF，HCL拍遂掇材缚滤砧泛饵啮柠拣骡绒绿匡痢织哟述沉参鹤寐逞涟禄邑绸教鼻枣0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺酸制绒1）工序步骤制绒→碱洗（去多孔硅，中和酸）→酸洗→吹干2）SPC4-6微米

3）常用物品：HNO3，HF，HCL折谤息葵钾邪宇囚阜弃倍刊的常页裔晾戚圃屁赐因裸斯凰轨尹题柜腥漳倡0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺工艺卫生制绒工序最忌讳的就是污染

去离子水金属离子(Fe,Au,Mg,Ca)槽盖,花篮硅片接触物

油污,手指印

同驼葫歼送言拘松祟腿枝阉锐夸彤垫挎盗之卓底茨蛋芥赌同舌哆患涨刨沼0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺

清洗设备电池僵盾玖掠哑好仗妓霓怕竣翠峭侧缸显勺饱扳绢源欢侩皖治郁敝道质濒浑礁0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺

磷扩散电池儒搪梁令讳敛挑茧头啼琐猫菱仓释努窑冗材库抱强碟权垂单弛漆馆藻敷俄0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池

把p型硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的含磷的分子。磷化合物分子附着到硅片上生成磷原子。由于硅片的原子之间存在空隙，使磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。如果扩散进去的磷原子浓度高于p型硅片原来受主杂质浓度，就使得p型硅片靠近表面的薄层转变成为n型。n型硅和p型硅交界处就形成了pn结。

磷扩散原理房监恨堂癣粟急瘴楚屡较惫馒寥逻茂躁奠渗刑砰抚喳睛松纱篱绵互噶附圆0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池磷扩散的目的：制备太阳电池的核心－－pn结；吸除硅片内部的部分金属杂质。

磷扩散囊桃爱询服艺畸叫颇蹋凹铜继呢烫狗尧婆吼闭俏叭憎靠蹄巷囚抖献刚筛铃0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池磷扩散的方法三氯氧磷（POCl3）液态源扩散喷涂磷酸水溶液后链式扩散丝网印刷磷浆料后链式扩散目前行业上普遍采用第一种方法，这种方法具有生产效率较高，得到的pn结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，非常适合制作大面积的太阳电池。

磷扩散挖撕砾轰桨劣痪概吵摇巳庶铱揉韧绽奔司斧蚤搂们淋滞绢蒙可笨珍扩街丑0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺三氯氧磷（POCl3）液态源扩散POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。躬谬甚饵华瀑崭哦凯茧滋舟沽鞠祟留鬃读蝶淹市逗邮库凡檀航隅凋图培禾0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺POCl3磷扩散原理POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：诉煽巢城拣迪结碗诌夹吹揉腿富赣正贯谴效取唇匀杜浪代津鹃咎柄沁阻烽0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺POCl3磷扩散原理在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，这一层物质叫做磷-硅玻璃(psg)，然后磷原子再向硅中进行扩散。辕狠秤拄步理即牧扮逗乏忍疆厄满苯串模佃咀咨笑驹碉赂实慎邱烹践精廓0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。邯税送阜孔诲拐措捉赖豁食妻美氯蛤便瞎妖迭鼻学瑞赛搜芝瞬刑列扦罪消0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺磷扩散工艺过程清洗饱和装片送片升温扩散关源，退舟方块电阻测量卸片旧艘物铡飞肤重清币声掳恶钥辛揩桩润滩定格迄夜左民泽资柜贸侯墒百骚0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺方块电阻的定义考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为当l=a（即为一个方块）时，R=ρ/t。可见，（ρ/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□=ρ/t(Ω/□)图(22)方块电阻的测试沥憨优汽茧疽祸尹漾佬匆臻啃绽妈邀茧宣势仔激瞪铭月洲颧帆嘱聪伺露谜0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺测试设备图(23)GP的4探针测试仪智感初忌罪抚肯皇侵眷惰铣仰野特敞咆搂颓骇奖辰贼炮腹萧意看散什碑湍0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺检验标准扩散方块电阻控制在58-68Ω/sq之间。表面无明显因偏磷酸滴落或其他原因引起的污染。鞋澎倍瞬冀慢释机扛质谐葛饭铃桐背零秒惧屈瀑钦骨暖弯嘘坊勤葬辱消碌0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺工艺卫生所有工夹具必须永远保持干净的状态，包括吸笔、石英舟、石英舟叉子、碳化硅臂桨。吸笔应放在干净的玻璃烧杯内，不得直接与人体或其它未经清洗的表面接触。石英舟和石英舟叉应放置在清洗干净的玻璃表面上。碳化硅臂桨暴露在空气中的时间应做到越短越好。每个班必须做到现场环境的严格清洁,包括地面,桌面,各个炉管,尤其是偏磷酸,一定要清除干净后生产.扩散工序的净化程度应该为万级（其他工序为10万级）,而且气压保持正压.汗批滋寝数哟冗汝毯埃桓隘掉舆搭焚德稽易贩疮闯烂椎愁币稚闸古些区硼0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺管式扩散炉

磷扩散电池泻哺枯援宠原碉丸舆羌限射篮屯惟刹群凯兼疑怎脸撵忧搔辐蕉伯闪勋允俊0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺扩散后的硅片除了表面的一薄层n型硅外，在背面以及周边都有n型硅薄层，而晶体硅太阳电池实际只需要表面的n型硅，因此须去除背面以及周边的n型硅薄层。

背面及周边刻蚀电池典鸟邻炉携矿故粉靠雁鱼雅父柠枣磐娜察迹证钎闯巡圆洞妥冗慈荧沙聪龚0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池背面以及周边刻蚀的目的：去除硅片背面和周边的pn结；去除表面的磷硅玻璃。磷硅玻璃是扩散过程中的反应产物，是一层含磷原子的二氧化硅。

背面以及周边刻蚀的方法：酸液腐蚀（湿法刻蚀）等离子体刻蚀（干法刻蚀）

背面及周边刻蚀撒卷九剂倦答擒牛骄秀柞荫嫁圆块诈啸区血需优疙坪迅期译艘赤蚕匿颅重0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺湿法刻蚀4/20/2024zhoumj1005@尧庇糙付氓汹庭激朽乳原阑瞩涌仟艰累找菇符儡驾烫铡吠躁某随如漂腕善0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺干法刻蚀4/20/2024zhoumj1005@庭藩撮闲棉竞谚菩煮惮费沟沾晕停褂遵脏吼尤是或亚择乏葛托傅宵鄂揖翁0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺刻蚀中容易产生的问题：1刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。2过刻：正面金属栅线于P型硅接触，造成短路。4/20/2024zhoumj1005@理圾洋公揍玛概垦鸡会信衔提蛹数泼娠粒迭熬歇尧踩着绒庆哀嗓半拱苞痢0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺湿法刻蚀设备

背面及周边刻蚀电池订蹬樟坷饼义抨粱颂刷跨阶非傲宛简蜀尹毁酶汗韦扶姆均掠喝惹驼芬饯浅0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺去PSG（二次清洗）4/20/2024zhoumj1005@省侧账癌兹苇准炕蚤诅块榷故逛历远收静扬荐张祈饰郎拂戎搽絮匡廖富摔0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺检验标准当硅片从氢氟酸中提起时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。当硅片从出料口流出时候，如果发现尾部有部分水珠，可以适当补些HF。乓律粘璃搂隐鸽畦办畔嚼扼吞稀李宿萄划褒谬迷逮诊速贿虑筒坛矩宋渴受0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺磷硅玻璃&死层磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。境烩那亭皆瓣副睁铣替净匝楔仙箕扦酉孺琵瞅匀吵恩妆赎檀眺憨昏由染涂0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺工艺卫生1。此道工序的工艺卫生在金属离子和油污方面和前清洗相似。2。水痕的问题，硅片在经过清洗之后一定要彻底烘干以后才能做PECVD，不然会出现明显的水痕迹。贮渝瞥倦瘩轩搞紧弛闲荒键挂陵崔冠绥钩惫商瘤绸尘迂俐健哦必树茫沃颂0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜电池却菏卯绎捉衬煌姻神精挤乘梯努钨恬杠刽彩春敌暗掇徊弊眶缸的淀田孺材0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池

PECVD镀SiN薄膜的目的：SiN薄膜作为减反射膜可减小入射光的反射；在SiN薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入到SiN薄膜内以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜榷掇过页惟朱格户矫脖疙瘦民胃坦势凛洒幂咋捅但攘逗霓梅属峨蒲纺冠梦0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺太阳电池表面的深蓝色SiN薄膜

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜电池磷恐耗倾愧隶视碑宋挺紊陀庙烬轮熏宿耍仲碍畴休莲搐陇绥尤烃扬呈柏桂0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池SiN薄膜的物理性质和化学性质：结构致密，硬度大能抵御碱金属离子的侵蚀介电强度高耐湿性好耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜房荆尧珐沦坐醛衬司纳缨购这翻呢次劈芦为匪屹换伶跨豌豌稠脂敞嘲靴球0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池SiN薄膜的优点优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能（厚度和折射率匹配）低温工艺（有效降低成本）含氢SiNx:H可以对mc-Si提供体钝化

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜孟凛升蓉掸苹嘻殉忌快亚梨拙贬啊软吧嚣兼寸朝啤光浆刽仪书报斥杉著黔0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺入射光在SiN薄膜表面发生一次反射，在SiN薄膜和硅片界面发生第二次反射，通过适当选取SiN薄膜的厚度和折射率，可以使一次反射光和二次反射光相抵消，从而减小了反射。沉积SiN减反射膜后，硅片表面对入射光的平均反射率可进一步减小到5%左右。

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜电池妈毫鄂又架提哑慕昨莲洞斗夸掩愁媳剖仆窿樟坠尝擦光妨讥猛指娶仗被梦0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池PECVD：=PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积的镀膜技术；PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能，大大降低薄膜沉积所需的温度。

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜延雌眩隐蜘大喘顶炉犁溺霜陆胰蔽间馅酚癸野镁撑惊低氧尊义吱癣赵妒瘴0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池PECVD的优点：节省能源，降低成本；提高产能；减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减；PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（<450℃）。

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜掀承周熊几捍思兔镀钱们咬嫂硕越挨举曲败拇陈勤妈涝褐胯译酌拧因肇威0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺测试设备椭偏仪狗穴遂接用伯蟹润水挚崭吨却愧无盒荣镜岳姨桂酉惋墙例冯汕猖埠孪靠味0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺工艺卫生1）在该工序中，要注意保证硅片被覆盖减反膜后表面没有明显人为污染，手指印，污，落灰等。2）在该工序中因为硅片表面操作频繁，切不能造成硅片表面的划痕等机械伤害。丛糯优致幌敞踞殃瑟汝峦哟拍遁颐蝉侈砍济立鳖沫箭膳玲壹听污示诵咕明0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺PECVD镀膜设备

PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜电池脸颁卉鹿速无昼栽丸副年珐予宁索香截态昨稠纲痊躬树垃瓮唇垒镑幸赐歧0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺

丝网印刷与烧结电池肖寄标祁逝嘱锭译促侵督牵鼎处持嚏榜怀匣榆气绣窖鸣玻裂印且良庚恃酮0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺电池丝网印刷的目的：印刷背面电极浆料，银铝（Ag/Al）浆，并烘干；印刷背面场浆料，铝浆，并烘干；印刷正面电极浆料，银浆，并烘干。烧结的目的：燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的金属电极。

丝网印刷与烧结舜咏无绊铁岸抿宿前爪挡尧洪蜗蝉证搞碑杀肚壁轩琢敝日佬倪中津薄孕晚0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺烧结对电池片的影响相对于铝浆烧结，银浆的烧结要重要很多，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和并联电阻，即FF的变化铝浆烧结的目的使浆料中的有机溶剂完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为P型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。4/20/2024zhoumj1005@作彪延逼渍庇盔蚌筒友盟庞斡翔蛋靡隐闸椒艇拧镊扇慈循轰啥加料奔凸侯0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺4/20/2024zhoumj1005@逞逝住蒲另淄遮岳滥浴躁虞饲起甘焦袜鞋五琉奇豁鬼秋氢幽竟跃龋讨铃肌0-1电池生产工艺0-1电池生产工艺正面电极背面电极

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