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非理想效应和迁移率变化:GaAs、InP的情形

非理想效应

迁移率变化:GaAs、InP的情形（104V/cm)与Si相比，GaAs、InP的特点：存在漂移速度峰值迁移率大存在负微分迁移率区饱和漂移速度小非理想效应

迁移率变化:速度饱和效应漏源电流下降

提前饱和饱和漏源电流与栅压成线性关系饱和区跨导与偏压及沟道长度无关截止频率与栅压无关非理想效应

弹道输运非弹道输运MOSFET沟道长度L>0.1μm，大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；载流子运动速度用平均漂移速度表征；弹道输运MOSFET沟道长度L<0.1μm，小于散射平均自由程；载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运；高速器件、纳米器件；提高集成度：同样功能所需芯片面积更小提升功能：同样面积可实现更多功能降低成本：单管成本降低改善性能：速度加快，单位功耗降低若尺寸缩小30％，则栅延迟减少30％，工作频率增加43％单位面积的晶体管数目加倍每次切换所需能量减少65％，节省功耗50％完全按比例缩小(FullScaling)尺寸与电压按同样比例缩小电场强度保持不变最为理想，但难以实现恒压按比例缩小(FixedVoltageScaling)尺寸按比例缩小，电压保持不变电场强度随尺寸的缩小而增加，强场效应加重一般化按比例缩小(GeneralScaling)尺寸和电场按不同的比例因子缩小迄今为止的实际做法漏、源区扩散结深rj表面空间电荷区厚度xdTn沟道MOSFET短沟道长沟道n沟道MOSFET窄沟道宽沟道源-体

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