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文档简介

1、GaN纳米材料器件,纳米材料特性,四大效应：表面与界面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应 光学性质（尺寸小，减少对光的反射率） 热学性质（降低熔点） 磁学性质（高矫顽力以及超顺磁性) 力学性质（高强度，高韧性）,GaN纳米材料,纳米GaN优异性： 纳米结构中应力弛豫可有效的降低位错密度 尺寸小于光生载流子扩散长度，能够减小电子器件激活层中局域化效应 GaN纳米线没有线性位错，可以改善内部辐射复合率，降低器件漏电流 纳米GaN应用： LED、LD、高分辨率探测器、高速场效应晶体管、显示器等 特别是LED方面，与传统的相比，具有高照明流量，高效率和低能耗。,纳米化的方法改善光电器件的

2、性能： 利用Ni纳米粒子掩膜，进行LED芯片表面粗化，有效的提高LED的发光效率。 在LED芯片表面生长一层ZnO纳米层，可以降低折射率，提高出光率。 在纳米图形衬底上制备LED可以提高光输出功率。,GaN纳米材料的合成方法,MOCVD PAMBE 模板限制法 HVPE 微波水热法 基于V-L-S催化生长法 以Ni纳米岛结构作模板，ICP刻蚀出GaN纳米柱 氨化物反应法,不同形态的GaN纳米材料,The different morphologies of the GaN 1-D nanomaterials:,SEM images of GaN nanoneedles grown at different HCl/NH3 flow ratios:,SEM images of the SAG of different ordered GaN nanocolumns by MBE:,GaN纳米材料性能研究,PL spectrum of GaN nanoneedles,HAADF-STEM images of GaN NCs:,PL spectra o

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