半导体测试

半导体测试Tag内容描述：<p>1、,第七章半导体器件测试,.,一、半导体器件简介,半导体器件（semiconductordevice）是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的器件。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。半导体分立器件是集成电路的功能基础。半导体器件主要有:二端器件和三端器件二端器件:基本结构是一个PN结可用来产生、控制、接收电信号；pn结二极管、肖特基二极管三端器件:各种晶体管可用来放大、控制电信号；双极晶。</p><p>2、,第七章半导体器件测试,.,一、半导体器件简介,半导体器件（semiconductordevice）是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的器件。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。半导体分立器件是集成电路的功能基础。半导体器件主要有:二端器件和三端器件二端器件:基本结构是一个PN结可用来产生、控制、接收电信号；pn结二极管、肖特基二极管三端器件:各种晶体管可用来放大、控制电信号；双极晶。</p><p>3、第7章半导体器件测试，第1，1，半导体器件简介，半导体器件是利用半导体材料的特殊电气特性执行特定功能的器件。为了区别于集成电路，也称为单个设备。半导体离散器件是集成电路的功能基础。半导体器件主要有：端子装置和三端子装置：基本结构，本机种是可用于产生、控制和接收电信号的PN接头。Pn结二极管、肖特基二极管三端设备：使用多种晶体管放大和控制电信号。双极晶体管、MOS场效应晶体管等，2，(a)半导体二极。</p><p>4、第四章薄层厚度测量 多数半导体器件和集成电路的主体结构 由各种形状和尺寸的薄层构成 这些薄层主要有 二氧化硅SiO2氮化硅SiNx掺杂扩散层 离子注入层Si外延层金属膜 Al Cu等 多晶硅膜这些薄层很薄 一般在 m范围内 一。</p><p>5、第四章薄层厚度测量 多数半导体器件和集成电路的主体结构 由各种形状和尺寸的薄层构成 这些薄层主要有 二氧化硅SiO2氮化硅SiNx掺杂扩散层 离子注入层Si外延层金属膜 Al Cu等 多晶硅膜这些薄层很薄 一般在 m范围内 一 引言 二氧化硅SiO2 氮化硅SiNx的用途具有绝缘 抗腐蚀性强 易于制备等特点 常在半导体器件制造中用作掺杂阻挡层 表面绝缘层 表面钝化层 绝缘介质等 是硅器件制造中最。</p><p>6、第四章薄层厚度测量 多数半导体器件和集成电路的主体结构 由各种形状和尺寸的薄层构成 这些薄层主要有 二氧化硅SiO2氮化硅SiNx掺杂扩散层 离子注入层Si外延层金属膜 Al Cu等 多晶硅膜这些薄层很薄 一般在 m范围内 一 引言 二氧化硅SiO2 氮化硅SiNx的用途具有绝缘 抗腐蚀性强 易于制备等特点 常在半导体器件制造中用作掺杂阻挡层 表面绝缘层 表面钝化层 绝缘介质等 是硅器件制造中最。</p><p>7、1,第七章 半导体器件测试,2,一、半导体器件简介,半导体器件（semiconductor device）是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的器件。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。半导体分立器件是集成电路的功能基础。 半导体器件主要有:二端器件和三端器件 二端器件: 基本结构是一个PN结 可用来产生、控制、接收电信号； pn结二极管、肖特基二极管 三端器件: 各种晶体管 可。</p><p>8、第七章半导体器件的测试、第一、半导体器件的介绍、半导体器件是利用半导体材料的特殊电气特性来完成特定功能的器件。 为了与集成电路区别，有时也称为离散。 半导体分立是集成电路的功能基础。 半导体器件主要是：两端元件和三端元件3360的基本结构，可以用PN结来产生、控制、接收电信号的PN结二极管、肖特基二极管三端子器件：的各种晶体管来放大、控制电信号MOS场效应晶体管等，(1)半导体二极管，图中的半导体。</p><p>9、第四章 薄层厚度测量,多数半导体器件和集成电路的主体结构，由各种形状和尺寸的薄层构成。这些薄层主要有: 二氧化硅SiO2 氮化硅SiNx 掺杂扩散层/离子注入层 Si外延层 金属膜(Al、Cu等）/多晶硅膜 这些薄层很薄，一般在m 范围内。,一、引言,二氧化硅SiO2 、氮化硅SiNx的用途 具有绝缘、抗腐蚀性强、易于制备等特点，常在半导体器件制造中用作掺杂阻挡层、表面绝缘层、表面钝化层、绝缘介质。</p><p>10、第四章 薄层厚度测量,1,多数半导体器件和集成电路的主体结构，由各种形状和尺寸的薄层构成。这些薄层主要有: 二氧化硅SiO2 氮化硅SiNx 掺杂扩散层/离子注入层 Si外延层 金属膜(Al、Cu等）/多晶硅膜 这些薄层很薄，一般在m 范围内。,一、引言,2,二氧化硅SiO2 、氮化硅SiNx的用途 具有绝缘、抗腐蚀性强、易于制备等特点，常在半导体器件制造中用作掺杂阻挡层、表面绝缘层、表面钝化层。</p>