半导体接触.

半导体接触.Tag内容描述：<p>1、第二章 半导体接触,2,主要内容,pn结 异质结 金属-半导体接触 半导体-氧化物接触, MIS,3,半导体器件的四种基础结构,在p型和n型半导体之间形成的“结”，具有整流特性，广泛用于电子电路的整流、开关及其他工作中。若再加一层p型半导体，两个p-n结构成p-n-p双极晶体管。,金属-半导体界面，,在金属和半导体之间形成的一种紧密接触。是第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET。,p-n 结,4,即在两种不同的半导体之间形成的界面，可构成双异质结激光器等。,如果绝缘体用氧化物。</p><p>2、第四章金属 半导体结 前言 金属 半导体结由金属和半导体接触形成的 金属 半导体接触出现两个最重要的效应 欧姆效应 若二者有整流作用 则叫整流接触 反之 叫欧姆接触 这是整流效应和由于金属与半导体相接触时在半导体。</p><p>3、金属-半导体接触 1.金属与半导体接触概论 以集成电路（IC）技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展，带来的是一次又一次的信息科技进步，没有哪一种技术能像它一样，带来社会性的深刻变革。半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用，而在半导体的应用过程中，必然会涉及到半导体与金属电极的接触。大规模集成电路中的铝-硅接触就是典型的实例。 金属与半导体接触大致可以分为两类1：一种是具有整流特性。</p><p>4、第八章 金属和半导体的接触,.1 金属半导体接触及能级图,1. 金属和半导体的功函数,金属功函数: 真空中静止电子的能量 (真 空能级）E0 与 金属的 EF 能 量之差，即,Wm 表示一个能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的能量最小值。,Wm 越大, 金属对电子的束缚越强,半导体功函数: 真空中静止电子的能量（真空能级） E0 与 半导体的 EF 能量之差，即,Ws 与杂质浓度有关,电子的亲合能,2. 金属和半导体的接触电势差,(a) 接触前,半导体的功函数又写为,金属真空能级 半导体真空能级,（b）间隙很大 (D原子间距),金属表面负电 半导。</p><p>5、第四章金属 半导体结 1 前言 金属 半导体结由金属和半导体接触形成的 金属 半导体接触出现两个最重要的效应 欧姆效应 若二者有整流作用 则叫整流接触 反之 叫欧姆接触 这是整流效应和由于金属与半导体相接触时在半导。</p><p>6、第三章 pn结与金属半导体接触,主要内容,一、平衡pn结 二、非平衡pn结 三、pn结直流特性 四、pn结电容与交流特性 五、金属半导体接触 六、肖特基二极管特性,二极管作用：整流、稳压、变容、发光。,一、平衡PN结二极管,1、PN结的形成 在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上用扩散、外延法或离子注入等方法掺入P型（或N 型）杂质。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:,受主离。</p><p>7、第七章金属和半导体的接触 林硕E mail linshuo pv 7 1金属半导体接触及其能带图 1 本章内容提要 金半接触及其能级图整流特性少子注入和欧姆接触 2 金属 半导体接触 整流接触 微波技术和高速集成电路 欧姆接触 电极制作 成为界面物理重要内容 半导体器件重要部分 能级图 整流特征 欧姆接触 3 7 1金属半导体接触及其能级图 1 金属与半导体的功函数 功函数 金属中的电子从金属中逸。</p><p>8、第7章 金属和半导体接触,1,理解肖特基势垒的作用方式及其I-V特性。 比较肖特基二极管与pn结二极管的电子输运特点及I-V特性 理解欧姆接触的能带特点与实现方式,学习目标,2,7.2 金属半导体接触整流理论,在半导体上施加外压，由于耗尽区阻抗比金属和半导体内部阻抗大得多，所以外压几乎全落在耗尽区上。 外加偏压影响半导体的表面势及空间电荷区厚度，但不影响势垒高度。,3,1938年，W.Schottky提出了关于整流二极管的理论，称为肖特基理论。肖特基势垒的电流受到从半导体空间电荷层边缘向金属输运的载流子支配。 当电子来到势垒顶上向金属发。</p><p>9、第七章金属和半导体的接触 本章内容 金属和半导体接触 4学时 金属半导体接触及其能级图 少数载流子的注入和欧姆接触 重点 金属和半导体之间接触的能带图 少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件 7 1金属半导体接触及其能级图 金属功函数 7 1 1金属和半导体的功函数 金属中的电子虽然能在金属中自由运动 但绝大多数所处的能级都低于体外能级 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化 关于功函数的。</p><p>10、第七章 金属和半导体的接触,本章内容,金属和半导体接触（4学时） 金属半导体接触及其能级图；少数载流子的注入和欧姆接触。 重点：金属和半导体之间接触的能带图，少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件。,7.1 金属半导体接触及其能级图,金属功函数,7.1.1 金属和半导体的功函数,金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。,金属功函数随原子序数的递增呈现周期。</p>