半导体器件原理

半导体器件原理Tag内容描述：<p>1、半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点.解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料;原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料;原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料.1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小.解 有效质量指的是对加速度的阻力.由能带图可知,Ge与Si为间接带隙半导体,Si的Eg比Ge的Rg大，所以.GaAs为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说.1.。</p><p>2、讲 课 的 原 则,阐述科技发展的逻辑脉络 着重电力电子器件方面基本知识 着重培养分析电力电子器件性能的能力 着重电力电子器件应用中最复杂和关键的问题 二极管和IGBT 着重锻炼应用电力电子器件的基本技能,教 学 参 考 书,陈冶明，电力电子器件基础 USING IGBT MODULES Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBT,第2章 半导体器件基本原理,半导体的基本知识 PN结及半导体二极管 特殊二极管,本 章 的 学 习 要 求,半导体“神奇”的性能是如何形成的？ 半导体材料为什么要使用搀杂工艺？ P型和N型半导。</p><p>3、半导体器件原理,半导体基础 pn结 BJT MOS结构基础 MOSFET MS接触和肖特基二极管 JFET 和 MESFET简介,硅半导体表面,理想硅表面 键的排列从体内到表面不变,硅体特性不受影响,硅表面-1,真实表面 表面沾污(C,O etc.) 表面重构,Si-SiO2界面,表面钝化,最常见的钝化材料: SiO2,硅表面-3,二氧化硅的宽禁带阻止了半导体中载流子的逃逸,Si-SiO2系统中的表面态与表面处理,可动离子 M+ 固定表面电荷 过剩硅离子产生的 界面态 晶格中断, 引起表面能级 (111)(110)(100) 陷阱电荷 辐射产生, 退火可以消除,理想的MOS结构,特点 金属足够厚 氧化层完美无缺陷。</p><p>4、概述了半导体器件的原理和工艺、半导体衬底的热氧化扩散离子注入光刻、薄膜沉积CMOS、掺杂、掺杂、半导体生产中掺杂的作用：1.形成pn结2 .形成电阻3 .形成欧姆接触4 .双极型基极区域，发射形成集电极区域，在MOS管的源极、漏极区域和多晶硅中掺杂5 .形成桥的布线、扩散、扩散的定义：在高温下杂质被压到浓度梯度，渗透到半导体材料中，形成一定的杂质分布，使导电型和杂质浓度发生变化。 杂质扩散、前扩散。</p><p>5、3-4 晶体管的反向特性,当发射极开路时，IE = 0 ，但这并不意味VBE = 0 。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当VBC 0 时，在基区中靠近集电结的一侧，有：,1、浮空电势,基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区，但因 IE = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧，有：np(0) npo ，根据边界条件，这说明发射结上存在一个反向电压，这就。</p>