半导体物理简答

半导体物理简答Tag内容描述：<p>1、简答题答案：1.空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。答：当p型半导体和n型半导体紧密结合时，在其交界面附近存在载流子的浓度梯度，它将引起p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散。因此在交界面附近，p区留下了不能移动的带负电的电离受主，n区留下了不能移动的带正电的电离施主，形成所谓空间电荷区。PN结零偏时的能带图：PN结反偏时的能带图：2.为什么反偏状态下的pn结存在电容？为什么随着反偏电压的增加，势垒电容反而下降？答：由于空间电荷区宽度是反偏电压的函数，其随反偏电压的增加而增加。空间电荷区内的。</p><p>2、第一章1 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 原子中内层电子和外层电子参与共 有化运动有何不同 答 原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在 答 原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在 没有一个固定的轨道 而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子 在晶体周期性势场中运动 当原子互没有一个固定的轨道 而晶体。</p><p>3、1. 在怎样条件下，电流密度随电场强度成线性变化?在强电场下,欧姆定律是否仍然正确? 电场强度不大的条件下；不正确2.产生负微分电导的条件是什么？3.如何用霍耳效应来测量出半导体的导电类型、载流子浓度及迁移率？ 从霍尔电压的正负可以判别半导体的导电类型；测出RH可求载流子浓度；测出电导率可求出霍尔迁移率。4.具有相同电阻率的掺杂锗和硅,哪一个材料的少子浓度高?为什么?锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。5. 电导有效质量与状态密度有效质量有何区别?。</p><p>4、半导体及基本半导体物理Semiconductor and its physical principles(Correspondence with the text book: Section 2.5、2.6、2.7)(壹) 原子之一般模型与电子能阶一个原子乃是由一个原子核加上一个或一个以上的电子所组成。l原子存在的型式是以原子核为中心，而电子在外围以高速环。</p><p>5、资料收集于网络 如有侵权请联系网站 删除 谢谢 第一章 1 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同 答 原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作。</p><p>6、第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层。</p><p>7、第二章 半导体接触,2,主要内容,pn结 异质结 金属-半导体接触 半导体-氧化物接触, MIS,3,半导体器件的四种基础结构,在p型和n型半导体之间形成的“结”，具有整流特性，广泛用于电子电路的整流、开关及其他工作中。若再加一层p型半导体，两个p-n结构成p-n-p双极晶体管。,金属-半导体界面，,在金属和半导体之间形成的一种紧密接触。是第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET。,p-n 结,4,即在两种不同的半导体之间形成的界面，可构成双异质结激光器等。,如果绝缘体用氧化物。</p><p>8、P F Wang Ting Ao Tang Fudan University Advanced semiconductor devices and physics 2012 09 半导体器件物理 半导体器件物理 复旦大学微电子学系 复旦大学微电子学系 王鹏飞 王鹏飞 Email pfw Email pfw 2013 09 2013 09 9 9 0 00 11 00 0 11 00 考试方式考试方。</p><p>9、半导体 电阻率10 3 r 109 cm常见半导体禁带 0 5 Eg 2 0 窄禁带 宽带 负温度系数 外界作用 掺杂改变电特性 电负性 原子吸引其在化学键中与另一原子之公有电子偶能力 电负性的大小决定原子的结合类型为电离能与电子亲。</p><p>10、一、 选择题1. 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（ A ）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（ E ）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（ C ）导电为主。A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2. 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后。</p><p>11、第一篇 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。1-2、 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。1-3、试指出空穴的主要特征。1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。1-5、某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=510-11m。求：（1） 能带宽度。</p><p>12、第一章第一章第一章第一章 半导体中的电子状态半导体中的电子状态半导体中的电子状态半导体中的电子状态 Part 1Part 1Part 1Part 1Part 1Part 1Part 1Part 1第一章第一章第一章第一章 第一章第一章第一章第一章 1 1。</p><p>13、半导体物理器件 名词解释名词解释 1 光电效应 在光的照射下 电路中产生电流或电流变 化 分两类 一是光照下能使物体电阻值改变称 内阻效应 或光导效应 二是在光照下能够产生一定的方向的电动势 称 阻挡层光电效应 或光伏效应 2 压阻效应 对半导体施加应力时 出产生变形外 能 带结构也要发生变化 因而 半导体的发生改变 这种由 于应力的作用使电阻率发生改变的现象 3 热电效应 把热能转换成电能的过。</p><p>14、半半 导导 体体 物物 理理 讲讲 义义 第 五 稿 胡 礼 中 编 大连理工大学物理与光电工程学院 电子科学与技术研究所 2011 年 2 月 1 引言引言 本课程是为我校电子科学与技术专业开设的一门必修专业基础课 也是其 他相关专业的重要选修课 主要介绍半导体的一些基本物理概念 现象 物理 过程及其规律 为学习诸如 半导体材料 半导体器件 等后续课程打下基 础 本课程共分八章 第一和第二章扼要。</p>