半导体物理器件

半导体物理器件Tag内容描述：<p>1、第三章双极结型晶体管 第三章双极结型晶体管 发展历史1947 12 23日第一只点接触晶体管诞生 BellLab Bardeen Shockley Brattain 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论 BellLab Shockley 1951年制造出第一只锗结型晶体。</p><p>2、第三章双极结型晶体管 双极结型晶体管的结构 基本工作原理 理想双极结型晶体管中的电流传输 爱伯斯 莫尔方程 缓变基区晶体管 基区扩展电阻和电流密聚 基区宽度调变效应 晶体管的频率响应 混接型等效电路 晶体管的开。</p><p>3、第八章 发光二极管和半导体激光器,辐射复合与非辐射 LED的基本结构和工作过程 LED的特性参数,1907.Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生1923.Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象1955.Braunstein首次在三-五族化合物中观察到辐射复合1961.Gershenzon观察到磷化镓PN结发光1962年砷化镓发光二极管和激光器研制成功1970年砷化镓-铝镓砷激光器实现室温。</p><p>4、第七章 太阳电池和光电二极管,半导体中的光吸收 P-N结的光生伏特效应 太阳电池的I-V特性 太阳电池的效率 光产生电流和收集效率 提高太阳电池效率的考虑 光电二极管 光电二极管的特性参数,光电子学是介于光学技术和电子工程之间的新兴边缘科学。这门学科是随着发光二极管、半导体激光器等器件的问世而诞生的。,光电子学分类,引言,其它,引言,7.1 半导体中的光吸收,假设半导体被一光子能量 大于禁带宽度的。</p>