半导体物理试题

半导体物理试题Tag内容描述：<p>1、共 9 页 第 1 页 (luobin考研复习卷) 东 南 大 学东 南 大 学 考 研 复 习 卷考 研 复 习 卷 (D 卷卷 ) 课程名称 半导体物理 929 编辑时 间 2013-1 得分 适用专业 电子科学与技术 考试形式 闭卷 考试时间长度 180 分钟 室温下 0 0.026k TeV，电子电量 19 1.6 10eC 。 一、一、 填空题填空题（每（每空空 1 分，共分，共 35 分）分） 1. 常规掺杂一般是为了调节半导体的导电性，根据要求掺杂不同浓度和不同类型的杂 质，可以有效地控制半导体的导电类型和载流子的浓度。特殊掺杂一般是为了特殊的 目的，而不是调制导电性。深能级杂质与浅能。</p><p>2、第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：（K）=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据： 得半导体物理第2章习题5. 举例说明杂质补偿作用。当半导体中同时存在施主和受主杂质时，若（1） NDNA因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-。</p><p>3、声明：部分答案来自互联网，本人只负责编辑。本文系中北大学物理系半导体物理学基础课程李惠生老师布置的课后习题。第一章1试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。2试指出空穴的主要特征。解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态。</p><p>4、11（P32）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：Ec(k)=+和Ev(k)= ；m0为电子惯性质量，k11/2a；a0.314nm。试求：禁带宽度；导带底电子有效质量；价带顶电子有效质量；价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。解 禁带宽度Eg根据0；可求出对应导带能量极小值Emin的k值：kmin，由题中EC式可得：EminEC(K)|k=kmin=；由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax0；并且EminEV(k)|k=kmax；EgEminEmax0.64eV导带底电子有效质量mn； mn价带顶电子有效质量m，准动量的改变量k(kmin-k。</p><p>5、第一篇 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。1-2、 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。1-3、试指出空穴的主要特征。1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。1-5、某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=510-11m。求：（1） 能带宽度；（2） 能带底和能带顶的有效质量。题解：1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则。</p>