半导体物理与

半导体物理与Tag内容描述：<p>1、基本概念题：第一章 半导体电子状态1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。1.2能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。答：能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。</p><p>2、7散射的原因是什么？ 1半导体呈本征型的条件？ 2什么是非简并半导体？什么是简并半导体？ 3n型和p型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式？ 4非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化？ 5. 半导体在室温全电离下的电中性条件？ 6. 简并半导体形成杂质能带，能带结构有什么变化？ 10多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离 有什么不同？ 8载流子的迁移率和电导率公式？ 9什么是准费米能级？ P320, p321 p319 p311 p327 P327, p331 p335 p336 P341 p343 p352 p353 半导体物理 一.思考题 18在考虑表面态的情况下，怎样形成欧姆接。</p><p>3、电导率和电阻率 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度：,I,将电流密度与该处的电导率以及电场强度联系起来，称为欧姆定律的微分形式,半导体的电阻率和电导率,显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂浓度）和迁移率有关,问题：本征半导体的导电性（常温下）是否一定比掺杂半导体更差？,其中i是本征半导体的电导率，b=n/p,Si-min0.86Si-I; GaAs-min0.4GaAs-I;,右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂。</p><p>4、半导体中电 子能量状况,半导体中 电子运动 状况,半导体中载 流子数目 及其改变 方式,核心： 半导体中载流子状况,能级状态改 变方式,载流子输运,半导体物理学,半导体中电 子能量状况 和运动状况,能级展开为能带,同一壳层中的共有化运动,掺杂增加能级-杂质能级,掺杂：改变极性、费米能级,能级状态、 载流子数目改 变方式,增加杂质浓度,非子注入,复合、陷阱效应,载流子输运,载流子输运图像：漂移,散射：杂质、声子、极性缺陷,形成电流途径：漂移、扩散,重要 概念,能带,有效质量,空穴,费米能 级,施主能 级,受主能 级,半导体 的简并,载流子 的。</p><p>5、第 9 章,MOS功率场效应晶体管,9.1 用作功率放大和开关的MOS功率场效应晶体管 9.2 MOS功率场效应晶体管的结构 9.3 DMOS晶体管的击穿电压 9.4 DMOS晶体管的二次击穿 9.5 温度对MOS晶体管特性的影响 9.6 习题, 用作功放及开关的MOS功率场效应管的特性 构成MOS功率场效应晶体管的各种结构 DMOS晶体管的二次击穿和温度对MOS晶体管特性的影响,9。</p><p>6、半导体物理与器件第四章第二讲,邱伟彬 2011.09.22,4.3非本征半导体 非本征半导体：掺入定量的特定的杂质原子（施主或受主），从而热平衡电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的半导体材料。 掺入的杂质原子会改变电子和空穴的分布。费米能级偏离禁带中心位置。 掺入施主杂质，杂质电离形成导带电子和正电中心（施主离子），而不产生空穴（实际上空穴减少），因而电子浓度会超过空穴，我们把这种半导体叫做n型半。</p>