半导体物理总复习

半导体物理总复习Tag内容描述：<p>1、半导体物理期末复习 第三章 半导体中载流子的统计 分布 2物理与光电工程学院 1.简述下列概念: (1)简并性系统和非简并性系统; 答：必须用费米分布函数来描述的电子系统为简并系统 ；可以用玻尔兹曼分布来描述的系统为非简并系统。 (2)量子态密度和状态密度; 答：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度；单位 能量间隔内的量子态数目称为状态密度。 3物理与光电工程学院 (3)导带有效状态密度和价带有效状态密度 答：对于非简并的半导体，平衡态时导带中的电子浓度可以等价于能 量处于导带低Ec的Nc个量子态中的总电子数，即： 式中： 称为价。</p><p>2、第1章 半导体中的电子状态,1 周期势中的电子状态、能带 电子共有化运动、能带、确定电子运动的薛 定谔方程、布洛赫函数、布里渊区 2 半导体中电子的运动、有效质量 几个关系式（能量、速度、动量），有效质 量（概念、意义），能带论解释绝缘体、半 导体和金属的导电机理 3 空穴（概念、特点、意义）,4 回旋共振 k空间等能面、实验原理及条件、等能面 的形状与有效质量的关系 5 半导体能带结构 硅的导带和价带结构,第2章半导体中杂质和缺陷能级,1 硅锗中的杂质能级 间隙式杂质、替位式杂质 施主杂质（正电中心、施主电离、中性态 或束缚态。</p><p>3、1,第一章,迄今大约有60种主要的器件以及100种与主要器件相关的变异器件。4种基本半导体器件结构。,金属-半导体接触（1874）：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。微波器件。,p-n结：半导体器件的关键基础结构；p-n-p双极型晶体管（1947），p-n-p-n结构的可控硅器件。,异质结（1957）：由两种不同材料的半导体组成；快速器件。</p><p>4、第一章 半导体中的电子状态 1 如何表示晶胞中的几何元素 规定以阵胞的基矢群为坐标轴 即以阵胞的三个棱为坐标轴 并且以各自的棱长为单位 也称晶轴 2 什么是倒易点阵 倒格矢 为什么要引入倒易点阵的概念 它有哪些基本。</p><p>5、半导体物理复习,一、常见的半导体材料,第一章,晶体的结构 1）晶体和晶格：由于构成晶体的粒子的不同性质，使得其空间的周期性排列也不相同；为了研究晶体的结构，将构成晶体的粒子抽象为一个点，这样得到的空间点阵成为晶格。 2）晶体结构与原子结合的形式有关 晶体结合的基本形式：共价结合、离子结合、金属结合、范德瓦耳斯结合 半导体的晶体结构：主要有 金刚石结构（ Ge、Si） 闪锌矿结构（GaAs等III。</p><p>6、半导体物理学总复习课,知识点,基本概念: 闪锌矿结构，金刚石结构，有效质量，迁移率，施主能级，费米面，布里渊区，点缺陷，状态密度，直接复合，受主能级，空穴，费米分布，载流子的漂移，本征载流子，爱因斯坦关系，陷阱效应，回旋共振，热载流子,基本原理与公式,（1-33）,（2-2）,（2-3）,有效质量,施主电离能,受主电离能,费米分布,玻尔兹曼分布,5,这时费米分布函数转化为玻耳兹曼分布函数。</p>