半导体直

半导体直Tag内容描述：<p>1、引言半导体激光器(laserdiode，LD)以其体积小效率高易于集成可高速直接调制等优点，被广泛用于激光雷达激光测量激光照明激光制导激光打印以及高密度信息记录与读取等领域。但是半导体激光器发射的激光光束具有在垂直和平行于结平面两个方向发散角不同光斑形状不规则(如一般是椭圆型或长条型)存在固有像散等缺点，这使得半导体激光3维扫描成像雷达的测程测距精度大大受影响，为了适用于远距离空间激光测距，必。</p><p>2、第 36 卷第 3 期 2012 年 5 月 激光技术 LASER TECHNOLOGY Vol 36 No 3 May 2012 文章编号 1001 3806 2012 03 0318 04 基于 ZEMAX 的半导体激光准直仿真设计 陈国 赵长明 纪荣祎 李鲲 罗雄 白羽 北京理工大学 光电学院 北京 100081 摘要 为了压缩 905nm 的半导体激光 以用于远程测距 采用几何光路原理 设。</p><p>3、引言 半导体激光器 laserdiode LD 以其体积小效率高易于集成可高速直接调制等优点 被广泛用于激光雷达激光测量激光照明激光制导激光打印以及高密度信息记录与读取等领域 但是半导体激光器发射的激光光束具有在垂直和平行于结平面两个方向发散角不同光斑形状不规则 如一般是椭圆型或长条型 存在固有像散等缺点 这使得半导体激光3维扫描成像雷达的测程测距精度大大受影响 为了适用于远距离空间激光测距 必须。</p><p>4、第九章金属半导体和半导体异质结 第九章金属半导体和半导体异质结 9 1肖特基势垒二极管9 2金属半导体的欧姆接触9 3异质结 9 1肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管示意图 9 1 1性质上的特征 金属 N型半导体 金属和n型半导体接触前的平衡态能带图 基本概念 真空能级E0 电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量功函数 从费米能级到真空能级的能量差电子亲和势 真空能级到价带底的能量差 金属的功。</p><p>5、半导体及基本半导体物理Semiconductor and its physical principles(Correspondence with the text book: Section 2.5、2.6、2.7)(壹) 原子之一般模型与电子能阶一个原子乃是由一个原子核加上一个或一个以上的电子所组成。l原子存在的型式是以原子核为中心，而电子在外围以高速环。</p><p>6、半导体工艺简介,物理与光电工程学院 张贺秋,参考书：芯片制造半导体工艺制程实用教程，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10,室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流,硅热氧化,目的,1、列出硅器件中，二氧化硅膜层的基本用途。 2、描述热氧化的机制。 3、列出热氧化反应中的氧化剂及用途。 4、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。,二氧化硅层的用途,1、表面钝化,2、掺杂阻挡层,3、表。</p><p>7、精品文档2016全新精品资料全新公文范文全程指导写作独家原创1/3,半导体教学目标知识目标了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用能力目标通过半导体知识的学习，扩展知识面情感目标知道半导体在现代科技中的重要性，树立科技强国的观念教学建议教材分析教材从分析导体和绝缘体的区别入手，进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料半导体接着分析了半导体的特点并提出问题教材又结合实例，介绍几种半导体的特性，说明了半导体地重要性教法建议本节的教学要注重科技的联系，避免孤立的学习，要注意联系实际可以提出问题学生自主学习。</p><p>8、半导体工艺简介-掺杂,物理与光电工程学院 张贺秋,参考书：芯片制造半导体工艺制程实用教程，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10,掺杂工艺,扩散、离子注入,集成电路生产过程中要对半导体基片的一定区域掺入一定浓度的杂质元素， 形成不同类型的半导体层， 来制作各种器件， 这就是掺杂工艺。,目的,1、理解掺杂工艺的概念。 2、理解扩散的概念及发生扩散的条件。 3、掌握结的定义。 4、画出掺杂原子（浓。</p><p>9、基于zcmax的半导体激光准直和整形设计 陆兵兵 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院，安徽合肥230009 【摘 要】通过对半导体激光光束特性进行分析，依据费马原理和非球面方程理论，对半导体激光准直系统。</p><p>10、22 2012 3 1672 8785 2012 03 0022 05 ZEMAX 266555 ABCD ZEMAX 808 nm 808 nm ZEMAX 0 032 mrad ZEMAX TN248 4 ADOI 10 3969 j issn 1672 8785 2012 03 005 Research on Semiconductor Collimator Design Based on。</p><p>11、第二章 半导体接触,2,主要内容,pn结 异质结 金属-半导体接触 半导体-氧化物接触, MIS,3,半导体器件的四种基础结构,在p型和n型半导体之间形成的“结”，具有整流特性，广泛用于电子电路的整流、开关及其他工作中。若再加一层p型半导体，两个p-n结构成p-n-p双极晶体管。,金属-半导体界面，,在金属和半导体之间形成的一种紧密接触。是第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET。,p-n 结,4,即在两种不同的半导体之间形成的界面，可构成双异质结激光器等。,如果绝缘体用氧化物。</p><p>12、第九章金属半导体和半导体异质结 第九章金属半导体和半导体异质结 9 1肖特基势垒二极管9 2金属半导体的欧姆接触9 3异质结 9 1肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管示意图 9 1 1性质上的特征 金属 N型半导体 金属和n型。</p><p>13、P型半导体与N型半导体,学习目标,知识目标认识P型半导体与N型半导体。情感目标培养认真钻研、勤于思考的学习态度。,学习重难点,学习重点P型半导体与N型半导体的特点。学习难点P型半导体与N型半导体的形成。,新课教学,一、什么是半导体,物质按导电能力的强弱可分为三大类：导体容易传导电流的物质，如电缆的线芯所使用的铜、铝等金属。绝缘体能够可靠地隔绝电流的物质，如电缆的包皮所使用的橡胶、塑。</p><p>14、吉林大学集成电路工艺集成电路技术集成电路技术集成电路工艺技术集成电路工艺技术集成电路技术连接邦南吉林大学集成电路工艺集成电路工艺集成电路工艺技术集成电路工艺技术。 章半导体基板第二章氧化第三章扩散第四章离子注入第五章光刻第六章蚀刻第七章化学气相沉积第八章化学机械化平面化第九章化学机械化平面化工艺第十章CMOS工艺流程吉林大学集成电路工艺集成电路工艺集成电路技术教材：1，半导体制造技术，作者迈克。</p>