薄膜制备的化学方法

薄膜制备的化学方法Tag内容描述：<p>1、薄膜材料与薄膜技术 第二章 薄膜的化学制备方法（1 ） 薄膜制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空 蒸发 溅射 沉积 离子镀 物理气相沉积 （PVD） 化学气相沉积 （CVD） 分子束外延 （MBE） 气相沉积 电 镀 法 溶胶-凝胶法 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 HFCVD PECVD LECVD DC RF MW ECR 热壁 冷壁 化学气相沉积(CVD) 1. 化学气相沉积: 沉积过程中发生化学反应，薄膜与原料的 化合状态不一样。 2. 代表性技术：低压CVD(LPCVD), 常压CVD APCVD, 等 离子体增强CVD (P。</p><p>2、AB Definitions m: coating metal weight p: metal density; T: plating time; M: metal atomic weight n: valence of metal ions; F: Faraday Constant; I(d): current density; S: coating area; h: coating thickness; C OOH。</p><p>3、薄膜材料与薄膜技术,数理学院,第二章 薄膜的化学制备方法(1),薄膜制备技术,直流溅射,射频溅射,磁控溅射,离子束溅射,真空 蒸发,溅射 沉积,离子镀,物理气相沉积 （PVD）,化学气相沉积 （CVD）,分子束外延 （MBE）,气相沉积,电 镀 法,溶胶-凝胶法,电阻加热,感应加热,电子束加热,激光加热,直流二极型离子镀,射频放电离子镀,等离子体离子镀,HFCVD,PECVD,LECVD,DC,RF,MW,ECR,热壁,冷壁,化学气相沉积(CVD) 1. 化学气相沉积: 沉积过程中发生化学反应，薄膜与原料的化合状态不一样。 2. 代表性技术：低压CVD(LPCVD), 常压CVD(APCVD), 等离子体增强C。</p><p>4、薄膜材料与薄膜技术,数理学院,第二章 薄膜的化学制备方法（2）,一、化学镀 二、溶胶-凝胶法 三、阳极反应沉积 四、电镀 五、LB技术 六、水热法,主要内容,一、 化学镀膜,化学镀膜是在催化条件下的氧化还原过程,一般靠被镀金属本身的自催化作用完成镀膜过程。 并非所有金属都有自催化沉积作用，具有催化潜能的金属数量有限。但是非催化金属的表面可以用活性剂激活，然后，在其表面实现化学沉积。所以使用活性剂的催化反应也可当作化学镀。,催化剂是指能提供或激活化学反应，而本身又不发生化学变化的物质。自催化是指参与反应物或产物之一具。</p><p>5、第二章 薄膜制备的化学方法薄膜制备的化学方法需要一定的化学反应，这种化学反应可以由热效应引起或者由离子的电致分离引起。在化学气相沉积和热生长过程中，化学反应是靠热效应来实现，而在电镀和阳极氧化沉积过程中则是靠离子的电致分离实现的。与物理气相沉积相比，尽管化学方法中的沉积过程较为复杂，也较为困难，但是薄膜沉积所使用的设备一般比较简单，价格也较为便宜。第一节 热氧化生长。</p>