场效应管放大电路

场效应管放大电路Tag内容描述：<p>1、第五章 场效应管放大电路第五章：场效应管放大电路8学时基本要求：了解结型场效应管的基本结构和工作原理，金属氧化物半导体场效应管的基本结构和工作原理；掌握场效应管放大电路的静态分析和放大电路的小信号模型分析法。重点：场效应管放大电路的静态分析和放大电路的小信号模型分析法。难点：场效应管放大电路的小信号模型分析法。教学过程5 场效应管放大电路5.1.1 N沟道增强型M。</p><p>2、5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 与BJT相比： 利用电压产生的电场效应来控制电流 单极型晶体管：主要是多数载流子导电 输入阻抗高 噪声低 易于制造，便于集成 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 5.1 金属-氧化物-半。</p><p>3、第五章 场效应管放大电路,场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件。,第五章 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.2 场效应管与晶体三极管的比较,5.3 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,5.1.4 场效应管的主要参数,5.1.2 N沟道增强型MOSFET,5.1.1 N沟道增强型MOSFET 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表 面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟 道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体 之间是绝缘的，其电阻。</p><p>4、场效应管放大电路,4 场效应管放大电路,4.1 结型场效应管(JFET) 4.2砷化镓金属-半导体场效应管(MESFET) 4.3绝缘栅场效应管(MOSFET/IGFET),4.4场效应管放大电路,场效应管放大器的静态偏置 场效应管放大器的交流小信号模型 场效应管放大电路,场效应管,4-0场效应管概述,BJT是一种电流(压)控制元件(iB iC)，工作时，多子和少子都参与运行，被称为双极型晶体管(半导体三极管)。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD).工作时只有一种载流子(沟道中多子漂移)参与导电,故称单极型晶体管(场效应三极管) 。 FET因其。</p><p>5、2019/2/27,电工电子技术,海南风光,第20讲,第11章 基本放大电路,11.6 场效应管共源极放大电路,2019/2/27,电工电子技术,答疑,1. 线形电阻的伏安特性曲线,U/I=R U/ I=R,2. 晶体管BE结微变等效电路,UBEQ / IBQ =R 非线性, UBE / IB =rbe 在Q点处近似线性,2019/2/27,电工电子技术,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1 =IS+U1/r,I2=IS+Ir2 =IS+U2/r,I= I2 -I1 =（ U2 - U1 ）/r = U/r,r= U/ I,如何求r？,2019/2/27,电工电子技术,答疑,4. 晶体管CE间的微变等效电路,流控电流源,在线性放大区，rce很大，可忽略,2019/2/27,电工电子技术,10.4 场效。</p><p>6、场效应管（FET） 及其放大电路（小结）,FET工作原理与特性曲线 FET等效电路及基本应用,内容,阅读：教材 第5章,模拟电路基础,基本特点和类型 工作原理与特性曲线,工作原理与特性曲线,关键问题 FET的物理结构 FET的外特性,场效应管及其放大电路（小结）,场效应管及其放大电路（小结） 工作原理与特性曲线,1. 基本特点和类型,电场控制电流输入电阻高（IG0）,一种载流子导电温度特性好,场效应管及其放大电路（小结） 工作原理与特性曲线,1. 基本特点和类型,场效应管及其放大电路（小结）工作原理与特性曲线,2.工作原理与特性曲线,不对称耗尽层。</p><p>7、2019年4月13日星期六,第四章,1,4 场效应管放大电路,引 言,2019年4月13日星期六,第四章,2,场效应管(FET)的特点： 体积小、重量轻、耗电省、寿命长；输入阻抗高、噪声低、热稳性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。 主要用途：大规模和超大规模集成电路。 分 类：结型场效应管(JFET)、金属-氧化物-半导体场效应管,2019年4月13日星期六,第四章,3,特点：只有一种载流子参与导电(电子或空穴)。 本节要掌握的主要内容： 了解FET的结构、基本工作原理、特性曲线、主要参数、基本放大原理。,2019年4月13日星期六,第四章,4,4.1 JFET,4.1.1 JFET的结构。</p><p>8、1,5.1 金属-氧化物-半导体场效应管,5.2 MOSFET放大电路,5.3 结型场效应管,5.4 各种放大器件电路性能比较,5 场效应管放大电路,2,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,增强型,耗尽型,（耗尽型）,按结构不同场效应管有两种:,3,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,5.1.4 MOSFET的主要参数,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,4,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,1. 结构,P型硅衬底,剖面图,衬底引线,栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1015 ，故称绝缘栅型场效应管(I。</p><p>9、2.6 场效应管放大电路,一、场效应放大电路的三种基本组态,二、场效应管放大电路的静态偏置及静态分析,三、共源场效应管放大电路的动态分析,场效应管通过栅源电压控制漏极电流，因此和BJT一样可以实现能量的控制，构成放大电路。由于栅源之间的电阻可达到1071012，所以常作为高输入阻抗放大器的输入级。,四、共漏放大器（源极输出器）的动态分析,一、场效应放大电路的三种基本组态,FET的源极、漏极、栅极分别对应BJT的发射极、集电极和基极，因此FET在组成放大电路时也有三种接法，即共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。,因为共栅。</p><p>10、第四章 场效应管放大器,绝缘栅场效应管 结型场效应管,4.2 场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路,4.1 场效应管,4.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,FET分类：,绝缘栅场效应管,结型场效应管,。</p><p>11、场效应管的三个电极g、s、d和三极管的三个电极b、e、c的作用相对应。用场效应管组成的放大电路也有相应的共源、共漏、共栅三种不同的接法，为使场效应管放大电路能够正常工作，也应建立合适的静态工作点，并使静态工作点稳定，所不同的是场效应管是电压控制器件，需要建立合适的栅源电压，也叫栅 极偏置电压（栅偏压）。,5.2 场效应管放大电路,(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。,(2) 动态：能为交流信号提供通路。,组成原则：,分析方法：,MOSFET放大电路,一、直流偏置及静态工作点的计算。</p><p>12、1,1. BJT的高频小信号模型,混合型高频小信号模型,2,单级共射极放大电路的频率响应高频响应,3,单级共射极放大电路的频率响应高频响应,4,2. 低频响应,低频等效电路,5,2. 低频响应,低频等效电路,Rb=（Rb1 | Rb2）远大于Ri,，CeCb2,6,则,2. 低频响应,低频响应,7,2. 低频响应,低频响应,相频响应 180arctan( fL1 / f) 180 arctan(fL1/f),幅频响应,8,2. 低频响应,低频响应,包含fL2的幅频响应,*4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应(自学）,9,1. 多级放大电路的增益, 前级的开路电压是下级的信号源电压, 前级的输出阻抗是下级的信号源阻。</p><p>13、1,湖南科技大学信息与电气工程学院,E-mail:hunan_wrmyahoo.com.cn,主讲: 王润民,第五章 场效应管放大电路,2,5 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.3 结型场效应管（JFET）,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,5.5 各种放大器件电路性能比较,5.2 MOSFET放大电路,3,P沟道,耗尽型,P沟道,P沟道,（耗尽型）,场效应管的分类：,4,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,5.1.5 MOSFET的主要参数,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,5.1.4 沟道长度调制效应,5,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,1. 结。</p><p>14、电子技术基础,主讲：孙 静,模拟部分,第13讲,电气信息学院电工电子基础教研室,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.2 MOSFET放大电路,第五章 场效应管放大电路,5.3 结型场效应管（JFET）,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,5.5 各种放大器件电路性能比较,学习指导,第五章 场效应管放大电路,场效应管： 通过改变外加电压产生的电场强度-控制其导电能力。 优点： 体积小、重量轻、耗电少、寿命长，还具有输入电阻高、热稳定性好、噪声低、便于集成等特点。在大规模集成电路中广泛应用。 分类： 根据结构不同, 可分为结型场效应管(JFET)、。</p><p>15、第五章 场效应管放大电路 (JFET部分) 重点： 1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线； 2.学会判断场效应管的工作状态； 3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管 JFET放大电路)的分析方法。,2、符号,5.3 结型场效应管JFET 一 . N沟道结型场效应管(N沟道JFET) 1、结构 两个PN结夹着一个N型沟道。,（1-3）,3. N沟道JFET的放大原理(以共源极接法为例) N沟道JFET共源极接法的接线：,经实验证明: (1)VP0: 非工作区域,此时ig 0,(2)当栅源电压vGS 变化, 漏源电压vDS =constant0时: vGS VP (夹断电压,VP0) :漏极电流iD=0 VP(vGS-VP ):vDS越大,iD。</p><p>16、1,晶体管及其小信号放大 场效应管放大电路,2,场效应晶体管(FET),电压控制器件 多子导电 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工艺简单,便于集成,应用广泛,3,4 场效应晶体管及场效应管放大电路,4.1 场效应晶体管(FET),N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,（耗尽型）,4,一、结构, 4.1.1 结型场效应管,栅极,漏极,源极,N沟道,利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来 改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流,5,UGS,二、工作原理（以N沟道为例）,正常工作: UGS0V,PN结反偏，|UGS|越大则耗尽层越宽，导电沟道越窄，电阻越大。,ID,。</p>