场效应管放大器

场效应管放大器Tag内容描述：<p>1、5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 与BJT相比： 利用电压产生的电场效应来控制电流 单极型晶体管：主要是多数载流子导电 输入阻抗高 噪声低 易于制造，便于集成 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 5.1 金属-氧化物-半。</p><p>2、2019年4月13日星期六,第四章,1,4 场效应管放大电路,引 言,2019年4月13日星期六,第四章,2,场效应管(FET)的特点： 体积小、重量轻、耗电省、寿命长；输入阻抗高、噪声低、热稳性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。 主要用途：大规模和超大规模集成电路。 分 类：结型场效应管(JFET)、金属-氧化物-半导体场效应管,2019年4月13日星期六,第四章,3,特点：只有一种载流子参与导电(电子或空穴)。 本节要掌握的主要内容： 了解FET的结构、基本工作原理、特性曲线、主要参数、基本放大原理。,2019年4月13日星期六,第四章,4,4.1 JFET,4.1.1 JFET的结构。</p><p>3、第四章 场效应管放大器,绝缘栅场效应管 结型场效应管,4.2 场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路,4.1 场效应管,4.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,FET分类：,绝缘栅场效应管,结型场效应管,。</p><p>4、2019/5/26,1,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.3 结型场效应管（JFET）,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,5.5 各种放大器件电路性能比较,5.2 MOSFET放大电路,第5章 场效应管放大电路,2019/5/26,2,P沟道,耗尽型,P沟道,P沟道,（耗尽型）,场效应管的分类：,2019/5/26,3,关于MOS场效应管符号的说明：,N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。,表示衬底在内部没有与源极连接。,N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。,N沟道结型MOS管。没有绝缘层。,如果是P沟道，箭头则。</p><p>5、第三章 场效应管放大器,绝缘栅场效应管 结型场效应管,3.2 场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路,3.1 场效应管,3.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,FET分类：,绝缘栅场效应管,结型场效应管,。</p><p>6、第五章 场效应管放大电路 (JFET部分) 重点： 1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线； 2.学会判断场效应管的工作状态； 3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管 JFET放大电路)的分析方法。,2、符号,5.3 结型场效应管JFET 一 . N沟道结型场效应管(N沟道JFET) 1、结构 两个PN结夹着一个N型沟道。,（1-3）,3. N沟道JFET的放大原理(以共源极接法为例) N沟道JFET共源极接法的接线：,经实验证明: (1)VP0: 非工作区域,此时ig 0,(2)当栅源电压vGS 变化, 漏源电压vDS =constant0时: vGS VP (夹断电压,VP0) :漏极电流iD=0 VP(vGS-VP ):vDS越大,iD。</p><p>7、1,第11章 基本放大电路,11.6 场效应管共源极放大电路,第4讲,答疑,1. 线形电阻的伏安特性曲线,U/I=R U/ I=R,2. 晶体管BE结微变等效电路,UBEQ / IBQ =R 非线性, UBE / IB =rbe 在Q点处近似线性,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1 =IS+U1/r,I2=IS+Ir2 =IS+U2/r,I= I2 -I1 =（ U2 - U1 ）/r = U/r,r= U/ I,如何求r？,答疑,4. 晶体管CE间的微变等效电路,流控电流源,在线性放大区，rce很大，可忽略, 11.6 场效应管放大电路,11.6.1 电路的组成原则及分析方法,(1).静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区,(2).动态: 能为交流信号提供。</p><p>8、4章 场效应管放大电路,场效应管,结型场效应管,场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。,按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。,1.结构,2.工作原理,N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。 在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。,P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中。</p><p>9、第四章场效应管放大器,绝缘栅场效应管结型场效应管,4.2场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路,4.1场效应管,4.1场效应管,BJT是一种电流控制元件(iBiC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(uGSiD)，工作时，只有一种载流子参。</p><p>10、实验四 场效应管放大器 一 实验目的 1 了解结型场效应管的性能和特点 2 进一步熟悉放大器动态参数的测试方法 二 实验原理 场效应管是一种电压控制型器件 按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型 由于场效应管栅源之间处。</p><p>11、第三章fet放大器、绝缘栅fet结fet、3.2 fet放大电路、效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路、3.1 fet、3.1 fet、BJT是电流控制元件(iB iC)，操作时涉及大部分电流源和小数载波操作，因此被称为双极设备。场效应管(FET)是单极设备，因为它作为电压控制设备(uGS iD)运行，只涉及其中一个电流通过的电流器。FET作为制造工艺简单、功耗小、温度。</p><p>12、海南风光,第17讲,第11章 基本放大电路,11.6 场效应管共源极放大电路,答疑,1. 线形电阻的伏安特性曲线,U/I=R U/ I=R,2. 晶体管BE结微变等效电路,UBEQ / IBQ =R 非线性, UBE / IB =rbe 在Q点处近似线性,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1 =IS+U1/r,I2=IS+Ir2 =IS+U2/r,I= I2 -I1。</p><p>13、第三章 场效应管放大器,绝缘栅场效应管 结型场效应管,3.2 场效应管放大电路,效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路,3.1 场效应管,3.1 场效应管,BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD)。</p>