场效应管及其放大电路

场效应管及其放大电路Tag内容描述：<p>1、第3章 场效应管及其基本放大电路 3.1结形场效应管 3.2砷化镓金属-半导体场效应管 3.3金属-氧化物-半导体场效应管 3.4场效应管放大电路 3.5各种放大器件电路性能比较 3.1 场效应晶体管(FET） 分类和结构： 结型场效应晶体管JFET 绝缘栅型场效应晶体管IGFET N P PN结耗尽层 P N 沟 道 G门极 D漏极 S源极 P 衬底 NN 源极 门极 漏极 S G D JFET结构 IGFET结构 N 沟 道 3.1结型场效应晶体管JFET 1) P 沟道和N沟道结构及电路符号 N 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s N沟道结构及电路符号 P 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s P沟道结构及电路符号 2)。</p><p>2、场效应管（FET） 及其放大电路（小结）,FET工作原理与特性曲线 FET等效电路及基本应用,内容,阅读：教材 第5章,模拟电路基础,基本特点和类型 工作原理与特性曲线,工作原理与特性曲线,关键问题 FET的物理结构 FET的外特性,场效应管及其放大电路（小结）,场效应管及其放大电路（小结） 工作原理与特性曲线,1. 基本特点和类型,电场控制电流输入电阻高（IG0）,一种载流子导电温度特性好,场效应管及其放大电路（小结） 工作原理与特性曲线,1. 基本特点和类型,场效应管及其放大电路（小结）工作原理与特性曲线,2.工作原理与特性曲线,不对称耗尽层。</p><p>3、模拟电子技术基础 Fundamentals of Analog Electronic,第五章 场效应管及其放大电路,第五章 场效应管及其放大电路,5.1 场效应管,5.2 场效应管基本放大电路,5.1 场效应管,一、结型场效应管,二、绝缘栅型场效应管,三、场效应管的分类,3,一、结型场效应管（以N沟道为例）,场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。,符号,结构示意图,导电沟道,单极型管噪声小、抗辐射能力强、低电压工作,1. 结构,4,2. 工作原理 （1）。</p><p>4、第8章 场效应管及其放大电路,本章介绍的场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件，属于电压控制电流源器件，用VCCS表示。,场效应管的分类：,从参与导电的载流子来划分：,N沟道器件,P沟道器件,从场效应管的结构来划分,绝缘栅型场效应管IGFET,结型场效应管JFET,8.1 绝缘栅型场效应管,按照导电沟道的形成机理不同，N沟道MOSFET P沟道MOSFET 又各有增强型和耗尽型两大类。,8.1.1 N沟道增强型MOSFET,1.N沟道增强型MOSFET的结构,结构示意图:,结构剖面图:,符号:,2.N沟道增强型MOSFET的工作原理,。</p><p>5、第九讲场效应管及其放大电路,第九讲场效应管及其放大电路,一、场效应管,二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法,三、场效应管放大电路的动态分析,四、复合管,一、场效应管（以N沟道为例）,场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。,1.结型场效应管,导电沟道,源极,栅极,漏极。</p><p>6、2 6 1 4 2 7 场效应管及其放大电路 一 场效应管 二 场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三 场效应管放大电路的动态分析 四 复合管 一 场效应管 以N沟道为例 场效应管有三个极 源极 s 栅极 g 漏极 d 对应于晶体管。</p><p>7、第3章场效应管及其放大电路 场效应管 3 1 场效应管放大电路 3 2 3 1场效应管 场效应管也称单极型晶体管 具有噪声小 抗辐射能力强 输入阻抗高等优点 场效应管有三个极 源极 s 栅极 g 漏极 d 对应于晶体管的e b c 有三。</p><p>8、第九讲场效应管及其放大电路,第九讲场效应管及其放大电路,一、场效应管,二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法,三、场效应管放大电路的动态分析,四、复合管,一、场效应管（以N沟道为例）,场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。,1.结型场效应管,导电沟道,源极,栅极,漏极。</p><p>9、4 场效应管及其放大电路,半导体三极管：,1.两种极型的载流子（电子和空穴）都参与导电，又称为双极型晶体管，简称BJT（Bipolar Junction Transistor)。,2.电流控制型器件。,3.输入电流大，输入电阻小。,双极型晶体管,*双极型晶体管的主要特点：,单极型晶体管：场效应管,*场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )，其主要特点：,(a)参与。</p><p>10、第 3章场效应管及其放大路,3.1 场效应管,3.2 场效应管及放大电路,3. 1场效应管,引言,3.6.1 结型场效应管,3.6.3 场效应管的主要参数,3.6.2 MOS 场效应管,引 言,场效应管 FET (Field Effect Transistor),类型：,结型 JFET (Junction Field Effect Transistor),绝缘栅型 IGFET(Insulate。</p><p>11、本章重点: l 结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、输出特性、转移特性及主要参数 l 共源、共漏极放大电路的工作原理 场效应管的偏置方式及静态工作点的求法,3.1 概述,3.1.1 场效应管的特点,3.1.2 场效应管的分类,3.1.3 场效应管与晶体三极管的比较,3.2场效应管,3.2.1 结型场效应管,1 结构,第3章 场效应管及其放大电路,（c） N沟道,（a） N型沟道 （b）P型沟道。</p><p>12、模拟电子技术,主讲：王彦 武汉铁路职业技术学院 二00七年四月,第3章 场效应管放大电路,本章主要内容： 3.1 绝缘栅场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效应管的比较 3.4 场效应管的主要参数及使用注意事项 3.5 场效应管放大电路 3.6 本章小结,3.1 绝缘栅场效应管,场效应管的分类：,3.1 绝缘栅场效应管,3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.2 N沟道耗尽型MOS管,3。</p><p>13、第8章 场效应管及其放大电路,本章介绍的场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件，属于电压控制电流源器件，用VCCS表示。,场效应管的分类：,从参与导电的载流子来划分：,N沟道器件,P沟道器件,从场效应管的结构来划分,绝缘栅型场效应管IGFET,结型场效应管JFET,8.1 绝缘栅型场效应管,按照导电沟道的形成机理不同，N沟道MOSFET。</p><p>14、8/3/2020 11:15:55 PM,第4章 场效应管放大电路,8/3/2020 11:15:55 PM,基本要求,了解场效应管的分类、结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理； 熟悉输出特性曲线和转移特性曲线，以及场效应管的主要参数； 掌握场效应管放大电路的组成、分析方法和应用。,8/3/2020 11:15:55 PM,FET 特点,场效应管根据结。</p>