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场效应管及其基本

3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理。3―1―2 结型场效应管的特性曲线。1 第3章场效应晶体管及其放大电路 3 1场效应晶体管3 2场效应管工作状态分析及其偏置电路3 3场效应管放大电路 2 3 1场效应晶体管 3 1 1结型场效应管结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的 也称为体内场效应。

场效应管及其基本Tag内容描述:<p>1、第3章 场效应管及其基本放大电路 3.1结形场效应管 3.2砷化镓金属-半导体场效应管 3.3金属-氧化物-半导体场效应管 3.4场效应管放大电路 3.5各种放大器件电路性能比较 3.1 场效应晶体管(FET) 分类和结构: 结型场效应晶体管JFET 绝缘栅型场效应晶体管IGFET N P PN结耗尽层 P N 沟 道 G门极 D漏极 S源极 P 衬底 NN 源极 门极 漏极 S G D JFET结构 IGFET结构 N 沟 道 3.1结型场效应晶体管JFET 1) P 沟道和N沟道结构及电路符号 N 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s N沟道结构及电路符号 P 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s P沟道结构及电路符号 2)。</p><p>2、2019年4月4日星期四,模拟电子技术,1,第三章 场效应管及其基本电路,31 结型场效应管,311 结型场效应管的结构及工作原理,312 结型场效应管的特性曲线,一、转移特性曲线,二、输出特性曲线,1. 可变电阻区,2.恒流区,3. 截止区,4.击穿区,2019年4月4日星期四,模拟电子技术,2,32 绝缘栅场效应管(IGFET),321 绝缘栅场效应管的结构,322 N沟道增强型MOSFET,一、导电沟道的形成及工作原理,二、转移特性,三、输出特性,(1)截止区,(2)恒流区,(3)可变电阻区,2019年4月4日星期四,模拟电子技术,3,323 N沟道耗尽型 MOSFET,324各种类型MOS管的符号及特性对比,3。</p><p>3、第3章 场效应管及其基本电路,31 结型场效应管 32 绝缘栅场效应管(IGFET) 33 场效应管的参数和小信号模型 34 场效应管放大器,31结型场效应管,311结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor)简称JFET,有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图31给出了JFET的结构示意图及其表示符号。,图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号 (a)N沟道JFET;(b)P沟道JFET,N沟道JFET,是在一根N型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P+型区,形成两个PN结,将两个P+区接在一起引出一个电极,称为栅极(Gate),在两个PN结之间。</p><p>4、第3章场效应管及其基本电路,31结型场效应管32绝缘栅场效应管(IGFET)33场效应管的参数和小信号模型34场效应管放大器,31结型场效应管,311结型场效应管的结构及工作原理结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor)简称JFET,有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图31给出了JFET的结构示意图及其表示符号。,图31结型场效应管的结构示。</p><p>5、第3章 场效应管及其基本电路,31 结型场效应管 32 绝缘栅场效应管(IGFET) 33 场效应管的参数和小信号模型 34 场效应管放大器,31结型场效应管,311结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管(Juncti。</p><p>6、第3章场效应管及其基本电路,31结型场效应管32绝缘栅场效应管(IGFET)33场效应管的参数和小信号模型34场效应管放大器,31结型场效应管,311结型场效应管的结构及工作原理结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor)简称JFET,有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图31给出了JFET的结构示意图及其表示符号。,图31结型场效应管的结构示。</p><p>7、1 第第3 3 3 3章章 场效应管及其基本电路场效应管及其基本电路 第第3 3 3 3章章 场效应管及其基本电路场效应管及其基本电路 3 3 3 3 1 1 1 1 结型场效应管结型场效应管 3 3 3 3 2 2 2 2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应。</p><p>8、1 第3章场效应晶体管及其放大电路 3 1场效应晶体管3 2场效应管工作状态分析及其偏置电路3 3场效应管放大电路 2 3 1场效应晶体管 3 1 1结型场效应管结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的 也称为体内场效应。</p><p>9、2020年7月4日星期六,模拟电子技术,1,第3章场效应晶体管及其放大电路,3.1场效应晶体管,3.1.1结型场效应管,一、结型场效应管的结构,二、结型场效应管的工作原理,三、特性曲线,1.输出特性曲线,2.转移特性曲线,3.1.2绝缘栅场效应管(IGFET),一、N沟道增强型MOSFET,二、N沟道耗尽型MOSFET,2020年7月4日星期六,模拟电子技术,2,3.1.3场效应管的参数,一、直流。</p>
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