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掺杂原理与技术课件

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掺杂原理与技术课件Tag内容描述：<p>1、,微电子工艺学MicroelectronicProcessing第四章掺杂原理与技术,张道礼教授Email:zhang-daoliVoice:87542894,掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。,掺杂应用：MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等,pwell,4.1掺杂,.,基本概念：结深。</p><p>2、微电子工艺学MicroelectronicProcessing第四章掺杂原理与技术,张道礼教授Email:zhang-Voice:87542894,1,学习交流PPT,掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。,掺杂应用：MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等,pwell,4.1掺杂,2,学习交流P。</p>

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