单相半桥无源逆变电路设计

单相半桥无源逆变电路设计Tag内容描述：<p>1、电力电子技术课程设计一、课程设计的性质和目的1、性质：是电气自动化专业的必修实践性环节。2、目的：1）培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力；2）加深理解电力电子技术课程的基本理论；3）初步掌握电力电子电路的设计方法。二、课程设计的题目MOSFET电压型单相半桥无源逆变电路设计（阻感性负载）设计条件：（1）输入直流电压：Ui=200V（2）输出功率：500W（3）输出电压波形：1KHz方波三、课程设计的内容，指标内容及要求，应完成的任务1、课程设计的要求1）整流电路的选择2）整流变压器额定参数的计算3）晶闸管（全控型。</p><p>2、单相半桥无源逆变电路的设计1概述1.1课题背景和意义功率MOSFET(金属氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等。 图1如图1显示了一种SIPMOS（n沟道增强型功率MOSFET）的部分剖面结构。其栅极用导电的多晶硅制成,栅极与半导体之间有一层二氧化硅薄膜,栅极与源极位于硅片的同一面，漏极则在背面。从总体上看，漏极电。</p><p>3、1 电气与电子信息工程学院电气与电子信息工程学院 计算机控制课程设计计算机控制课程设计 设计题目 设计题目 单相半桥无源逆变电路设计 专业班级 专业班级 电气工程及其自动化 2010 专升本 班 学学 号 号 201020210128 姓姓 名 名 朱 勇 同同 组组 人 人 严康 孙希凯 指导教师 指导教师 南光群 黄松柏 设计时间 设计时间 2011 11 13 2011 11 21 设计地。</p>