电力电子技术期末

电力电子技术期末Tag内容描述：<p>1、1. IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。2. 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高。</p><p>2、第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。2维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计。</p><p>3、院（系） 班级 姓名 学号 装订线04级 专业电力电子技术期末标准试卷（A）（2006 2007 学年 第 上 学期）题号一二三四五总分得分一、 填空题(每小空1分，共13分)1正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，当改变_ _ 调制比 可改变逆变器输出电压幅值；改变_ 调制波频率 可改变逆变器输出电压频率；改变_ 载波频率 可改变开关管的工作频率。2.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为 有源 逆变器。3. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触。</p><p>4、第1章 电力电子器件,电力电子器件的特性和使用方法。 掌握电力电子器件的工作原理、基本特性。 了解驱动电路、保护电路和串并联电路,1.1.3 电力电子器件的分类,按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：,1）半可控器件,绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT） 电力场效应晶体管（PowerMOSFET） 门极可关断晶闸管（GTO）、巨型晶体管GTR,3）不控型器件,电力二极管（Power Diode）常见的有大功率二极管、快速恢复二极管及肖特基二极管。 只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。,通过控。</p><p>5、复习及期末考试安排,1.今天和下周(第14周)共32个学时：课堂总复习。 2.考试方式：闭卷考试。 3.考试时间：第15周星期四(6月14日) 上午8.3010.30(共120分钟) 4.考试地点：本大楼 C-116教室 5.考试纪律：参照 (1)国家教育考试违规处理办法 （2004年5月19日 教育部令第18号发布） (2)教育部关于修改国家教育考试违规处理办法的决定 (第33号令。</p>