电路与模拟电子技术基础课后答案

电路与模拟电子技术基础课后答案Tag内容描述：<p>1、实用文档第二章 习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V，用于电话机通话时的直流电源。话机内部电路对电压有极性的要求。话机电路中有一个导向电路，如题2-1图所示。外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。试说明其工作原理。答：当外线与话机引线相接时，如果话机引线的上端接正、下端接负，则电源正端经过D1，话机内的其他电路、D4到电源负端，形成电流回路，此时二极管D1、D4正向。</p><p>2、第一章 半导体基础知识自测题一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根据PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V，所以七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流。</p><p>3、第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二判。</p><p>4、模拟电子技术课后答案 第一章 自测题 一 1 2 3 4 5 6 二 1 A 2 C 3 C 4 B 5 A C 三 UO1 1 3V UO2 0 UO3 1 3V UO4 2V UO5 2 3V UO6 2V 四 UO1 6V UO2 5V 五 根据PCM 200mW可得 UCE 40V时IC 5mA UCE 30V时IC 6 67mA U。</p><p>5、第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一 填空题 1 在杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系 2 当PN结外加正向电压时 扩散电流 大于 漂移电流 耗尽层。</p><p>6、第二章2.1 。2.2 （a）导通，截止。（b）导通，截止。（c）导通，截止（d） 导通，截止。2.4 （a）。（b）。（c）。（d）（e）。（f）。2.5 （1）；。（2）；。（3）；。2.6 （a） D截止。（b） D截止。（c）D导通。2.8 （1）时。时。时。（2）若时负载开路，稳压管D可能被击穿。稳压管会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被。</p><p>7、第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二判断题 1、由于P型半导体中含有大量。</p><p>8、第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。图1.1 习题1.1电路图解 （吸收）；（吸收）（产生）；（吸收）；（吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。1.2 求图1.2中的电流、电压及电压源和电流源的功率。图1.2 习题1.2电路图解 ；电流源功率：（产生），即电流源产生功率。电压源功率：（产生），即电压源产生功率。1.3 求图1.3电路中的电流、及。图1.3 习题1.3电路图解 ; 由、和构成的闭合面求得：1.4 试求图1.4所示电路的。图1.4 习题1.4电路图解 1.5 求图1.5中的及。图1.5 。</p><p>9、第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导。</p><p>10、第二章2.1 。2.2 （a）导通，截止。（b）导通，截止。（c）导通，截止（d） 导通，截止。2.4 （a）。（b）。（c）。（d）（e）。（f）。2.5 （1）；。（2）；。（3）；。2.6 （a） D截止。（b） D截止。（c）D导通。2.8 （1）时。时。时。（2）若时负载开路，稳压管D可能被击穿。稳压管会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被烧毁。第三章3.1 （1）（a）电流方向向外，大小为1.01mA；(b)电流方向向外，大小为5mA。(2) （a）;（b）。（3）（a）该管为NPN型；（b），该管为PNP型。3.2 （a）为PNP型；（b）为NPN型；（c）为NPN型；（d）为。</p><p>11、第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导。</p><p>12、第二章2.1 。2.2 （a）导通，截止。（b）导通，截止。（c）导通，截止（d） 导通，截止。2.4 （a）。（b）。（c）。（d）（e）。（f）。2.5 （1）；。（2）；。（3）；。2.6 （a） D截止。（b） D截止。（c）D导通。2.8 （1）时。时。时。（2）若时负载开路，稳压管D可能被击穿。稳压管会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被。</p><p>13、1 图 P1.2 第 1 章 半导体二极管及其电路分析 11 某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为 0.1pA，试分析二极管外加电压 在 0.5V0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。 解：由于 ) 1(= T D U u SD eIi 由题意知 IS=0.1pA，室温下 UT26mV，故当 UD=0.5V 时，得 iD=0.110 12（ 1 26 500 e。</p>