电子技术基础复习题

电子技术基础复习题Tag内容描述：<p>1、中南大学现代远程教育课程考试复习题及参考答案电子技术基础模拟电子技术部份第1章半导体二极管习题选解第2章 半导体三极管习题选解第3章 放大电路基础习题选解第4章 负反馈放大电路与基本运算电路习题选解第5章 线性集成电路的应用习题选解第7章 信号产生电路习题选解数字电子技术部份第1章 绪论习题选解第2章 逻辑代数基础习题选解第3章 逻辑门电路习题。</p><p>2、电子技术基础复习题一、 选择题：1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于（ ）。A.掺入杂质的浓度 B.材料、 C.温度 D.不确定 2.既能放大电压，又能放大电流的是（ ）组态电路；不能放大电压，只能放大电流的是（ ）组态电路。A、共射 B、共基 C、共集 D、不定3.集成运放输入级采用差动放大电路是为了( )。A、电压放大倍数大 B、不失真输出电压大C、带负载能力强 D、提高共模抑制比4.在基本共射放大电路中，若更换晶体管使值由50变为100,则电路的放大倍数( )。A、约为原来的1/2倍 B、 约为原来的2倍 C、 基本不变 D、不确定5.桥式整流电路，。</p><p>3、电子技术基础复习资料一、选择题1、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。2、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。4、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处在（ A ）。A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。5、正弦电流经过二极管整流后的波。</p><p>4、07级电路分析基础期末复习资料一概念填空：1电路由 电源、负载、导线和控制设备 三部分组成。2电路中电流数值的正或负与参考方向 有关 ，参考方向设的不同，计算结果 不同 。3理想电压源的端电压与流过它的电流的方向和大小 无关系 ，流过它的电流由 负载 所共同决定。4由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的 电压 。5相互等效的两部分电路具有相同的 伏安特性 。6电阻并联分流与分流电阻值成 反 比，即电阻值大者分得的电流 小 ，且消耗的功率也 小 。7串联电阻具有 分压 作用，大电阻分得的电压 大 ，小。</p><p>5、2014级电气自动化技术专业电子技术基础复习资料一、 填空题。1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管 导通 ,若施加反向电压时，则二极管 截至 ，这说明二极管具有 单向 导电性。2、晶体管从内部结构可分为 NPN 型和 PNP 型。3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为VCVBVE ，基极和发射极电位之差约等于 0.7 。4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB= 0.03 ，= 100 。5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成 共基 、 共集 和 共射 三种基本放大电路；其中 共集 电路输出。</p><p>6、电子技术基础模拟测试题(一),一、填空题 1、 (30.25)10=( )2=( )16。 2、逻辑函数 =( ) 。 3、 JK触发器的特性方程Qn+1=( ) 。 4、逻辑函数 的反函数 ( ) 。 5、时序逻辑电路按电路中触发器状态变化是否同步可分为( )时序逻辑电路和( )时序逻辑电路两大类。 6、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为( )。 7。</p><p>7、一、 算法设计题（每题15分，共60分） 答题要求： 用自然语言说明所采用算法的思想； 给出每个算法所需的数据结构定义，并做必要说明； 写出对应的算法程序，并做必要的注释。 1、有一个带头结点的单链表，每个结点包括两个域，一个是整型域info，另一个是指向下一个结点的指针域next。假设单链表已建立，设计算法删除单链表中所有重复出现的结点，使得info域相等的结点只保留一个。 3、约瑟夫环问题（J。</p>