电子技术理论复习题答案

电子技术理论复习题答案Tag内容描述：<p>1、电子技术理论复习题一、是非题： ( ) 1. 某元件二端的交流电压超前于流过它的交流电流，则该元件为容性负载（ ） ( ) 2R-C串联电路的电路总阻抗为R+jwC ( ) 3三相不对称电路通常是指负载不对称（ ）( ) 4三相三线制测量电路总功率值只可以用二表法来测量( ) 5三相四线制不对称负载测量电路总功率可以用二表法来测量 ( ) 6三相对称负载作联结，若每相负载的阻抗为38，接在线电压为380V的三相交流电路中，则电路的线电流为17.3A。 ( ) 7当电路的状态或参数发生变化时，电路从原稳定状态立即进入新的稳定状态。 ( ) 8. 分析过渡过程的三要素。</p><p>2、第二章：1. 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。2. 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 电力晶体管 、 可关断晶闸管 、 功率场效应晶体管 、绝缘栅双极型晶体管 几种。简述晶闸管的正向伏安特性？答:。</p><p>3、精品文档 一、填空题 1、写出下列电力电子器件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT 。 2、双向晶闸管的图形符号是 ；3个电极分别是 第一阳极T1。</p><p>4、叮叮小文库一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， 题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_。</p><p>5、1第二章：1. 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率 du/dt 和通态电流临界上升率等，若 du/dt 过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若 di/dt 过大，会导致晶闸管_损坏__。2. 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 电力晶体管 、 可关断晶闸管 、 功率场效应晶体管 、绝缘栅双极型晶体管 几种。简述晶闸管的正向伏安特性？答: 晶闸管的伏安特性 正向特性 当 IG=0 时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压 Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。随。</p><p>6、第 7 页 共 7 页 电子技术复习题一 一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， 题1-1 V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__。</p><p>7、四、名词解释1结点三条或三条以上支路的汇交点2网孔内部不包含支路的回路。3相量表征正弦时间函数的复数。4反馈将放大电路的输出信号（电压或电流）的部分或全部，通过一定的方式，回送到电路的输入端。5相序三相电压达到最大值的先后次序。6换路一个电路接入电源或从电源断开或改变电路元件参数的过程。7零漂（温漂）由于环境温度的变化，放大。</p><p>8、电子技术(242002)课程试卷B参考答案（本卷考试时间 120 分钟）题号一二三四五六总得分题分121618341010100得分一、选择题（本题共6小题，每小题2分，共12分）（注：请将唯一正确的选项的相应字母，填写在括号里）1. 在某放大电路中，测得晶体管三个管脚间的电压值分别为：，则此晶体管的类型和材料分别是什么？ 答：（ A ）（A）NPN型，硅管 （B）PNP型，锗管 （C）NPN型，锗管 （D）PNP型，硅管2.某一放大电路的直流通路如下图1-1所示，对下列哪种方法调整电路，可以使得直流负载线由实线的位置调整到虚线的位置？ 答：（ D ）图1-1(A)将。</p><p>9、第二章：1. 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。2. 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 电力晶体管 、 可关断晶闸管 、 功率场效应晶体管 、绝缘栅双极型晶体管 几种。简述晶闸管的正向伏安特性？答:。</p>